荧光光谱法研究对-二甲氨甲基-杯[8]芳烃与DNA相互作用

首次采用阿霉素作荧光探针研究了水溶性对-二甲氨甲基-杯[8]芳烃(简称杯[8]胺或CX8)与小牛胸腺DNA相互作用,并考察了溶液的pH值、离子强度及解链DNA对DNA和杯[8]胺相互作用的影响。实验发现,DNA能猝灭阿霉素的荧光,向该体系中加入杯[8]胺时荧光又逐渐增强,这说明杯[8]胺能与DNA的磷氧负离子强烈作用。通过Scatchard图等进一步分析发现,杯[8]胺对DNA-阿霉素的影响表现为混合模式,一方面,在中性或酸性的条件下,杯[8]胺能中和DNA上的磷氧负离子,导致DNA收缩,从而影响DNA的构象,使嵌入的阿霉素从DNA中部分游离出来,荧光增强;另一方面,杯[8]胺与阿霉素也存在静电位点竞争。     

Na_2EDTA滴定法测定复杂高铋物料中铅

复杂高铋物料中铋、砷、锑、锡4种元素含量高且共存时会影响铅的测定。特别是铋含量高时对铅的测定影响较大。实验用EDTA-酒石酸联合掩蔽铋、砷、锑、锡,在稀硫酸介质中以硫酸钾为沉淀剂,使铅生成硫酸铅钾复盐沉淀而与铋、砷、锑、锡、铁、铜、锌、铝、钴、镍等干扰离子分离,沉淀以乙酸-乙酸钠浸取,二甲酚橙为指示剂,Na2EDTA滴定法测定铅含量。实验进一步优化了测定条件,确定的最佳条件:硫酸(1+1)加入量为7mL、硫酸钾用量为5g、煮沸时为5min、沉淀陈化时间为2h、EDTA(50g/L)加入量为10mL、酒石酸用量为0.5g,铅的加标回收率99.7%~104%。将实验方法应用于测定复杂高铋物料中铅,标准样品BY0111-1的测定值与给定值一致,相对标准偏差(n=11)RSD 0.20%~0.23%,满足生产测定要求。     

化肥成分分析系列标准物质研制

研制了尿素、磷酸氢二铵、氯化钾、高氮磷低氯复合肥、高氮低氯复合肥、高钾硫基复合肥、高钾中氯复合肥、高磷低氯复合肥和平衡型硫基复合肥系列化肥标准物质,样品严格按照相关标准要求进行采集、加工制备、均匀性检验、稳定性检验,由15家不同行业的权威实验室进行协作定值,并对不确定度进行评定.结果表明,样品粒度分布满足样品加工要求,...     

数学复习教学中的纠错从哪里"纠"

学生解题出现错误,本是很自然的现象,问题是学生为什么一而再、再而三地重复同样的错误,纠错为什么这么难?对此问题,笔者在连续多年的高三数学复习教学中作了些探究.……     

不同KIT-6老化温度制备的介孔MnO2孔径对其催化氧化乙醇的影响

乙醇既是一种被广泛使用的溶剂, 也大量存在于乙醇燃料车尾气中. 它是一种挥发性有机化合物(VOCs), 能直接参与光化学反应影响空气质量, 因此去除乙醇很有必要. 催化氧化法消除VOCs 是很有前景的技术, 其关键是催化剂的制备和筛选. 目前, 用于乙醇催化氧化的催化剂主要是贵金属催化剂(Pt, Pd, Rh, Au, Ag)和金属氧化物催化剂(Cu, Mn, Co, Fe),此外, 还有一些钙钛矿型催化剂. MnO2具有多种结构(α, β, γ和δ)和形貌(管状, 棒状, 球状和孔状等). 不同形貌和结构的MnO2具有不同的VOCs 催化氧化性能. 我们已经报道了介孔MnO2, 特别是三维有序介孔MnO2, 具有良好的乙醇催化氧化活性, 有一定的应用前景. 然而, KIT-6老化温度对介孔MnO2孔径的影响, 以及MnO2孔径对催化氧化乙醇活性的影响尚不清楚. 如果通过调整KIT-6老化温度改变介孔MnO2的孔径, 很有可能改善催化剂低温还原性, 氧物种和活性位等, 进而提高其催化性能. 本文以40, 100和150 ℃ 老化合成的KIT-6介孔硅为硬模板, 制备出不同的介孔MnO2催化剂, 分别记作Mn-40, Mn-100和Mn-150, 用于乙醇氧化反应中, 讨论了催化剂孔径对其活性的影响. 采用X 射线粉末衍射(XRD), 氮气吸附-脱附(BET), 扫描电子显微镜(SEM), 氢气程序升温还原(H2-TPR), 氧气程序升温脱附(O2-TPD), X 射线光电子能谱(XPS)等技术对催化剂进行了表征. XRD 广角结果表明, 各催化剂均具有软锰矿型MnO2晶相, 其中Mn-40催化剂存在少量Mn2O3晶相. XRD 小角和SEM结果表明, 各催化剂均为介孔材料, Mn-100催化剂的有序度和对称性最好, KIT-6老化温度的改变使Mn-40和Mn-150的有序度和对称性降低. BET 结果表明, Mn-40, Mn-100和Mn-150分别具有三孔, 双孔和单孔体系. 随着KIT-6老化温度的降低, KIT-6的孔径降低, 而介孔MnO2催化剂的孔径增加. XPS 结果表明, Mn-40因少量Mn2O3晶相的存在而具有较多的Mn3+阳离子和表面晶格氧物种, 能增加催化剂氧空位的数量, 有利于氧物种的吸附, 活化和迁移, 从而增强催化活性. TPR 和TPD表明, Mn-40催化剂具有良好的低温还原性, 它的氧物种容易在低温下脱附并参与氧化反应. 催化剂活性测试结果表明, 随着介孔MnO2催化剂的孔径增加, 其活性增加. 催化剂孔径和活性从大到小的顺序为Mn-40>Mn-100>Mn-150. 以老化温度为40 ℃的KIT-6模板制备的Mn-40催化剂, 具有较高的乙醇转化频率 (TOF), 120 ℃的TOF 为0.11 s-1. Mn-40催化剂具有良好的乙醇氧化催化活性归因于较大孔径, 其孔径呈三孔体系分布, 最大孔径分布在1.9, 3.4和6.6 nm 处, 三孔体系的形成是因为催化剂孔道的对称性和有序度降低. 此外, Mn-40催化剂具有良好的乙醇氧化催化活性也归因于由较多Mn3+阳离子引起的较多表面晶格氧物种和氧空位以及较好的低温还原性.     

Single-Mode Behaviour Judgment of Optical Waveguides by Imaginary-Distance Beam Propagation Method Under Perfectly Matched Layer Boundary Condition

Imaginary-distance beam propagation method under the perfectly matched layer boundary condition is applied to judge single-mode behaviour of optical waveguides, for the first time to our knowledge. A new kind of silicon-on-insulator-based rib structures with half-circle cross-section is presented. The single-mode behaviour of this kind of waveguide with radius 2μm is investigated by this method. It is single-mode when the slab height is not smaller than the radius.     

羧酸中羟基17O NMR化学位移计算方法的改进

讨论羧酸类化合物中羟基¹⁷O NMR 化学位移计算方法的改进. 该化合物包括饱和脂肪酸、不饱和脂肪酸、苯甲酸、苯乙酸、苯丙烯酸和氨基酸等. 提出Δα的新计算参数.     

3,5-二碘水杨醛缩邻苯二胺Ni(Ⅱ)配合物的合成及生物活性

合成了3,5-二碘水杨醛缩邻苯二胺席夫碱合镍(Ⅱ)配合物。 通过核磁共振、元素分析、紫外光谱、红外光谱及摩尔电导对结构进行了表征,用Gaussian03程序优化计算,确定配合物的结构为Ni(Ⅱ)L。 通过紫外光谱、粘度法及与溴化乙锭(EB)的竞争实验,研究了配合物与小牛胸腺DNA(ct-DNA)的作用情况。 结果显示,配合物与DNA作用时,紫外吸收发生明显的减色效应,其结合常数为Kb=1.129×105 L/mol;EB-DNA体系的荧光强度随配合物的加入迅速减弱;配合物的加入使ct-DNA的粘度增加。 这些结果表明,该化合物以插入式与ct-DNA键合。 并用打孔法测试了配合物对藤黄微球菌(M.luteus)的抑制作用。     

隔热涂层应用于高温SHPB实验的可行性分析

在分离式Hopkinson压杆(SHPB)高温实验中,对弹性杆端和试样的温度进行控制,避免弹性杆端的过大温升和试样温度的过度下降,是保证实验结果准确性的关键。基于傅里叶导热定律,本文提出在试样与弹性杆间插入特定结构的隔热涂层来降低弹性杆与试样、高温炉之间的热交换效率,从而将弹性杆端和试样的温度控制在允许范围内。从理论分析着手,设计了一种可用于高温SHPB实验的隔热涂层,并通过数值模拟和实验对该方法进行了验证。结果表明：此隔热涂层在高温下强度大幅退化,在400℃以上时,可将其近似看作试样与弹性杆间的一段空隙,忽略其对试样加载的影响。在600℃实验环境下,弹性杆端温度最高达到167℃,试样平均温度下降2.24%。在400℃和600℃下分别采用本文实验方法和高温同步快速组装法对45钢进行加载,所得结果具有良好的一致性,表明本文方法合理可行。     

Electrical characteristics of MOS capacitor with HfTiON gate dielectric and HfTiSiON interlayer

The paper reports that HfTiO dielectric is deposited by reactive co-sputtering of Hf and Ti targets in an Ar/O₂ ambience, followed by an annealing in different gas ambiences of N₂, NO and NH₃ at 600℃ for 2 min. Capacitance--voltage and gate-leakage properties are characterized and compared. The results indicate that the NO-annealed sample exhibits the lowest interface-state and dielectric-charge densities and best device reliability. This is attributed to the fact that nitridation can create strong Si \equiv N bonds to passivate dangling Si bonds and replace strained Si--O bonds, thus the sample forms a hardened dielectric/Si interface with high reliability.