Improved charge trapping flash device with Al2O3/HfSiO stack as blocking layer

In this paper, we investigate an Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer of a metal-oxide-nitride-oxide-silicon-type (MONOS) memory capacitor. Compared with a memory capacitor with a single HfSiO layer as the blocking layer or an Al₂O₃/HfO₂ stack as the blocking layer, the sample with the Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer shows high program/erase (P/E) speed and good data retention characteristics. These improved performances can be explained by energy band engineering. The experimental results demonstrate that the memory device with an Al₂O₃/HfSiO stack as the blocking layer has great potential for further high-performance nonvolatile memory applications.     

第一性原理研究In,N共掺杂SnO2材料的光电性质

采用全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)的方法,基于密度泛函理论第一性原理结合广义梯度近似(GGA),运用Wien2k软件计算了In, N两种元素共掺杂SnO₂材料的电子态密度和光学性质. 研究表明,共掺杂结构在自旋向下和向上两方向上都出现细的局域能级,两者态密度分布不对称;带隙内自旋向下方向上产生局域能级,共掺化合物表现出半金属性;能带结构显示两种共掺杂化合物仍为直接禁带半导体,价带顶随着N浓度的增加发生向低能方向移动,带隙明显增宽;共掺下的介电函数虚部主介电峰只在8.58 eV 关键词： 电子结构 态密度 能带结构 光学性质     

第一性原理研究Fe掺杂SnO2材料的光电性质

采用基于第一性原理的线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,研究Fe掺杂SnO₂材料电子结构和光学性质,包括电子态密度、能带结构、介电函数和其他一些光学图谱. 研究结果表明,掺Fe后材料均属于直接跃迁半导体,且呈现半金属性;随掺杂浓度增加,费米能级进入价带,带隙逐渐减小,Fe原子之间耦合作用增强;通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质,使其具有金属键性质. 光学谱线(吸收谱、消光系数等)与介电函数虚部谱线相对应,均发生蓝移,各峰值与电子跃迁吸收有关,从理论上指出光学性质和电子结构的内在联系. 关键词： 能带结构 态密度 光学性质 介电函数     

石墨烯能带结构的紧束缚近似计算

固体能带理论是固体物理学的一个重要理论基础,被广泛应用于材料电学性质的研究。为结合科学前沿教学,以当前热门材料石墨烯为例,介绍紧束缚近似法在石墨烯能带结构计算上的详细过程,并借助Matlab软件展示了其能带结构,进而从理论上解释石墨烯所具有的独特电学性质。     

贵金属（Cu、Ag、Au）掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的总体能量平面波超软赝势方法,对贵金属（Cu、Ag、Au）掺杂ZnO进行了几何结构优化,并计算了相应的能带结构、受主能级、形成能、电子态密度和光学性质. 结果表明：贵金属掺杂后带隙增加且体系费米能级附近电子态密度主要来源于Cu3d、Ag4d和Au5d态电子的贡献. 与未掺杂ZnO相比,介电函数虚部、反射峰强度和吸收系数在可见光和紫外区域增强. 能量损失谱计算表明,贵金属（Cu、Ag、Au）掺杂后ZnO的等离子体共振频率峰发生蓝移.     

Graphene译名的一孔之见

乞借贵刊一角,以对石墨烯、富勒烯的译名提出异意,愿与物理学界、化学界、材料科学界学者们切磋之． Graphene名词因发明者A．Geim和K．Novoselov获2010年诺贝尔物理奖而享誉环球．从物理学观点来看,它仅仅是单层或少层石墨片,或者可表述为纯碳原子所构成的石墨单层结构的二维薄膜．它具有特殊的无能隙能带结构,     

高温超导体角分辨光电子能谱研究及新进展

本文较详细地评述了高温超导体角分辨光电子能谱研究的所有主要方面的成就及最新进展。所涉及的主题有:角分辨光电子能谱基础知识,费米面的角分辨光电子能谱研究,超导能隙及对称性研究,赝能隙问题的角分辨光电子能谱研究,高温超导体的角分辨光电子能谱谱线形分析,近节点区域准粒子的色散行为,双层能带劈裂。所涉及的材料不仅有最广泛研究的Bi2212,还包括Bi2201,Bi2223,La＿214,Y 123乃至电子型掺杂的超导体。所引用的文献特别注意了从新一代高能量、动量分辨的能量分析器得到的系统、深入的工作。     

B和N原子掺杂超长(3,3)单壁碳纳米管的从头算研究

用从头算的周期边界条件方法,建立了(3,3)型超长单壁碳纳米管的新模型.使用B3LYP/3-21G方法计算了B和N掺杂纳米管的结构参数、掺杂能量、能带结构以及能隙.研究表明,B和N原子掺杂的(3,3)型单壁碳纳米管具有直接带隙半导体特征,其α轨道计算所得能隙值分别为1.797和2.041 eV.     

O掺杂MgF2电子结构和光学性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了O原子不同比例(12.5％,8.33％和6.25％)掺杂MgF2晶体的几何结构、电子结构和光学性质.通过对比发现,由于O原子的掺入,体系的禁带宽度减小,材料呈现半金属性.计算也表明,O掺杂对静态介电常数和光吸收系数有重要调制作用,同时也给出了体系性质变化的...     

Synthesis,Crystal Structure and Band Structure of Tb3Co4Sn（13）

A new intermetallic compound,Tb3Co4Sn13,has been synthesized by solid-state reaction of the corresponding pure elements in a welded tantalum tube at high temperature.Its crystal structure was established by single-crystal X-ray diffraction.Tb3Co4Sn13 crystallizes in cubic,space group Pm3n(No.223) with a = 9.5072(2) ,V = 859.33(3) 3,Z = 2,Mr = 2255.45,Dc = 8.717 g/cm3,μ = 34.369 mm-1,F(000) = 1906,and the final R = 0.0140 and wR = 0.0312 for 199 observed reflections with I > 2σ(I).The structure of Tb3Co4Sn13 belongs to the Yb3Rh4Sn13 type.It is isostructural with RE3Co4Sn13(RE = La,Ce),featuring a 3D [Co4Sn12] framework based on [CoSn6] trigonal prisms.The [CoSn6] trigonal prisms are interconnected via corner-sharing and Sn-Sn bonds to form a 3D [Co4Sn12] framework.The other Sn and Tb atoms are located in the spacers of the 3D framework.Band structure calculations indicate that Tb3Co4Sn13 is metallic.