海蜇中微量汞的微波消解-原子荧光光谱法测定

以冷冻干燥和微波消解相结合的方式处理样品 ,采用冷原子荧光光谱法测定了新鲜海蜇和腌制海蜇不同部位的汞含量。通过试验 ,确定了最佳的样品处理条件和仪器的工作条件。方法简便、快速、准确。检出限为0.015ng·mL -1 ,RSD(n=5)为2.3%～4.2 %,回收率为95%～104%。     

强激光场中模型氢原子的势函数对产生高次谐波强度的影响

在保证一维模型氢原子基态能量不变的前提下,通过构造一个可调参数的势函数,研究了在单个周期和多个周期激光作用下,取不同参数势函数一维模型氢原子产生的高次谐波谱规律.结果表明,在过垒电离区域,一维模型氢原子的高次谐波强度与势函数势阱的深度有关,与势函数是否存在库仑奇点没有直接关系. 关键词： 强激光场 一维模型氢原子 势函数 高次谐波     

利用两色组合激光场驱动氦原子产生单个阿秒脉冲

对由波长为1600 nm和800 nm两色激光形成组合场驱动氦原子产生的高次谐波进行了研究,通过改变组合场中主要发射高次谐波期间电场的上升沿和下降沿随时间不同的变化率,使电子长路经和短路径发射谐波的特性发生变化,将由此产生的高次谐波进行叠加时可以得到更短的阿秒脉冲,再调节两束激光场的延迟时间,能够有效地实现抑制电子短路径的贡献,从而得到脉宽为33.7 as的单个阿秒脉冲.     

随机湍流工况低雷诺数风力机翼型优化研究

为改善小型风力机随机湍流工况适应性,以NACA0012翼型为研究对象,采用非嵌入式概率配置点法,获得随机湍流工况下小型风力机叶片翼型运行攻角分布规律;在气动优化中耦合层流分离预测,基于Transition SST模型、拉丁超立方试验设计、Kriging模型和带精英策略非支配排序遗传算法NSGA-II进行高湍流低雷诺数风力机翼型气动优化。结果表明,优化翼型叶片平均风能捕获效率分别提高3.01%和4.76%,标准差分别降低4.76%和14.93%,优化翼型湍流适应性增强。该方法将翼型设计与湍流风况相匹配,为湍流工况低雷诺数翼型及小型风力机设计提供参考。     

一类时滞三阶微分方程概周期解的存在性

运用二分性及压缩映射原理,研究一类时滞三阶微分方程概周期解的存在性,得到此类微分方程的概周期解存在的充分性定理．     

强激光场中模型氢原子和真实氢原子产生高次谐波的比较

通过数值求解原子在强激光场中的含时薛定谔方程,研究了有库仑奇点和无库仑奇点的一维模型氢原子和三维真实氢原子产生高次谐波的特性.结果表明,有库仑奇点和无库仑奇点的一维模型氢原子和三维真实氢原子产生高次谐波的截止位置相同,但是高次谐波强度变化特征明显不同,进一步的研究表明,无库仑奇点的模型氢原子产生的高次谐波谱相对变化趋势与三维真实氢原子的高次谐波谱变化趋势是完全一致的.     

原子在两色组合激光场中产生的单个阿秒脉冲

利用分裂算符法求解含时薛定谔方程,对一维氦原子处于红外场（IR）与紫外场（UV）组合的两色激光场中产生的高次谐波进行研究,分析了由高次谐波产生的阿秒脉冲的特征. 发现在组合场中可以通过增加红外场的强度,来缩短阿秒脉冲的宽度,通过调节组合场中两束激光的时间延迟,提高一个电子轨道对谐波的贡献,而抑制另一个电子轨道的贡献,从而得到低于100 as的单个脉冲. 关键词： 强激光场 组合场 高次谐波 阿秒脉冲     

基于LabVIEW的252Cf中子源频谱分析

 从²⁵²Cf中子源频谱测量系统的基本原理出发,针对中子脉冲序列本身“0,1”数据结构的特点,设计了自、互相关快速算法。采用LabVIEW多核处理器、多线程编程技术构建了基于LabVIEW的²⁵²Cf中子源频谱分析系统,不仅获得了自、互相关的快速计算结果,而且获得了自、互功率谱及谱密度比。研究结果表明：基于LabVIEW分析工具,既提升了自、互相关算法代码25%~35%的执行效率,又验证了LabVIEW用于进行频谱系统分析的可行性。     

新型超导体MgB2的热电势和电阻率研究

测量了MgB₂的热电势和电阻率与温度的依赖关系.在100K—300K区间,热电势呈近似线性温度依赖关系,其斜率为正,表明载流子为空穴型且与能带贡献的图像相一致.与此对应,在此温区电阻率呈T²依赖关系.在100K以下,热电势和电阻率各自转变了其高温区的温度依赖关系.热电势在超导转变温度T_c(零电阻366K)到100K间有一宽峰,具有声子曳引峰的特征,表明电子-声子相互作用很强.估算了一些重要的参数,如带米能E_F、能带宽度 关键词： 新型超导体 热电势 电阻率     

A low specific on-resistance SOI LDMOS with a novel junction field plate

A low specific on-resistance SO1 LDMOS with a novel junction field plate （JFP） is proposed and investigated theo- retically. The most significant feature of the JFP LDMOS is a PP-N junction field plate instead of a metal field plate. The unique structure not only yields charge compensation between the JFP and the drift region, but also modulates the surface electric field. In addition, a trench gate extends to the buffed oxide layer （BOX） and thus widens the vertical conduction area. As a result, the breakdown voltage （BV） is improved and the specific on-resistance （Ron,sp） is decreased significantly. It is demonstrated that the BV of 306 V and the Ron,sp of 7.43 mΩ.cm2 are obtained for the JFP LDMOS. Compared with those of the conventional LDMOS with the same dimensional parameters, the BV is improved by 34.8%, and the Ron,sp is decreased by 56.6% simultaneously. The proposed JFP LDMOS exhibits significant superiority in terms of the trade-off between BV and Ron,sp. The novel JFP technique offers an alternative technique to achieve high blocking voltage and large current capacity for power devices.