全文获取类型
收费全文 | 164篇 |
免费 | 41篇 |
国内免费 | 50篇 |
专业分类
化学 | 114篇 |
晶体学 | 2篇 |
力学 | 15篇 |
综合类 | 2篇 |
数学 | 58篇 |
物理学 | 64篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 9篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 12篇 |
2018年 | 14篇 |
2017年 | 8篇 |
2016年 | 8篇 |
2015年 | 10篇 |
2014年 | 11篇 |
2013年 | 18篇 |
2012年 | 13篇 |
2011年 | 7篇 |
2010年 | 7篇 |
2009年 | 10篇 |
2008年 | 3篇 |
2007年 | 9篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 8篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 4篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 8篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 6篇 |
1990年 | 10篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 6篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
1964年 | 1篇 |
排序方式: 共有255条查询结果,搜索用时 15 毫秒
12.
研究了线极化波在拓扑绝缘体和手征介质分界面上全反射时的Goos-Hnchen(GH)侧向位移和Imbert-Fedorov(IF)横向位移特性.使用修正的能流法推导出各位移表达式,数值计算分析了入射角、拓扑磁电耦合效应、手征性等对位移的影响.结果表明,当TE波入射时,拓扑绝缘体的磁电耦合效应或手征介质的手征性对两种位移的影响较为一致,即拓扑磁电耦合对GH和IF位移均为抑制,手征性对位移基本为单调增强或单调抑制.而TM波入射时,拓扑磁电极化率会使位移先增大后减小,位移存在一个极值,手征参数的增大使该极值向拓扑磁电极化率较小值方向移动;手征参数对位移的影响虽基本上是单调性的,但在某些情况中较为特殊,如右旋圆极化波的GH位移在拓扑磁电极化率对位移增强阶段,手征性也将增强位移,而在拓扑磁电极化率对位移抑制阶段,手征性也同时抑制位移.对拓扑绝缘体和手征介质界面GH和IF位移的研究,为测量拓扑磁电耦合特性及手征电磁交叉极化性质提供了一种光学方法. 相似文献
13.
设计了基于Nd∶YVO_4/Nd∶GdVO_4组合晶体的双波长激光器,研究了双波长激光器的热效应以及双波长信号的频率差调谐特性.实验中固定抽运功率,调节组合晶体的温控温度从5℃上升到40℃,测得双波长信号的频率差从351.11GHz下降到316.14GHz,频率差与温控温度呈负线性关系,斜率为-0.95GHz/℃.对于实验结果,从掺钕晶体发射谱的温度漂移特性角度进行了分析,发现激光波长漂移由晶体发射谱随温度的漂移引起,双波长信号的频率差变化则由不同晶体的温度漂移速率不同引起;分析结果与双波长激光器频率差实验结果符合较好. 相似文献
14.
Improved performance of organic light-emitting diodes with dual electron transporting layers 下载免费PDF全文
In this study the performance of organic light-emitting diodes(OLEDs) are enhanced significantly,which is based on dual electron transporting layers(Bphen/CuPc).By adjusting the thicknesses of Bphen and CuPc,the maximal luminescence,the maximal current efficiency,and the maximal power efficiency of the device reach 17570 cd/m2 at 11 V,and 5.39 cd/A and 3.39 lm/W at 3.37 mA/cm2 respectively,which are enhanced approximately by 33.4%,39.3%,and 68.9%,respectively,compared with those of the device using Bphen only for an electron transporting layer.These results may provide some valuable references for improving the electron injection and the transportation of OLED. 相似文献
15.
16.
17.
研制具有极限力学性能的金属材料一直是材料研究人员的梦想.超高强块体非晶合金是一类具有极高断裂强度(4 GPa)、高热稳定性(玻璃化转变温度通常高于800 K)和高硬度(通常高于12 GPa)的新型先进金属材料,其代表合金材料Co-Ta-B的断裂强度可达6 GPa,为目前公开报道的块体金属材料的强度记录值.本文系统地综述了该类超高强度块体非晶合金的组分、热学性能、弹性模量及力学性能,阐述了该类材料的研发历程;以弹性模量为联系桥梁,阐明了该类超高强块体非晶合金材料各物理性能的关联性,并揭示了其高强度、高硬度的价键本质.相关内容对于材料工作者了解该类超高强度金属材料的性能和特点,并推进该类材料在航空航天先进制造、超持久部件、机械加工等领域的实际应用有着重要意义. 相似文献
18.
19.
20.
本文利用相干态的性质把相互作用表象中演化算符所满足的方程化为相干态对应c数方程,并用正规乘积内积分法求出了平方型含时外源和线性含时外源共存时的谐振子Feynman转换矩阵元的一般形式。 相似文献