用于晶体生长的氮化铝保温材料的研究

在不添加任何添加剂的情况下,采用氮化铝粉体作高温气相法生长氮化铝晶体的保温材料.实验结果表明:氮化铝保温材料具有耐高温、对钨坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料.与目前常用的石墨保温材料相比较,氮化铝存在热导率相对较高、在高温过程中会少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策,以消除其不利影响.     

用碳化硅合成的金刚石微晶的抗氧化性

用碳化硅加Ni70Mn25Co5合金体系在高温高压下合成出具有完好晶形的金刚石微晶.通过粒度分析和热重量分析对这种晶体的热稳定性进行了评价.作为比较,对工业上用石墨合成的六种不同粒度的金刚石微粉和微晶也作了热重量分析.结果表明,用石墨合成的四种普通金刚石微粉的氧化温度随粒度的减小而明显降低,当粒度为80～100μm到1～2.5μm时,其起始氧化温度为770℃到627℃;两种未经破碎的金刚石微晶的抗氧化性能明显较高,其粒度为20～70μm,起始氧化温度为806℃和819℃.与它们相比,用碳化硅合成出的金刚石晶体的粒度分布在10～50μm范围,而起始氧化温度为838℃,完全氧化温度为1101℃,比用石墨合成的未经破碎的金刚石微晶具有更高的抗氧化性能.本文定性地讨论了用碳化硅合成的金刚石具有高耐热性的原因,认为完好的表面和硅杂质的存在可能对这种晶体热稳定性起了重要作用.     

晶体的生长习性与配位多面体的形态

本文由配位多面体生长习性法则分析了ZnS,锐钛矿和γ-AlO(OH)晶体的生长习性.发现ZnS晶体的各晶面的生长速度为:v(111)＞v(001)=v(010)=v(100)＞v();锐钛矿各晶面的生长速度为:v(010)=v(001)＞v(110)＞v(111);γ-AlO(OH)晶体各晶面的生长速度为:v(100)＞v(001)＞v(101)=v(110)＞v(010).此结果与在水热条件下观察到的生长习性符合得相当好.指出了当晶体结构中配位多面体只有一种方位时,此晶体的生长习性与配位多面体的形状相类似.即配位多面体顶点指向的方向生长速度快;面指向的方向生长速度慢;棱指向的方向生长速度介于两者之间.此外,本文还指出了PBC理论在分析极性晶体的生长习性时存在的缺点.     

蓝宝石衬底的化学机械抛光技术的研究

介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,概述了化学机械抛光原理和设备,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素,阐述了CMP的主要发展趋势:能定量确定最佳CMP工艺,系统地研究CMP工艺过程参数,建立完善的CMP理论模型,满足不同的工艺要求和应用领域,有效降低成本,提高产量.     

铬铁废渣和粉煤灰的用量对陶瓷砖的显微结构和性能的影响

以工业固体废弃物铬铁废渣和粉煤灰为主体原料,研究了在单因素下引入不同含量的铬铁废渣和粉煤灰对制备建筑陶瓷砖的性能和显微结构的影响.通过固相反应制备了晶相为SiO2、3Al2O3· 2SiO2、FeAl2O4、MgAl1.5Cr0.5O4的陶瓷砖.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜以及能谱(EDS)对陶瓷砖进行了表征分析,并考察了在不同含量下的铬铁废渣和粉煤灰的条件下对所制试样的线收缩率、吸水率、体积密度、抗折强度以及显微结构的变化特征.结果表明:当铬铁废渣和粉煤灰引入量都是35 g,西矿陶土40 g,石英4 g时,所制备的建筑陶瓷砖试样的综合性能最优.     

声光晶体溴化铅的生长及性能的研究

采用坩埚下降法沿「００１」方向生长出长度为６０ｍｍ、直径为２５ｍｍ的溴化铅晶体，并对该晶体进行了定向，测定了其光度体方位及其主折射率，测得该晶体的透过率范围复盖自０．３μｍ至２５μｍ的整个区域，其声光优值为５１１。     

具有梯度结构的蛋白石光子晶体的制备

具有梯度结构的蛋白石光子晶体具有独特的光学性能。本文通过垂直沉积法和电场诱导沉积等方法共同作用将具有不同直径的聚苯乙烯(Polystyrene)胶体微球逐层组装在一起,制备出具有梯度周期尺寸变化的蛋白石结构。     

液晶分子预倾角的温度依赖性的研究

液晶分子的预倾角是液晶显示器件的重要参数，本文探讨了温度对平行排列的液晶分子的预倾角的影响，指出了温度的升高，导致液晶分子的预倾角降低，并用分子空间相互作用模型进行了理论分析。     

无序的平行型ECB—LCD的研究

为了改善常规的ECBLCD的显示品质，采用不摩 擦技术制备了无序的平行ECB液晶盒，并研究了盒中液晶的微观织构，分析了它的电光特性和视角特性。无序的平行 ECB液晶盒是多畴的并且 具有不能被人的肉眼所识别的的微观向错的结构，并具有分色性好、视角的整个平面内方位对称等特性。为了克服实际驱动时产生的宏观向错，制备了聚合物稳定 的无序的平行ECB器件，其聚合物形成的网络限定了向错的界限，有效地防止了宏观向错的形成。     

硅纳米线的制备及其光学性能的研究

通过金属催化化学刻蚀的方法中的两步法制备出了具有阵列结构的硅纳米线,研究了不同刻蚀条件对硅纳米线形貌的影响,分析了形成不同形貌的原因.测定了不同条件下制备的硅纳米线的光吸收性能,总结了影响光吸收性能的因素和原因,根据硅纳米线的光吸收图求出了硅纳米线的禁带宽度,说明了硅纳米线已经具备不同于硅片的性能.     

适合生长祖母绿晶体的水热新体系的研究

本文在前人多元矿物相图的基础上,考虑到天然优质祖母绿的赋存状态,分别对碱性和酸性多个水热体系进行了祖母绿晶体的溶解反应实验,通过溶解度大小对比优选出了H2SO4复合体系,在该体系中祖母绿的溶解度较大而且溶解度温度系数成正增长,在该体系中使用温差水热法(合成温度500～600℃,压力152～202.6MPa)合成出了多粒祖母绿晶体.     

晶体对热辐射的吸收对晶体生长的影响

本文综述了晶体对熔体热辐射吸收对晶体生长的影响,包括对热腔热耗散的影响;对晶体生长温度时间特性的影响;对液流形态和固液界面形状的影响;对晶体界面反转的影响;对晶体中温度分布和应力分布的影响.     

四方体MgO的制备及对有机染料的吸附

以六水氯化镁和六次甲基四胺为原料,采用水热法合成四方体MgO,考察其对有机染料甲基橙和亚甲基蓝的吸附行为.通过TGA-DTA、SEM、XRD、N2-sorption和FT-IR等手段表征样品.结果表明,原料浓度、温度和表面活性剂对四方体MgO结构的形成影响较小,而反应时间的延长有助于有序结构的组装.温度170℃、时间24h、MgCl2·6H2O与C6H12N4浓度比为1∶2和表面活性剂PVP是制备四方体MgO的最佳条件.在溶液浓度10mg · L-1的单一吸附实验过程中,四方体MgO对甲基橙和亚甲基蓝的去除率分别为91.3;和22.3;,吸附过程均为单层吸附且符合Langmuir等温吸附模型和伪二级吸附动力学方程.在溶液浓度40 mg·L-1、甲基橙和亚甲基蓝浓度比3∶1的混合溶液吸附过程中,四方体MgO对甲基橙和亚甲基蓝的去除率分别为80.1;和97.9;.     

氮化铝晶须的形态与生长条件的关系

实验以氮化铝粉料为原料,在高纯氮气气氛下用物理气相法在密闭式和半开式钨坩锅内高温生长出氮化铝晶须;并对氮化铝晶须的结晶形态与生长条件的关系进行了分析和探讨。     

基于声光效应的可调谐光子晶体的研究

利用传输矩阵法研究了一维异质双周期光子晶体的光子带隙随超声波变化的特性.首先,光子晶体的介电常数随超声波的传播出现周期性变化;然后,光波入射到此光子晶体时产生声光效应,采用Matlab软件模拟仿真并分析了该结构光子晶体的光子禁带的位置、宽度与超声波强度及频率的关系.结果表明:光子晶体禁带的位置、宽度可以通过控制超声波的强度和频率实现实时调制.这个结果为基于声光效应的可调谐光子晶体器件的研究提供了理论依据.