类氢He+、Li2+离子的电子碰撞强度的R矩阵计算

利用R矩阵方法计算了电子与He+离子碰撞的1s-2s和1s-2p跃迁的碰撞强度,结果表明包括10个靶态的计算可以得到精确的类氢离子的n=1→n=2各能级跃迁的碰撞强度,并首次利用R矩阵方法计算了电子与Li2+离子碰撞的1s-2s和1s-2p跃迁的碰撞强度.     

电子型超导体Sm2-xCexCuO4(0.00≤x≤0.21)的异常热电势与电阻率

测量了Sm2-xCexCuO4(0.00≤x≤0.21)多晶样品的热电势S和电阻率ρ的温度依赖关系.在缘绝体-金属转变边界处,观测到热电势从绝缘体区明显的弱温度依赖关系到金属区线性温度依赖关系的转变.当Ce的含量由0.09增加到0.21时,高温下S的斜率发生由负到正的转变,这是能带的填充能级发生改变时电子型和空穴型载流子的贡献发生竞争的表现,由电子型向空穴型的过渡发生在x＝0.17处.S和ρ在200K以下的斜率变化是载流子局域化造成的.x＝0.06-0.21的样品在50K处观察到一个正的曳引峰.室温下的热电势S300K和S0(高温区热电势线性外推到0K的值)与Ce含量在绝缘体、欠掺杂和过掺杂区域有不同的依赖关系.过掺杂区域很小的S300K和S0意味着一个宽带的费米液体的贡献,同时ρ满足T2关系,二者相一致.     

(La1-xSmx)0.185Sr0.15CuO4的输运性质的研究

通过对系列（La1-xSmx)0.185Sr0.15CuO4（x=0,0.05,0.10,0.15)的多晶样品在4.2K-300K的电阻率和液氮温区内的热电势的测量,发现（La1-xSmx)0.185Sr0.15CuO4的电阻率在高温区呈现出线性关系,其斜率也随着x的增大而增大,在x=0.10时达到最大,而在Tc到100K的温区,随着Sm含量的增加,则呈现出由金属行为到类半导体行为的转变,同时超导温度Tc也随着降低,液氮温区内的温差热电势反映了随着Sm含量的增加,体系的载流子浓度也随之降低。     

用近红外光拓扑图技术短期预测脑梗塞

本研究用近红外光大脑拓扑图技术(near-infrared cerebral topography, NIRS topography),对大鼠大脑中动脉线栓梗塞模型的皮层缺血部位进行定位成象.我们利用氧合血红蛋白和去氧血红蛋白对近红外光的吸收峰值波长分别为850nm和760nm的原理,制作了NIRS拓扑仪.分别用NIRS拓扑仪、磁共振成象和解剖样本染色对10只SD雄性大鼠大脑皮层缺血部位进行成象.结果表明,NIRS拓扑图所显示的皮层缺血面积与磁共振图象及解剖样本所显示的皮层缺血面积的相关系数分别为0.82(p<0.05)和0.89(p<0.01).     

强激光场中模型氢原子和真实氢原子产生高次谐波的比较

通过数值求解原子在强激光场中的含时薛定谔方程,研究了有库仑奇点和无库仑奇点的一维模型氢原子和三维真实氢原子产生高次谐波的特性.结果表明,有库仑奇点和无库仑奇点的一维模型氢原子和三维真实氢原子产生高次谐波的截止位置相同,但是高次谐波强度变化特征明显不同,进一步的研究表明,无库仑奇点的模型氢原子产生的高次谐波谱相对变化趋势与三维真实氢原子的高次谐波谱变化趋势是完全一致的.     

原子在两色组合激光场中产生的单个阿秒脉冲

利用分裂算符法求解含时薛定谔方程,对一维氦原子处于红外场（IR）与紫外场（UV）组合的两色激光场中产生的高次谐波进行研究,分析了由高次谐波产生的阿秒脉冲的特征. 发现在组合场中可以通过增加红外场的强度,来缩短阿秒脉冲的宽度,通过调节组合场中两束激光的时间延迟,提高一个电子轨道对谐波的贡献,而抑制另一个电子轨道的贡献,从而得到低于100 as的单个脉冲. 关键词： 强激光场 组合场 高次谐波 阿秒脉冲     

A uniform doping ultra-thin SOI LDMOS with accumulation-mode extended gate and back-side etching technology

A uniform doping ultra-thin silicon-on-insulator(SOI) lateral-double-diffused metal-oxide-semiconductor(LDMOS)with low specific on-resistance(R_on,sp) and high breakdown voltage(BV) is proposed and its mechanism is investigated.The proposed LDMOS features an accumulation-mode extended gate(AG) and back-side etching(BE). The extended gate consists of a P– region and two diodes in series. In the on-state with VGD 0, an electron accumulation layer is formed along the drift region surface under the AG. It provides an ultra-low resistance current path along the whole drift region surface and thus the novel device obtains a low temperature distribution. The R_on,sp is nearly independent of the doping concentration of the drift region. In the off-state, the AG not only modulates the surface electric field distribution and improves the BV, but also brings in a charge compensation effect to further reduce the R_on,sp. Moreover, the BE avoids vertical premature breakdown to obtain high BV and allows a uniform doping in the drift region, which avoids the variable lateral doping(VLD) and the "hot-spot" caused by the VLD. Compared with the VLD SOI LDMOS, the proposed device simultaneously reduces the R_on,sp by 70.2% and increases the BV from 776 V to 818 V.     

不等式证明与矩阵构造

利用同序矩阵与乱序矩阵的概念,构造矩阵证明关于正实数和(积)式的不等式。     

基于分层策略的矿石颗粒图像区域分割

为了消除过渡带对矿石颗粒图像多区域分割的不利影响,提出了一种基于分层策略的自动分割方法。该方法共分为3部分:首先,采用分层策略去除过渡带,构建图像金字塔;其次,基于多层灰度直方图定位平坦区域的特征峰,生成初始标记;最后,通过基于标记的区域生长完成图像分割。实际图像的分割结果验证了方法的有效性。与通用的多阈值方法相比,本方法能获得更为准确的分割结果。     

攻角和入射角对弹体侵彻混凝土薄靶弹道特性影响规律研究

为了研究弹体斜侵彻有限厚混凝土靶板的作用特性,开展了尖卵形弹体斜侵彻间隔混凝土靶实验,获得了弹体侵彻过程中的姿态及弹道特性、靶板破坏参数,分析了攻角与入射角联合作用对弹体侵彻混凝土靶板“二次偏转现象”、靶后偏转角以及弹体侵彻间隔靶板弹道轨迹的影响规律。研究结果表明:入射角越大,“二次偏转现象”越明显,弹体靶后偏转角越大;初始攻角抑制“二次偏转现象”,攻角越大,抑制作用越显著;初始攻角与入射角方向相同时,初始攻角加剧靶后偏转角的增大;当攻角与入射角方向相反时,较小的攻角能够抑制弹体靶后偏转角的增大,而当初始攻角较大时,攻角成为影响弹体偏转的主要因素,攻角越大,弹体靶后偏转角越大。