TGS晶体生长多形性和其表面扩散生长机制

选取了TGS晶体的(001),(110),(010)和(100)四个面为研究对象,分析讨论了TGS晶体的表面扩散螺位错生长机制,发现生长基元的脱水化进入表面层过程与表面扩散过程相比,前者在TGS晶体的生长过程中起着更重要的作用;同时,在较高的相对过饱和度下,观察到了TGS自结体的两种简单晶形. 关键词： TGS晶体 生长多形性 表面扩散     

简单反射法测量聚合物薄膜线性电光系数的研究

简单反射法是电光聚合物薄膜研究中测量线性电光系数(Pockels系数)的一种简单而常采用的方法,但文献中关于在调制电场作用下s光和p光光程差和位相差改变的计算有不尽完善之处,线性电光系数的表达结果也不尽相同.在充分考虑各种因素的情况下,对该方法给出了合理的理论处理,得出了简单反射法更为严格的线性电光系数表达式.并测量对比了几种聚合物线性电光系数的结果.讨论了简单反射法测量聚合物薄膜线性电光系数的局限性.     

红外非线性材料ZnGeP2的研究(Ⅰ)——多晶料的合成

本文报告了红外非线性材料ZnGeP2多晶料的合成方法.该法是以元素态的磷、锗,锌为原料,通过直接化合的方法进行合成.合成的多晶料经比重测量和X-射线粉末衍射测试证明与标准值一致.该法为ZnGeP2晶体生长的研究奠定了基础.     

Influence of SiO_3~（2-）Impurity on the Optical Properties of KDP Crystal

In this paper,potassium dihydrogen phosphate(KDP) crystals were grown in the presence of a series of silicate(SiO32-) impurity concentrations via conventional temperature cooling and rapid growth methods,respectively.It revealed that the SiO32-impurity could lead to the decrease of transmittance at the region of ultraviolet band for pyramidal sectors and slightly increased the transmittance for prismatic sectors.SiO32-could enter into the crystal lattice and create lattice defects,which consequently increased the density of light scatter.The decrease of laser damage threshold was attributed to the lattice defects and the redundant electrons brought by the replacement of SiO32-at the PO43-position.     

杂质对KDP晶体光学质量的影响

 研究了几类可能出现在KDP晶体的生长溶液中的有机物杂质和无机阴离子杂质基团对KDP晶体散射、透过率、光损伤阈值等光学质量的影响，结果表明，不同种类的杂质的影响并不相同，造成这一结果的根本原因在于杂质离子的结构及其与晶体表面原子成键能力的不同。     

用第一性原理研究K空位对KDP晶体激光损伤的影响

 用基于密度泛函理论及超软赝势的第一性原理研究了KH­­­₂PO₄(KDP)晶体中K空位的电子结构、形成能及驰豫构型。讨论了K空位形成后电荷密度的重新分布、相应的电子态密度和能带结构等性质。计算得到中性K空位的形成能为6.5 eV, 远小于间隙K原子点缺陷形成能13.07 eV。K空位的存在使晶胞体积增大, 分别沿结晶学轴a方向增大近0.8%, b方向增大近0.87%, c方向增大近1.2%，同时使与之配位的8个氧原子发生较大位移，使这8个氧形成的空腔体积增大近3.2%。空腔体积的增大不仅促进了各种点缺陷的扩散迁移，而且有利于其它杂质原子的填隙。K原子迁移率的增大会引起离子电导率的增大，因而会降低KDP的激光损伤阈值，因此从这个方面讲，K空位的存在是不利的。但是如果能从实验上（如热退火）利用K空位所造成的扩散通道排出或改善缺陷结构，则可提高KDP晶体的光学质量。     

聚合物薄膜中生色团分子间的相互作用对其宏观二阶非线性的影响

制备了3-(1,1-二氰基噻吩)-1-苯-4,5-二羟基-H-噻唑(DCNP)与聚醚醚酮(PEK-c)组成的主客掺杂聚合物薄膜,用Maker条纹法测量了不同掺杂浓度下薄膜的二阶非线性系数χ₃₃⁽²⁾.实验结果表明,聚合物中生色团的含量高到一定程度,其宏观二阶非线性随生色团含量的增加反而下降.本文在考虑聚合物中生色团分子相互作用的情况下,修正了聚合物宏观二阶非线性与生色团的含量之间的关系,此时聚合物宏观二阶非线性与生色团的含量已非简单的正比关系.讨论了生色团分子间 关键词：     

传统法KH2PO4(KDP)晶体生长温场和速度场的数值模拟研究

在不同转速下用传统法生长了KDP晶体,并根据生长槽的实际情况,建立了三维数学模型.利用有限容积法,对晶体生长槽内的速度场和温度场进行了数值模拟,分析了不同晶体转速和晶体生长对速度场和温度场的影响规律.结果表明,随着晶体转速的增大,溶液流速越来越大,晶体生长更快,杂晶减少;较高转速(55 r/min和77r/min)较于较低转速(9.0～40 r/min)更有利于晶体生长.     

Ni2+对KDP晶体生长及缺陷影响的研究

采用传统降温方法生长了不同Ni2+掺杂浓度的KDP晶体.实验发现当Ni2+掺杂浓度小于1000 ppm时溶液的稳定性随着掺杂浓度的增加而提高,大于1000 ppm时溶液的稳定性开始下降,但仍高于纯态溶液的稳定性;随着Ni2+浓度的增加KDP晶体柱面的生长死区增加,柱面的生长速度略有下降,但在生长过程中没有观察到晶体的楔化;KDP晶体的XRD分析及缺陷的研究表明Ni2+对晶体的结构影响不明显,但晶体中的缺陷和内应力增加.