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101.
102.
103.
We discuss the evolution of the state and the average energy of the Fermi Ulam model in the case of periodic perturbation. By a perturbation technique, the time-dependent Sehr6dinger equation is solved and it is found that the particle will continuously absorb or radiate energy Jf the frequency of the oscillating wall meets the resonance condition. Usually, these two states cannot exist together at a certain frequency. However, there is an exception if the frequency is at some special values. We find these values and reveal that the energy for transmission has the minimum equivalent unit, which is in the form of a harmonic oscillator. 相似文献
104.
105.
光照法在玻璃基底上原位生长金纳米结构及其光谱性质 总被引:1,自引:1,他引:0
以硅烷化后吸附粒径小于10 nm的金种子的玻璃片为基底,聚乙烯吡咯烷酮为还原剂,在荧光灯照射条件下还原氯金酸,制备出表面具有金纳米粒子聚集结构的基底。用原子力显微镜、扫描电镜、X射线衍射、吸收和荧光光谱研究了基底的性质。结果表明:随着光照时间增加至20 h,金种子长大为平均粒径140 nm的不规则状多晶粒子,且出现双层粒子堆叠。基底的吸收光谱上出现了由金粒子的表面等离子体激元偶极子耦合引发的强烈吸收峰,随着粒子粒径增大,耦合峰在600~800 nm波段内连续红移升高,表明耦合程度不断增强。在223 nm紫外光的激发下,基底的荧光光谱上在405 nm处出现发射峰,是由金粒子表面激发电子和空穴的复合辐射造成的,发光强度随着基底上粒子平均尺度增加而减弱。 相似文献
106.
以3-巯基丙酸为稳定剂在水相中合成了Cu掺杂的ZnSe量子点(QDs), 并利用硫脲(CH4N2S)对其进行表面修饰, 制备出核壳结构的ZnSe:Cu/ZnS 量子点. 制得的量子点呈闪锌矿结构, 尺寸约为5 nm, 有较好的分散性, 其荧光发射峰在460 nm左右. 经CH4N2S修饰后, 量子点表面形成了宽禁带的ZnS包覆层, 将电子和空穴限域在了ZnSe:Cu 核内, 减少了表面发生非辐射复合的载流子, 显著提高了量子点的荧光强度. 与Na2S、硫代乙酰胺(TAA)等常用硫源相比, 以CH4N2S为硫源制得的ZnSe:Cu/ZnS 量子点壳层厚度可控, 表面钝化效果更好, 显示出更佳的荧光效率和稳定性. ZnSe:Cu/ZnS 量子点经过紫外线照射后消除了表面的悬空键, 进一步提高了其量子产率, 最终获到了具有较好荧光性质的ZnSe:Cu/ZnS量子点. 相似文献
107.
基于氧化物半导体的光催化特性,能够降解有机物分子,使表面增强拉曼散射基底得以重复使用。提出了银纳米颗粒有效修饰覆盖有石墨烯的二氧化钛纳米棒阵列(TiO_2/石墨烯/Ag)复合结构作为表面增强拉曼散射基底,并对其进行了实验研究。利用水热法制备了二氧化钛纳米棒阵列;采用湿法转移石墨烯和光照还原方法制备了TiO_2/石墨烯/Ag复合结构。用罗丹明6G(R6G)分子作为探测分子,结果表明:随着紫外光照沉积时间增加,探针分子的拉曼信号先增强后减弱;计算得到最大增强因子值约为2.6×106。此外,还对TiO_2/石墨烯/Ag复合结构的紫外自清洁特性进行了初步实验,结果表明,紫外光照射20min后,其拉曼强度下降到42.3%,具有一定的紫外清洁效果。 相似文献
108.
根据产品质量和生产该产品的设备退化状态之间的相关性,设计了周期性设备检测与产品质量控制相结合的设备维修策略。该策略是在对设备进行周期性检测的基础上,利用控制图进行产品质量异常波动的检测,结合对设备退化状态的检测选择设备应采取的维修活动。根据这一设备维修策略,利用更新过程理论和统计过程控制方法,构建了基于产品质量控制的设备维修优化模型,并用遗传算法对其进行求解。通过实例仿真验证了该模型的可行性与有效性。 相似文献
109.
110.
We propose AND,NOR,and XNOR logic gates realized simultaneously for 40-Gb/s networks,in which the realization of NOR and XNOR logic gates using only MgO-doped periodically poled lithium niobate(MgO:PPLN) is reported.In our configuration,we exploit broadband quasi-phase matching(QPM) cascaded second harmonic and difference-frequency generation(cSHG/DFG),cascaded sum-frequency and differencefrequency generation(cSFG/DFG) in one MgO:PPLN,and the narrow band QPM sum-frequency generation(SFG) in another MgO:PPLN.The performance,including the quality-factor(Q-factor) and extinction ratio(ER),of the proposed multifunctional logic device is also simulated. 相似文献