考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型

通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解，提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件，并得出了精确的一维阈值电压模型，模拟结果与实验十分符合.在此基础上，基于准二维泊松方程，通过考虑短沟道效应和量子效应，建立了较为精确的适合于小尺寸MOSFET的量子修正阈值电压模型,模型同样适用于(超)深亚微米高k栅介质MOSFET电特性的模拟和结构参数的设计. 关键词： 阈值电压 量子效应 短沟道效应 高k栅介质     

小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型

基于表面势解析模型，通过将多子带等效为单子带，建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好，表明此模型不仅可用于SiO₂、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析，计算时间较自洽解方法大大缩短，适用于MOS器件电路模拟. 关键词： 隧穿电流 MOSFET 量子机理 解析模型     

Electrical characteristics of MOS capacitor with HfTiON gate dielectric and HfTiSiON interlayer

The paper reports that HfTiO dielectric is deposited by reactive co-sputtering of Hf and Ti targets in an Ar/O₂ ambience, followed by an annealing in different gas ambiences of N₂, NO and NH₃ at 600℃ for 2 min. Capacitance--voltage and gate-leakage properties are characterized and compared. The results indicate that the NO-annealed sample exhibits the lowest interface-state and dielectric-charge densities and best device reliability. This is attributed to the fact that nitridation can create strong Si \equiv N bonds to passivate dangling Si bonds and replace strained Si--O bonds, thus the sample forms a hardened dielectric/Si interface with high reliability.     

范围经济与供应链聚集

供应链聚集可看作是多客户外包的自然结果。本文首先构建了一个动态博弈模型：在上游承包商有供给能力的前提下，下游两客户公司依次序做出将产品生产外包给上游承包商或者自己生产的决策。通过子博弈精炼均衡的分析，结果表明：当范围经济程度较小时，供应链聚集是不可能出现的；当范围经济达到一定程度时，供应链聚集将会出现；因此，范围经济可以用来解释供应链聚集这一经济现象。而当范围经济进一步增大超过另一个临界值时，不但供应链聚集会出现，而且供应链聚集下的产品市场价格要低于它们各自被独立生产时的产品市场价格，这又可以对“中国价格”的形成做出解释。     

Thermo-optical Switch Matrix Based on Silicon-on-Insulator Waveguides

A thermo-optical waveguide switch matrix is designed and fabricated on silicon-on-insulator wafer. Multi-mode interferometers are used as power splitters and combiners in a Mach-Zehnder structure. Inductively coupled plasma reactive ion etching is used to fabricate the waveguides. The rise and fall times of the switch matrix are 13us and 7us, respectively. Switch cells have an average switching power consumption of 340mW.     

Ni0.8Co0.15Al0.05C2O4@Graphene的合成及电化学性能研究

过渡金属氧化物/石墨烯复合材料具有优异的电化学性能被广泛应用在锂离子电池中。本文以硫酸镍、硫酸钴、硫酸铝、草酸为原料按一定的物质的量比配制成溶液,在120°C的条件下水热反应12小时,得到多元过渡金属氧化物前驱体Ni_0.8Co_0.15Al_0.05C₂O₄(NCA-C₂O₄);该前驱体经聚烯丙基胺盐酸盐修饰后,与氧化石墨烯进行复合并还原得到石墨烯包覆的多元过渡金属氧化物/石墨烯负极材料Ni_0.8Co_0.15Al_0.05C₂O₄@Graphene(NCA-C₂O₄@G)。对材料的结构、形貌和电化学性质进行了表征。扫描电镜测试结果显示样品粒度均一,具有两端不规则长方体形貌。电化学性能测试结果表明：石墨烯包覆后的NCA-C₂O₄@G充放电容量高于前驱体NCA-C₂O₄,NCA-C₂O₄@G复合材料在0.1C电流密度 (1C=1000 mAh/g)下首次放电比容量为1956 mA h/g;经过0.1C、0.2C、0.5C、1C、2C高倍率循环后,当测试电流密度恢复至100 mA/g时,复合材料比容量可迅速回升至720 mA h/g,并在随后50次循环中比容量保持稳定,显示出良好的循环稳定性和倍率性能。     

基于"分形城市"概念的"分形住区"设计思想初探

在“分形城市”概念基础上,结合分形理论与住区规划设计的一般内涵,提出了“分形住区”设计思想．“分形住区”设计思想包括分形结构、分形元素和分形组织3个层面内容,每个层面均包涵分形与分维这两个必不可少而又不可分割的基本概念。进而,解释了分形与分维在各个层面上的涵义,完整地论述了“分形住区”的设计思想．最后,文章阐述了“分形住区”设计思想的现实意义,并就研究结论进行了必要的讨论．     

Electrical properties and reliability of HfO2 gate-dielectric MOS capacitors with trichloroethylene surface pretreatment

Trichloroethylene （TCE） pretreatment of Si surface prior to HfO2 deposition is employed to fabricate HfO2 gatedielectric MOS capacitors. Influence of this processing procedure on interlayer growth, HfO2/Si interface properties, gate-oxide leakage and device reliability is investigated. Among the surface pretreatments in NH3, NO, N2O and TCE ambients, the TCE pretreatment gives the least interlayer growths the lowest interface-state density, the smallest gate leakage and the highest reliability. All these improvements should be ascribed to the passivation effects of Cl2 and HC1 on the structural defects in the interlayer and at the interface, and also their gettering effects on the ion contamination in the gate dielectric.