微电子,光电子高技术的发展源于固体能带的基础性研究

文章简要地介绍了当今信息高科技领域中半导体微电子、光电子技术的发展现状，阐明其得以发展的物理基础是本世纪初叶提出的量子力学概念以及随后建立的固体能带论．文章还探讨了其今后进一步发展的前景．     

晶体中电子的有效质量与能带曲率的关系

通过晶体电子有效质量和曲线曲率的定义，说明晶体电子的有效质量与能带曲率的大小一般没有什么联系，只有在能带极值处才有电子有效质量的大小反比于带曲率的比例关系。     

β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.     

超微半导体AgBr的量子尺寸效应

本文研究了间接带半导体ＡｇＢｒ由于空间尺寸的限制产生的吸收，荧光兰移，激子振子强度增强的量子尺寸效应，观察到旋－轨道分裂带至导带的２８４ｎｍ吸收峰，经硫处理的Ａｇｂｒ直接激子吸收峰从３１０ｎｍ移至３０１ｎｍ。相应的荧光从３４０ｎｍ移至３２４ｎｍ，同时在８５０ｎｍ处产生了一新的荧光带。     

高取向顺式聚乙炔导电性能的各向异性

用ＥＨＭＯ／ＣＯ方法计算了高取向顺式聚乙炔及其碘掺杂物的二维能带结构，并据此讨论了它们导电性能的各向异性问题，结果表明平行于分子链方向的导电率与垂直于该方向的电导率之比（σ‖／σ⊥）取决于这两个方向上的价带宽和导带宽。碘掺杂后σ‖／σ⊥下降的原因是链间耦合增加。碘掺杂后的顺式聚乙炔是一个链间相互作用微弱的的二维或三维体系。计算结果与实验较好地吻合。     

半导体异质结界面能带排列的实验研究

本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。     

β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构

采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)从头计算方法,研究了β-C₃N₄,β-Si₃N₄和β-Ge₃N₄的能带结构,得到了它们的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279eV。对于β-C₃N₄,由于N的部分2p电子占据了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si₃N_{4关键词：}     

布里渊区内能带E(k)=E(-k)的对称性

说明了布里渊区内能带Ｅ（ｋ）＝Ｅ（－ｋ）的对称性是时间反演对称性的结果，而与晶体的空间对称性无关．并且证明了当晶体具有中心反演对称性时，布里渊区内能带是二重简并的．     

单壁碳纳米管中的电子波函数

金属能带理论告诉我们 ,如果金属材料具有完善的周期结构 ,并排除了任何化学无序 ,那么电子在其中的传播将不受散射 .而实际上 ,金属不可能达到上述理想状态 ,即使在亚微米尺度上 ,人们也难于观察到无散射的电子弹道输运 .理论曾经预言 ,在长度微米量级的金属性单壁碳纳米管 (ＳＷＮＴ)中 ,电子能态具有区别于大块金属的某些特征 .于是 ,连接两个电极的ＳＷＮＴ ,就像是一根柔性的电子波导 ,允许不同波长的电子波在其中相干叠加 ,并以弹道的方式传播 .随着传统电子器件尺寸的日益减小 ,传输电流与导线中原子间的相互作用不能再被忽略 ,这一…     

线性电压扫描下1VIIS器件瞬态的简单模型

本文用准平衡模型分析讨论了线性电压扫描下MIS器件的I/V瞬态.文中除了给出一般的处理方法以外，还给出了几种不同电压扫描率下I/Y特性的计算结果，并与已往的模型作了比较.