CONTINUOUS-WAVE LASER OSCILLATION OF Yb:FAP CRYSTALS AT A WAVELENGTH OF 1043nm

A continuous-wave laser oscillation was demonstrated with a Yb-doped fluorapatite (FAP) crystal pumped with a 905 nm Ti:sapphire laser. The output characteristics for different output couplers were investigated. A maximum power of 67mW at a 1043nm wavelength was obtained with 10% output coupler, pumped by a Ti:sapphire laser with 910mW power. This corresponds to a slope efficiency of 26.5%.     

(Yb3+,Nd3+):Ca3(VO4)2晶体的电荷补偿与分凝系数的关系

讨论了Ca3(VO4)2晶体中由于三价的Yb3+离子和Nd3+离子代替二价的Ca2+离子带来的电价不平衡问题,采用了3种电价补偿方法,即阳离子空位电价平衡方法、四价阳离子替代五价V5+离子补偿电价方法和直接填充法.采用ICP-AES法测量了不同电荷平衡方式下的各离子浓度,估算了3种电荷平衡方式下的有效分凝系数:空位方式Nd3+的分凝系数为1.20在添加方式下的分凝系数为0.92;Yb3+分凝系数在空位方式下为1.04在四价阳离子补偿方式下为1.02.     

杯芳烃银离子敏感场效应晶体管传感器

报道了硫醚取代的杯「４」芳烃化合物的合成,以此化合物为敏感材料,研制了聚氯乙烯膜的银离子敏感场效应晶体管传感器。Ａｇ＾＋－ＩＳＦＥＴ传感器对银离子表现出了优良的能斯特呼应,响应斜率为５８ｍＶ／ｐＡｇ,同时该传感器对碱金属、碱土金属及过渡金属离子有极高的选择性,在１０＾－２－１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内有良好的线性关系,检测限为１０＾－５．４ｍｏｌ／Ｌ。     

不同Yb掺质浓度的Yb:Y3Al5O12晶体激光性能的比较

采用提拉法生长了Yb3+掺质浓度为5;原子分数、 50;原子分数和100;原子分数的Yb:Y3Al5O12(Yb: YAG)晶体,系统地分析了不同Yb3+掺质浓度晶体的吸收光谱和荧光光谱.从吸收峰和吸收系数可以看出采用940nm LD泵浦三种不同浓度的Yb:YAG晶体都比较合适.随着Yb3+离子掺质浓度的增高,晶体中出现的自吸收现象越为明显.通过对三种不同Yb掺质浓度晶体激光性能参数的计算,得出高掺质浓度Yb:YAG和YbAG晶体是有前景的激光增益介质.     

芪3在铅-锡-氟磷酸盐玻璃中的聚集及光谱特性

采用低温熔融法制备了有机染料芪3掺杂的不同浓度的铅-锡-氟磷酸盐玻璃,通过对掺杂玻璃激发光谱、发射光谱和吸收光谱的测试,研究了芪3在无机玻璃中的聚集状态和光谱性能。 结果表明,有机染料芪3以单体和二聚物的形式共存于无机玻璃中,和芪3单体分子的激发峰相比,二聚物的激发峰位于短波段,随掺杂浓度的增加,掺杂玻璃的发射峰发生红移,同时在荧光光谱中观察到浓度猝灭现象;芪3分子与无机玻璃通过亲水作用发生了键合,从而导致芪3在无机玻璃中的吸收光谱和发射光谱比在乙醇溶液中出现较大红移;与芪3在乙醇溶液中的荧光强度相比,芪3分子受无机玻璃的“笼”化作用有效的提高了其荧光强度。     

掺镱氟磷酸钙晶体实现激光连续运转

掺镱类激光晶体由于具有大的受激发射截面和长的上能级寿命 ,近年来被人们普遍看好为未来激光惯性约束核聚变研究所需要的首选激光材料。掺镱的氟磷酸钙 [Yb:Ca5( PO4) 3F,简称 Yb:FAP]晶体的发射截面为 5 .9× 1 0 - 2 0 cm2 ,上能级寿命为 1 .0 8ms,因此特别适合作高能量激光增益介质。最近我们采用中国科学院上海光学精密机械研究所新生长的高质量Yb:FAP晶体 ,首次在国内实现了连续激光输出。实验中采用的晶体尺寸为 5 mm× 5 mm×1 0 mm,Yb离子的实际掺杂的原子数分数为 1 .3%。考虑到 Yb:FAP晶体的吸收特性和发射特性 ,我们在…     

Cr^4＋，Nd3＋共掺的钆镓石榴石（Cr，Nd：GGG）的光谱性能与光谱参数的研究

用提拉法生长了掺铬、钕的钆镓石榴石(Cr^4 ，Nd^3 :GGG)晶体，研究了室温下的吸收光谱和荧光光谱性质，以及晶体中Cr离子浓度对Nd离子光谱性质的影响。应用Judd—ofelt理论计算了强度参数Ωt(t=2，4，6)，自发辐射跃迁几率、荧光分支比和辐射辱命等光谱参数。应用McCumber理论计算^4F3/2→^4I11/2能级跃迁的受激发射截面。结果表明：Cr^3 在300～900nm之间较强地增加了吸收截面，尤其是伴随Cr^3 →Nd^3 有效的能量转移。Cr^4 在1．06μm附近的吸收减弱了Nd离子的发射截面。     

提拉法与温梯法Yb∶YAG晶体性能的比较

采用提拉法和温梯法生长出掺杂浓度为 5 %原子分数的Yb∶YAG激光晶体 ,比较了两种不同生长方式的晶体在晶胞参数、Yb离子纵向分布以及吸收光谱上的差异 ,发现温梯法生长对晶体晶胞结构影响较少 ,但是Yb离子纵向分布相差较大。指出提拉法生长的晶体在 2 5 6nm处的弱吸收是由于Fe3 + 引起的。     

Diode-Pumped Passively Q-Switched Yb：YAG Microchip Laser with a GaAs as Saturable Absorber

A passively Q-switched Yb: YAG microchip laser has been constructed by using a doped GaAs as the saturable absorber as well as the output coupler. At 13.5 W of pump power the device produces high-quality 3.4μJ 52ns pulses at 1030nm with a pulse repetition rate of 7.8 kHz in a TEM00-mode.     

掺镱氟磷酸锶钙激光晶体实现1.04 μm激光输出

以 Yb3 为激活离子的激光晶体由于能级分裂较小 ,在抽运和激光光子之间量子缺陷很小 ,理论量子效率可以达到 90 %以上。另外 ,这种激光晶体具有比以 Nd3 为激活离子的激光晶体大几倍的储能能力 ,这意味着达到同样的能量输出所需要的激光二极管阵列的数目为后者的几分之一。这对于以激光介质为中心的激光受控核聚变这种耗资巨大的工程来讲具有很重要的意义。在所有的 Yb3 激光晶体中 ,以掺镱的氟磷酸钙 [Yb :Ca5( PO4) 3F,简称Yb:FAP]晶体的综合性能最为引入注目 ,美国利弗莫尔国家实验室正在进行这方面的研究 ,我们在进行进一步筛选晶…