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11.
在B3LYP/6-311G基组水平下,运用密度泛函理论(DFT)的量子化学方法,对20种重氮乙烷新烟碱类杀虫剂分子的电子结构特征进行了研究,获得了它们的前线轨道能(EHOMO、ENHOMO、ELUMO、ENLUMO等)、原子电荷(Qi)、摩尔熵(Sm)、偶极矩(μ)等量化参数与物理性质。经最佳变量子集回归研究发现,重氮乙烷新烟碱类杀虫剂分子对果蝇n AChRs、哺乳动物α4β2亚型的亲和力常数(p KD、p KA)分别与ELUMO、QW、QF、QN等参数具有良好的线性关系。逐一或逐四剔除交互验证以及VIF、tα/2检验,所建2个QSAR模型具有良好的稳健性及预测能力。根据2个QSAR模型推断了重氮乙烷新烟碱类分子可能的杀虫机理。进一步研究发现,在重氮乙烷新烟碱类分子的吡啶环上的合适部位,选用不含复键的吸电子能力较强的取代基团对其进行结构修饰,有利于提高修饰后分子的生物活性。基于分子17,设计出4种经结构修饰后对果蝇n AChRs亲和力显著提高的重氮乙烷新烟碱类分子(分别是分子27,28,30和31),希望能得到实验的证实。 相似文献
12.
纳米二氧化硅水溶胶成膜特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了纳米SiO2水溶胶的固液二相流成膜特性.结果表明,水溶胶中的Si02固体颗粒的粒径及质量分数对粘度的影响较小,对成膜能力和承载能力的影响较大;在薄膜润滑阶段,固体颗粒的粒径和质量分数对润滑状态的稳定性具有一定的影响,随着速度的增加,液体膜厚度逐渐增大,固体颗粒对液体润滑膜稳定性及性能的影响逐渐减弱;在弹流润滑阶段,固体颗粒的影响很小。 相似文献
13.
14.
本文对InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管开启后的电流噪声进行了测试, 结合低频电流噪声的特点和载流子之间的复合机理, 研究了低频电流噪声功率谱密度与发光二极管发光转变机理之间的关系. 结论表明, 当电流从0.1 mA到10 mA逐渐增大的过程中, InGaN/GaN发光二极管的电流噪声行为从产生-复合噪声逐渐接近于低频1/f噪声, 载流子的复合机理从非辐射复合过渡为电子与空穴之间载流子数的辐射复合, 并具有标准1/f噪声的趋势, 此时多量子阱中的电子和空穴之间的复合趋向于稳定. 本文的结论提供了一种表征InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光机理转变的有效方法, 为进一步研究发光二极管中载流子的复合机理、优化和设计发光二极管、提高其发光量子效率提供理论依据. 相似文献
15.
The radiation and ionization energy loss are presented for single arm Monte Carlo simulation for the GDH sum rule experiment in Hall-A at the Jefferson Lab. Radiation and ionization energy loss are discussed for 12C elastic scattering simulation. The relative momentum ratio Δp/p and 12C elastic cross section are compared without and with radiative energy loss and a reasonable shape is obtained by the simulation. The total energy loss distribution is obtained, showing a Landau shape for 12C elastic scattering. This simulation work will give good support for radiation correction analysis of the GDH sum rule experiment. 相似文献
16.
17.
含纳米粒子溶液对单晶硅表面的冲蚀磨损损伤实验研究 总被引:2,自引:3,他引:2
利用高分辨透射电子显微镜和原子力显微镜观察了含纳米颗粒溶液冲蚀硅片表面损伤行为,考察了纳米颗粒碰撞单晶硅片所导致的微观物理损伤.结果表明:冲蚀30 s后,在高分辨透射电子显微镜下可见硅片表面呈现方向性损伤,并可观察到大量非均匀的晶格缺陷;当冲蚀10 min时,硅片表面出现微观划痕和凹坑,在划痕一端可见原子堆积,亚表面可观察到镶嵌晶粒的非晶损伤层;继续延长冲蚀时间将加剧其表面损伤. 相似文献
18.
19.
利用Mawhin连续性定理,讨论一类分数阶p-Laplacian微分方程积分共振边值问题在无穷区间上解的存在性,并举例说明主要结果. 相似文献
20.
在核四极矩共振(NQR)领域,射频激励脉冲信号的优劣对NQR响应信号有重要影响.针对常规方法中射频激励脉冲参数不可控的问题,本文基于32位闪存微型控制器STM32和直接数字频率合成(DDS)芯片AD9910设计了一种相位可控激励脉冲发生器.采用STM32控制AD9910产生波形参数(脉冲宽度、脉冲间隔、脉冲个数和共振频率等)可控的射频激励脉冲,利用LabVIEW软件平台设计脉冲参数设置界面,并建立计算机与微控制器通信,实现波形参数的精确优化控制.实验结果表明,该方法实现了相位可控的NQR激励脉冲序列,可为后续NQR信号检测提供有效激励源. 相似文献