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101.
用INJDO系列方法对C60^-进行几何构型优化,得到D3d对称性的构型,表明C60^-确实发生了Jahn-Teller畸变,导致单键变短,双键变长,形成10种键,6种不等同碳原子,并以此构型为基础,计算了C60^-的电子光谱,与实验结果吻合;同时对光谱进行了理论指认;最后对C^60-的3种构型:D5d,D3d,D2h的几何构型、能量、光谱和反应特性进行了分析、比较和总结。 相似文献
102.
Design of Second-Order Nonlinear Optical Molecules Exhibiting Improved Nonlinearity-Transparency Trade-off and Large Nonlinearity 总被引:1,自引:0,他引:1
The nonlinear second-order optical susceptibilities(β) of a series of multi-branched molecules with triphenylbenezene as π center have been calculated by means of a combination of intermediate neglect of differential overlap Hamiltonian with the configuration interaction(INDO/SDCI) method combined with sum-over-states expression(SOS) .the results show that the β values are increased by replacing benzene rings with thiophene rings in the branches,as well as by increasing the donating and accepting strength of the three terminal substituents.The properies of the intermolecular charge transfer were studied through the calculation of charge changes between the ground and the main excited states and the frontier orbitals of these molecules.The results also indicate that these molecules investigated here possess improved transparency-nonlinearity properties. 相似文献
103.
对多车种LWR交通流模型,给出一种半离散中心迎风格式,该格式以五阶WENO-Z重构和半离散中心迎风数值通量为基础.WENO-Z重构方法的引入提高了格式的精度,并保证格式具有基本无振荡的性质.时间的离散采用保持强稳定性的Runge-Kutta方法.通过数值算例验证了格式的有效性. 相似文献
104.
105.
考虑两相流的力学行为,忽略相间的耗散作用,建立了Euler型的基本控制方程.状态方程采用刚性状态方程.基于Abgrall提出的准则,在流动区域内,对可压两相流提出了一个精度较高的Euler型数值方法,数值格式是Godunov型格式,对守恒型和非守恒型方程采用HLLC型和Lax-Friedrichs型近似Riemann解算器,引入了速度驰豫和压强驰豫过程来代替两相间的相互作用.在一维情形下给出数值算例,并且和Saurel的算例进行了比较,结果表明该算法不但精确而且稳定,且在间断处没有数值振荡. 相似文献
106.
Switching Characteristics of Phase Change Memory Cell Integrated with Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
A Ge2Sb2Te5 based phase change memory device cell integrated with metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) is fabricated using standard 0.18 #m complementary metM-oxide semiconductor process technology. It shows steady switching characteristics in the dc current-voltage measurement. The phase changing phenomenon from crystalline state to amorphous state with a voltage pulse altitude of 2.0 V and pulse width of 50ns is also obtained. These results show the feasibility of integrating phase change memory cell with MOSFET. 相似文献
107.
109.
熵相容格式相比于一般的熵稳定格式进一步控制了激波处的熵增量,一维情况下能有效消除膨胀激波及间断处的伪振荡等现象.对于Euler方程,可以通过对特征变量进行WENO重构以获得高阶熵相容格式的数值粘性项,然后与高阶熵守恒格式结合得到高精度熵相容格式,在WENO重构过程中的权重关于特征变量是非线性的,这导致了大量的向量内积运算.通过用压强和熵代替特征变量来计算权重,可以显著减少重构的计算量,并且数值算例表明这种权重的计算方式能很好地保持数值格式的高阶精度和基本无振荡的效果. 相似文献
110.
结合四阶CWENO(Cemral Weighted Essentially Non-Oscillatory)格式、四阶NCE(Natural Continuous Extensions)Runge-Kutta法和Level Set方法,很好地处理了一维双曲守恒律标量方程的激波追踪问题。针对二维双曲守恒律标量方程,成功地用五阶WENO格式、非TVD格式的四阶Runge-Kutta方法和Level Set方法进行激波追踪。将所得的数值解与标准的高阶激波捕捉方法所得的数值解进行比较,说明基于Level Set的激波追踪方法的有效性与逐点收敛性。 相似文献