高温超导磁阻电机的研究

本文针对超导磁阻电机结构并结合临界态模型,利用有限元法计算电机内部磁场和交直轴电抗,借以分析电机稳态工作特性,通过样机构造及其性能测试和分析,证实了HTS磁阻电机较传统电机能够以更小体积和重量实现更大的输出功率、更高的功率因数和效率,此项研究为百kW-MW级HTS磁阻发电/电动机研发奠定了良好的理论和实践基础.     

二维颗粒膜超导电性

我们对二维排列的Sn颗粒膜进行了低温R-T特性研究。样品是在充有氧气的真空室内用热蒸发方法制备的。因为颗粒尺寸、颗粒分布和颗粒间距的随机性,使得颗粒之间的Josephson耦合和热激发电子的hopping过程的强弱,在不同的样品中不同,观测到的结果可以理解为以下三类:1)向零电阻的K-T转变;2)电阻极小转变;3)金属-绝缘转变。 关键词：     

函数f(x)=a/(sin~nx) b/(cos~nx)最小值猜想的推广

文[1]中猜想:f(x)=a/sin~nx b/cos~nx(00,由均值不等式得:nAsin2x 2amsinmnx=Asin2x Asin2x … Asin2x asinmnx sinamnx … sinamnx≥(n 2m)(Ana2m)n 12m.nAcos2x 2bmcosmnx=Acos2x Acos2x … Acos2x bcosmnx cosbmnx … …     

THEORY AND APPLICATIONS OF FREQUENCYMETRIC TITRATION

Theory on frequencymetric titration has been proposed based on equivalent circuit of piezoelectric quartz crystal (PQC) in liquid and oscillation equation of TTL-PQC oscillator, and the theoretical equation derived representing the frequency shift with respect to the solution conductivity. Practical examples of various types of titration are given in this paper.     

准一维有机铁磁体的磁性机理研究

对准一维有机铁磁体ｐｏｌｙ－ＢＩＰＯ体系的磁性机理进行了研究。详细考虑了该体系中的电子跳跃、电子关联及派尔斯不稳定性，自洽地计算了其能带结构和自旋密度分布，并数值地研究了各因素对系统特性的影响。结果发现该体系基态为稳定的铁磁态． 关键词：     

Josephson结中激发孤子的电泳脉冲方法—原理与数值实验

根据反射射理论讨论了电泳脉冲法产生磁通孤子的阈值条件。对甚长结作的数值实验与理论符合很好。对有限结，考虑到边界效应，电流台阶范围等因素，对孤子激发条件有额外的要求。对圆对称环域结用脉冲法激发了孤子，并分析了其中回波效应、外磁场等对激发条件的影响。所有结果表明，电流脉冲法是在Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结中激发孤子态的有效方法，理论阈值条件可以提供有益的参考作用。     

基于衍射模型的Z扫描理论

以菲涅耳－基尔霍夫衍射理论为基础，建立了非线性光学介质对高斯光束的衍射模型，从一种新的角度解释了Z扫描现象，这种理论不仅在小非线性相移的情况下与传播Z扫描理论的结果完全一致，而且还适用于大非线性相移的情况。数值计算表明，随着非线性相移的增大，原来近似对称的Z扫描曲线发生畸变，谷的透过率被饱和抑制而峰的透过率被增强。通过开孔的光功率随着入射激光功率的增加会出现振荡衰减现象。     

YBa_2(Cu_(1-x)Sn_x)3O_(7-y)超导体的磁弛豫和钉扎

我们制备了一组 YBa_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_(7-y)多晶超导样品,在77K 时测量了它们的磁滞回线和增场磁弛豫率,计算了它们的钉扎势 U_0结果表明,在相同制备工艺条件下,掺锡样品的钉扎势比不掺锡(x=0)样品的高.结合 TEM、X-射线衍射和喇曼谱分析结果,我们认为YBa_2Cu_3O_(7-y)超导体中的位错不是主要钉扎中心,掺锡样品中的β-Sn 正常粒子可能是有效的钉扎中心.     

聚合物荧光型纳米微粒传感器的研究进展

综述了聚合物为载体的荧光型纳米微粒传感器的制备方法及研究进展，特别是在测定细胞中化学物质的浓度和空间分布中的应用，对目前存在的主要问题提出了可能的解决方法。     

融熔织构YBa_2Cu_3O_7的电阻展宽

测量了融熔织构 YBa_2Cu_3O_7在磁场中电阻转变的展宽效应.发现 R(T,H)=R_0exp[-U_0/k_BT],仍满足 Arrhenius 关系,钉扎能 U_0(H)仅为 eV 量级.讨论了影响 J_c 和磁通蠕动的因素.