首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   58篇
  免费   4篇
  国内免费   115篇
化学   165篇
物理学   12篇
  2011年   1篇
  2010年   1篇
  2007年   5篇
  2006年   12篇
  2005年   20篇
  2004年   20篇
  2003年   23篇
  2002年   15篇
  2001年   27篇
  2000年   21篇
  1999年   6篇
  1998年   7篇
  1997年   3篇
  1995年   6篇
  1994年   3篇
  1992年   4篇
  1988年   1篇
  1987年   2篇
排序方式: 共有177条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
高峰  钟顺和 《分子催化》2000,14(5):321-326
合成了PW12、PMo12和NaPMo123种固体表面材料。采用IR、TPR、PTD和激光促进表面反应技术等手段,考察了固体表面材料的表面构造、晶格氧的活泼性和甲烷在固体表面的化学吸附以及部分氧化反应的规律。分别以980和960cm^-1的激光光子激发固体表面的W=O和Mo=O键,甲烷的部分氧化反应在100℃以上和常压下顺利进行。CH4在固体表面的吸附位、固体表面材料的晶格氧活性、激光频率和反应温  相似文献   
12.
CO2和CH3OH直接合成碳酸二甲酯用Cu-Ni/ZrO2-SiO2催化剂   总被引:26,自引:0,他引:26  
 采用表面反应改性法制备了ZrO2-SiO2(ZrSiO)表面复合物,用等体积浸渍法制备了ZrSiO担载的Cu-Ni双金属催化剂,并用IR,TPD,TPSR和微反技术考察了CO2和CH3OH在催化剂表面上的化学吸附及反应性能.实验结果表明:在Cu-Ni/ZrSiO催化剂上存在着Cu-Ni金属位M,Lewis酸位Zrn+和Lewis碱位Zr-O-三类活性中心;CO2在金属位和Lewis酸位的协同作用下可形成CO2卧式吸附态,此吸附态在142℃左右可解离成M-CO和Zr-O-;CH3OH在Lewis酸位和Lewis碱位的协同作用下可形成解离吸附态Zr-OCH3和Zr-OH;CO2和CH3OH在Cu-Ni/ZrSiO催化剂表面上的主要反应产物为碳酸二甲酯(选择性在85%以上),另有少量的CH2O,CO和H2O.  相似文献   
13.
高健  钟顺和 《催化学报》2000,21(4):341-344
用表面反应改性法合成了MoOCl/SiO2催化剂。分析测定结果表明:钼(Ⅴ)离子夺SiO2表面以双齿配位形式与表面氧刍合;双核钼(Ⅴ)间以u-双氯基桥联。用IR,TPD,TPSR-MS和TPSR-IR研究了MoOCl/SiO2催化剂对CO2与EO(环氧乙烷)的化学吸附特性及催化合成EC(碳酸乙烯酯)的反应性能。结果表明:CO2在催化剂表面形成桥式吸附态,桥基配体是表面反应的活性中心;EO在催化剂表  相似文献   
14.
复合半导体负载金属材料光催化性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
梅长松  钟顺和 《无机化学学报》2005,21(12):1809-1814
CO2和烃类光催化直接合成烃类氧化物在合成化学、碳资源利用和环境保护等方面均有重大意义。用溶胶-凝胶和浸渍-还原相结合的方法制得M/V2O5-TiO2(M=Pd、Cu、Ni和Ag)光催化剂。利用XRD、TPR、IR、TPD、UV-Vis DRS和光反应器等技术研究了负载金属复合半导体的物相结构、吸附性能、光吸收性能和光催化反应性能。结果表明:金属负载在复合半导体上延迟了TiO2由锐钛矿向金红石相的转化,增强了V与载体TiO2的相互作用,使TiO2光吸收限发生蓝移,对可见光部分的吸收明显增加,拓宽了催化剂的光响应范围;材料吸光性能强弱顺序Pd/V2O5-TiO2 >Cu/V2O5-TiO2 >Ag/V2O5-TiO2>Ni/V2O5-TiO2;材料的吸附性能及反应物的吸附态是反应发生的关键,CO2在Ag/V2O5-TiO2表面无法形成卧式吸附态,没有目的产物甲基丙烯酸(MAA)生成,光量子效率低;光吸收性能较好的Pd/V2O5-TiO2对CO2吸附能力过强,卧式吸附态脱附温度高,光催化效率不高;Cu/V2O5-TiO2对CO2吸附能力适中,CO2与C3H6脱附温度较接近,实现了“光-表面-热”的协同作用,光量子效率最高,达15.1%。  相似文献   
15.
MoO3—SiO2表面复合物金属催化剂载体的制备与表征   总被引:4,自引:0,他引:4  
邵宇  钟顺和 《分子催化》1997,11(5):342-348
采用MoOCl4的盐酸溶液负载于SiO2的表面反应法,制备了负载型和键联型两种MoO3-SiO2(MoSO)表面复合物载体。利用红外光谱法研究了MoSO的表面构造及其化学吸附性能;并利用TPR技术考察了该表面复合物载体对负载金属Pd,Cu氧化物还原过程的影响。  相似文献   
16.
CO2部分氧化乙烷制乙烯Pd—Cu/MoO3—SiO2催化剂的研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
李青  钟顺和 《应用化学》1998,15(6):49-52
用化学吸附-红外光谱、化学吸附-程序升温脱附(TPD)和微型反应技术研究了Pd-Cu/MoO3-SiO2(MoSO)催化剂对CO2和乙烷的吸附活化和部分氧化反应性能.结果表明,乙烷以C—H键中的H吸附于MoSO载体表面MoO键的端基氧上;Pd-Cu/MoSO催化剂对CO2有良好的化学吸附活化性能,CO2的吸附除有线式吸附态和剪式吸附态外,还有一种新的卧式吸附态;Pd-Cu/MoSO催化剂的晶格氧参与了化学反应.探讨了在Pd-Cu/MoSO催化剂上CO2的部分氧化乙烷反应机理  相似文献   
17.
负载型TiO2-聚酰亚胺亲水复合膜的制备与分离性能   总被引:4,自引:1,他引:4  
王建伟  钟顺和 《催化学报》1997,18(4):306-309
采用溶解-流涎法,湿相转换法和干湿相转换法制轩了负载型TiO2-聚酰亚胺亲水复合膜,采用扫描电镜,红外光谱,压汞和透气性实验等手段对该膜的孔径分布,表面结构及扩散性能进行了表征,并讨论了制备亲水对膜孔结构的影响,实验结果表明,三种膜均具有很好的亲水性能,而干湿相转换膜具有良好的孔径分布和分离性能。  相似文献   
18.
用溶胶-凝胶和浸渍-还原相结合的方法制得M/MoO3-TiO2 (M=Pd, Cu, Ni和Ag)光催化剂。利用X-射线衍射(XRD)、程序升温还原(TPR)、红外光谱(IR)、程序升温脱附(TPD)、紫外-可见漫反射光谱(UV-VisDRS)和光反应等技术,研究了负载金属复合半导体的物相结构、吸附性能、吸光性能和光催化反应性能。结果表明,金属M(M=Pd, Cu)负载在复合半导体上,延迟了TiO2由锐钛矿向金红石相的转化,增强了Mo与载体TiO2的相互作用,促进Mo物种由四面体配位向八面体配位转化,使TiO2光吸收限发生蓝移,对可见光部分的吸收明显增加,拓宽了催化剂的光响应范围;固体材料吸光性能强弱顺序Pd/MoO3-TiO2 >Cu/MoO3-TiO2>Ag/MoO3-TiO2>Ni/MoO3-TiO2;Pd对CO2吸附能力过强,卧式吸附态脱附温度高,光催化效率不高;金属Cu对CO2吸附能力适中,CO2与C3H6脱附温度较接近,实现了光-表面-热的协同作用,光量子效率最高。  相似文献   
19.
Ti2(OMe)4/SiO2催化剂的制备及其合成碳酸二甲酯的反应性能   总被引:4,自引:2,他引:4  
采用表面改性和离子交换法制备了SiO2负载的Ti2(OMe)4双核桥联配合物催化剂,用IR、TPD和微反技术考察了催化剂的表面构造及CO2和CH3OH在催化剂表面上的化学吸附和反应性能。结果表明:双核桥联配合物Ti2(OMe)4以Ti-O-Si键锚定在SiO2表面上;CO2在催化剂表面存在桥式和甲氧碳酸酯基两种吸附态,其中甲氧碳酸酯基吸附态是生成DMC的关键物种;CH3OH在催化剂上只有一种分子吸附态。在150℃以下,CO2和CH3OH在Ti2(OMe)4/SiO2催化剂表面上高选择地生成碳酸二甲酯。  相似文献   
20.
CO2氧化异丁烷制异丁烯用Pd/V2O5-SiO2催化剂   总被引:4,自引:0,他引:4  
王茂功  钟顺和 《催化学报》2007,28(2):124-130
 利用表面化学反应改性法制备了不同V2O5负载量的V2O5-SiO2表面复合物载体,进而采用等体积浸渍法制备了负载型Pd催化剂. 用N2吸附、 X射线衍射、透射电镜、 X射线光电子能谱、程序升温脱附、化学吸附-红外光谱和微反技术对系列Pd/V2O5-SiO2催化剂的比表面积、晶相结构、价态、异丁烷的化学吸附性能和CO2部分氧化异丁烷制异丁烯的催化性能进行了研究. 结果表明, Pd/V2O5-SiO2催化剂中的钒以V5+形式存在, V5+在催化剂表面形成活性位V=O, 其中 V=O 晶格氧与 i-C4H10分子的-CH3 和-CH 中的H产生化学吸附作用; 催化剂中金属Pd与V4+协同作用使CO2在催化剂上产生了卧式吸附态; 晶格氧参加了催化氧化反应,催化剂中 V5+←→V4+ 的变化构成了催化反应的氧化还原过程. 在525 ℃, CO2/i-C4H10体积比为1和空速为 1200 h-1的条件下,以Pd/25%V2O5-SiO2为催化剂时异丁烷转化率为22.8%, 异丁烯选择性为89.1%.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号