纳米脱溶相改善铋系2223银包套带材磁场下的输运性能

通过后期的氧气氛退火工艺,在Ｂｉ２２２３／Ａｇ 包套带材中引入纳米脱溶相,使得材料磁通钉扎能力显著提高,改善了输运性能．ＸＲＤ 和ＳＥＭ 分析表明退火过程中,从（Ｂｉ,Ｐｂ）２２２３ 基体晶粒内脱溶出的细小第二相粒子．钉扎力的标度表明这些细小的纳米脱溶相在材料中引入额外的钉扎中心,提高了材料的磁通钉扎能力     

纳米银掺杂对Bi(2223)超导体的影响

研究了不同含量纳米银掺杂的（Ｂｉ,Ｐｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ块材。ＤＴＡ分析表明纳米银掺杂使材料熔点降低,加速了高Ｔｃ相的形成。磁场下Ｒ－Ｔ展宽测试表明,纳米银掺杂大大提高了磁通蠕动激活能,其中最佳掺杂１５ｗｔ％Ａｇ时激活能提高５～６倍;掺杂样品的钉扎能Ｕ（Ｈ）随磁场降低比非掺杂样品要慢,改善了磁场下的传输性能。交流磁化率测量表明纳米银掺杂使晶间损耗峰向高温移动２０Ｋ,说明纳米银掺杂改善了晶界     

GaSb单晶空间生长

空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境,为提高晶体质量创造了条件,引起晶体生长研究人员的关注.中国科学院物理研究所和日本东京大学电子工程系合作,1992年在中国第14颗返回式卫星上成功地生长了一根φ6 mm×30 mm外形完整的GaSb单晶.对空间生长的晶体的研究显示：晶体在空间生长部分无Ⅰ类生长条纹,表明晶体生长时既无自然对流也没有Marangoni对流.位错密度测定表明,晶体在空间生长期间熔体未与坩埚器壁接触时生长的晶体位错密度接近于零,而熔体与坩埚器壁接触后位错密度迅速增高.详细叙述了该晶体的生长和研究,分析了微重力对晶体生长的影响,并对空间晶体生长的发展提出看法.     

低成本基板倒装焊底充胶分层裂缝扩展研究

采用MIL-STD-883C热循环疲劳加载标准，通过电学检测方法测定了B型和D型两种倒装焊封装焊点寿命。并使用无损声学C-SAM高频超声显微镜技术观测这两种倒装焊封装在焊点有无断裂两种情况时芯片／底充胶界面的分层和扩展，计算得到分层裂缝扩展速率。在有限元模拟中采用粘塑性和时间相关模量描述了SnPb焊点和底充胶的力学行为。使用裂缝尖端附近小矩形路径J积分方法作为断裂力学参量得到不同情况下的界面分层裂缝顶端附近的能量释放率。然后由实验裂缝扩展速率和有限元模拟给出的能量释放率得到可作为倒装焊封装可靠性设计依据的Par—is半经验方程。     

The effect of two-dimensional of a crystal interface in shear flow on the stability a supercooled melt

A model is developed based on the time-related thermal diffusion equations to investigate the effects of twodimensional shear flow on the stability of a crystal interface in the supercooled melt of a pure substance. Similar to the three-dimensional shear flow as described in our previous paper, the two-dimensional shear flow can also be found to reduce the growth rate of perturbation amplitude. However, compared with the case of the Laplace equation for a steady-state thermal diffusion field, due to the existence of time partial derivatives of the temperature fields in the diffusion equation the absolute value of the gradients of the temperature fields increases, therefore destabilizing the interface. The circular interface is more unstable than in the case of Laplace equation without time partial derivatives. The critical stability radius of the crystal interface increases with shearing rate increasing. The stability effect of shear flow decreases remarkably with the increase of melt undercooling.     

液相对流对定向凝固胞/枝晶间距的影响

采用类金属透明模型合金丁二腈-1.8 wt%丙酮(SCN-1.8 wt%Ace)合金, 研究了平行于生长界面前沿的液相对流对定向凝固胞/枝晶生长行为及胞/枝晶间距的影响. 对于胞晶生长, 在液相对流作用下, 其尖端将会出现分岔, 使得胞晶间距减小, 并且液相对流流速越大, 胞晶尖端分岔越明显, 胞晶组织越细小, 胞晶间距越小. 至于枝晶生长, 其生长行为与胞晶不同. 当抽拉速度较小时, 液相对流作用下枝晶两侧三次臂的生长速度将会超过枝晶尖端生长速度, 形成新的枝晶列, 使得枝晶一次间距减小, 并且液相对流流速越大枝晶一次间距越小; 当抽拉速度较大时, 液相对流作用下迎流侧二次臂生长发达,且会抑制上游枝晶生长, 使得枝晶一次间距增大, 并且液相对流越强枝晶一次间距越大. 关键词： 定向凝固 胞晶间距 枝晶间距 液相对流     

数字化预案中基于中介逻辑的不确定事件表示

突发公共事件本身的不确定性以及紧急状态下信息采集的时空局限性,要求数字化预案对不确定事件进行有效地表达.基于中介逻辑,研究了不确定事件的有效表示及不确定程度的度量,采用区间代数方法对不确定事件进行了表示,建立了一维和n维情形下不确定事件的不确定程度的度量模型.在此基础上,利用中介逻辑对数字化预案中应急响应规则进行表达,对具体算例进行了分析,初步验证了该模型的有效性.     

表面波等离子体沉积类金刚石膜结构的Raman光谱和XPS分析

本文使用Raman光谱和X 射线光电子能谱 (XPS)的分析方法对表面波等离子体沉积的类金刚石(DLC)薄膜的结构进行了研究。采用 4峰的高斯解谱的方法对不同沉积时间的膜的Raman谱进行处理 ,并由此对膜中sp3键的百分含量PD 进行了定量计算 ;同时还采用 3峰的高斯解谱方法对不同沉积时间的膜的光电子能谱进行处理 ,也对膜中sp3键的百分含量进行了计算。两种方法均得到膜中sp3含量在 2 0 %～ 4 0 %之间 ,且随沉积时间的增加而增加。     

平界面失稳初始扰动波长的选择

采用典型的模型合金丁二腈-0.93%水杨酸苯脂，在精确的实验条件下研究了定向凝固平界面失稳初始扰动波长λ_I的选择．将实验结果与M-S理论及W-L模型分别进行了系统分析和比较．发现：（1）在平界面失稳的临界点附近，λ_I的实验结果并不落在M-S理论所预言的波长范围内，而在明显偏离平界面失稳的条件下，λ_I的实验结果尽管都选择在M-S理论的波长范围内，但比该理论所预言的振幅发展速率最快的波长大数倍，这说明M-S理论未能从根本上解决λ_{I相似文献}