A型发动机环形火焰筒设计和调试中的问题

本文概述了A型发动机环形火焰筒的技术指标和设计特点,着重说明台架调试火焰筒应主要抓住流量分配.调整中使主燃区—掺混区—补燃区气量分配接近于30％—30％—40％的比例,气膜冷却用空气应控制在25％以下.文中还叙述了提高温度场相关参数能提高温度场均匀性,采用适当的内外环进气量比例能保证燃气温度沿叶高的良好分布.调试工作中沿用了调整t_4~*温度场反调t_3~*的方法.试验结果实现了R提高2％、C_R降低1.5％的设计指标.     

高效低毒的拟除虫菊素杀虫剂

天然除虫菊素除虫菊是一种多年生草本植物,属菊科(Compo-site),菊属(Chrysantbemum)。菊属的品种很多,其中若干种的花中含有杀虫物质,又以白花除虫菊(Chrys-anthemum Cineriaefolum)或称瓜叶除虫菊含有的杀虫物质——除虫菊素最多。早在十七世纪时,除虫菊已在波斯大量栽植;1840年,在南斯拉夫发现有白花除虫菊品种。目前,在靠近赤道的非洲国家种植较多。我国在1935年开始有栽培数量的记载,迄今仍有栽植。     

Cs_2CO_3共蒸阴极对有机电致发光器件性能的影响(英文)

研究了碳酸铯(Cs2CO3)掺杂8-羟基喹啉铝(Alq3)作为电子注入层对有机电致发光器件性能的影响。结果表明,与常用的Cs2CO3超薄层作电子注入层相比,Cs2CO3∶Alq3共蒸阴极对器件效率和亮度有很大提高,器件电流效率从3.1 cd/A(Cs2CO31 nm/Al)提高到6.5 cd/A(Cs2CO33%∶Alq3/Al)。器件性能的提高归因于Cs2CO3∶Alq3共蒸阴极比单层Cs2CO3阴极具有更好的电子注入能力和电子传输性能。薄膜形貌表明,共蒸阴极能有效降低Alq3表面粗糙度,有助于提高器件发光性能及寿命。     

液体表面波及其谐波的光衍射效应

为了探究液体表面波的波动规律,提出了一种基于激光衍射的探测方法.未扩束的激光束直接斜入射到波动液面,液面波动的强度由电磁式激发器控制、频率由信号发生器控制,用CCD采集光衍射图样并传送到计算机中实时处理.根据波动光学理论,给出了衍射光场和液体表面波之间的解析关系,发现实验现象和理论分析吻合.实验结果表明:该方法具有实时、准确、无损的特点.     

Research on application of MOOC in optical packet switching

An experiment on receiving and identifying multiple optical orthogonal codes （MOOC） sequence-based optical labels in an optical packet switching （OPS） network is reported. Two groups of MOOC with a code length of 23 and a code weight of 3 are used to identify the optical labels. The scheme and principle of OPS networks based on MOOC sequence-based optical labels are presented. Because optical labels contain OPS and routing information, the importance of optical label processing with multiple inconsecutive, random, and burst optical labels in an OPS network is pointed out. Considering the MOOC-based optical labels, we design a circuit consisting of a broadened network and a cascaded amplifier to receive multiple groups of low-power narrow pulses （optical labels in the MOOC-OPS network） with a period of 2 ns. The successful experimental results demonstrate that the designed scheme is feasible.     

埃尔米特梁单元的分块对角与高阶质量矩阵

埃尔米特梁单元常用的集中质量矩阵,是由挠度自由度对应的一致质量矩阵元素通过行求和或节点积分构造。然而,数值结果表明该集中质量矩阵在求解包含自由端的梁振动问题时,会出现频率精度掉阶现象。本文首先从保障质量矩阵最优收敛性的数值积分精度出发,分别针对三次和五次梁单元,发展了质量矩阵的梯度增强节点积分方案。利用梯度增强节点积分方案,可以得到具有分块对角形式的单元质量矩阵,而其组装的整体质量矩阵除边界节点外仍然呈现对角形式。对于两种单元,其分块对角质量矩阵分别具有4阶最优精度和6阶次优精度。再者,将标准一致质量矩阵和具有同阶精度的梯度增强节点积分质量矩阵进行优化组合,建立了具有超收敛特性的高阶质量矩阵。最后,通过数值算例系统验证了三次和五次单元的分块对角与高阶质量矩阵的频率计算精度。     

从$L^{\infty}$空间到Bloch型空间一类奇异积分算子的范数

本文研究了单位圆盘上从$L^{\infty}(\mathbb{D})$空间到Bloch型空间 $\mathcal{B}_\alpha$ 一类奇异积分算子$Q_\alpha, \alpha>0$的范数, 该算子可以看成投影算子$P$ 的推广,定义如下$$Q_\alpha f(z)=\alpha \int_{\mathbb{D}}\frac{f(w)}{(1-z\bar{w})^{\alpha+1}}\d A(w),$$ 同时我们也得到了该算子从 $C(\overline{\mathbb{D}})$空间到小Bloch型空间$\mathcal{B}_{\alpha,0}$上的范数.     

辐照损伤模拟中的Zr 原子势函数

以金属Zr 的一种嵌入原子形式(EAM) 的势函数为基础,通过引入一个调制函数的办法,在不同范围内修改了EAM 势函数的对势部分和原子电子密度分布部分,然后采用分子动力学方法计算点缺陷(间隙原子(SIA) 和空位) 形成能和初级离位原子(PKA) 的阈值能,从而探讨这些物理量对势函数的不同部分的敏感程度。计算结果表明:势函数的对势部分长程范围内的形式对缺陷的形成影响较小,其短程范围的形式对SIA 的形成比对空位的形成影响程度更大;对于PKA 的阈值能,其敏感区域来自于势函数的对势部分和原子电子密度分布的短程范围部分,但在不同晶向上的PKA 的阈值能对势函数的敏感程度有所不同。这些研究结果对于在研究Zr 金属的辐照损伤中势函数的选择或构建有指导意义。For the purpose of detecting the sensitive parts of an embedded atom method(EAM) potential which is considered to be used in molecular dynamics simulation of radiation effects of Zirconium, we introduce a modulation function to modify the pairwise potential and the atomic electron-density distribution of the EAM potential. Based on the modified potential function, the formation energies of the self-interstitial atom (SIA) and the vacancy atom are calculated as well as the displacement threshold energy of primary knock-on atom (PKA). The results indicate that the short range part of the pairwise potential has more greater influence on the SIAs formation than the vacancy formation. The defect formation energies are also very sensitive to the behavior of the atomic electron-density function in the range which is close to the cutoff distance. The displacement threshold is sensitive to the short range behaviors of both the airwise potential and the atomic electron-density function, however, the sensitivity is strongly dependent on the crystal-direction.     

Quadratic nonlinear response to 1.56-μm continuous wave laser in semi-insulating GaAs

The nonlinear photoresponse to a 1.56μm infrared continuous wave laser in semi-insulating （SI） galliu- marsenide （GaAs） is examined. The double-frequency absorption （DFA） is responsible for the nonlinear photoresponse based on the quadratic dependence of the photocurrent separately on the coupled optical power and bias voltage. The electric field-induced DFA remarkably affects the native DFA in SI GaAs. The surface electric field or the surface band-bending of SI GaAs significantly affects the magnitude variation of the Dhotocurrent and dark current