流动注射在线微柱预富集火焰原子吸收光谱法测定痕量铂

研究了流动注射在线微柱分离 预富集火焰原子吸收光谱法测定痕量铂的新体系。以α 氨基吡啶树脂作预富集试剂 ,以 2mol·L-1HCl + 0 .3mol·L-1NaClO4 混合液作洗脱剂。当进样体积为 15 .2ml,洗脱液体积为 0 .2 7ml时 ,浓集效率达 30倍 ,采样频率 2 8次·h-1。该方法检出限 (3σ)5 .2 μg·L-1,RSD为 1.4 % (n =11,1μg·ml-1铂 )     

Daphnilactone B的AC环系高效合成

以商业可得的起始原料通过简洁高效的Diels-Alder反应及Conia-ene反应构建DaphnilactoneB的AC环系,路线共七步,总收率超过30%.该策略为Daphnilactone B的全合成工作提供了一条很好的思路.     

定积分估值的一些方法

本文介绍几种常用的定积分估值的方法：一、直接用定积分的性质①用估值性质：若M,m分别是连续函数f（x）在[a,b]上的最大值与最小值,则．这是我们常用的一种估值方法．例呈估计积分的值．解由于在单调减少,故：②放大或缩小积分区间：若［a,b」Th［c,d］,f（x）＞0,则f（x）dx＞f（x）dx二、用变形来估值若f（x）在[a,b]上可积,有时可以通过各种变形来对f（x）dx估计．例如,简单不等式,变量替换,分部积分等将积分变成易于估计的形式．三、利用Darboux和估计积分值若s一乙。凸J;S一乙从西J;表示积分I一D人S）ds的小和和…     

光致还原制备透明质酸-纳米银复合物

以透明质酸（HA）为分散载体,通过紫外光还原硝酸银制备出了Ag纳米颗粒分散体系。用紫外-可见光分光光度计（UV-Vis）、傅里叶变换红外光谱（FT-IR）、透射电子显微镜（TEM）、动态激光光散射（DLS）及抑菌实验对所得样品的形貌、结构及性质进行表征。结果表明：所制备的Ag纳米颗粒呈球形,平均粒径约为18 nm,在水...     

铈及其化合物的性质与应用

铈元素作为稀土元素中的一种,具有稀土元素独特的4f电子层、镧系收缩等特性,又由于其电子排布为4f15d16s2,使其在染色剂、催化剂、抛光粉、磁性材料等方面都有一定的应用。对铈与铈的各种化合物的性质、制备、应用进行了介绍。     

一种反常积分与正项级数收敛的判别法

介绍一种判别无穷限反常积分与正项级数敛散性的判别法。     

高性能Sr2-xBaxSiO4 : Eu2+ 荧光材料的合成及发光

研究了Sr_2-xBa_xSiO₄ : Eu²⁺ 荧光材料作为白光LED发光体的可行性和应用特性。采用高温固相法制备了Sr_2-xBa_xSiO₄ : Eu²⁺ 材料系列样品,对样品的成分配比、阴离子掺杂、合成温度和时间进行了系统实验,利用XRD、SEM、光谱测试及封装测试等手段对样品的组成、结构、形貌特征及应用性能进行了表征。研究表明Sr_2-xBa_xSiO₄ : Eu²⁺ 荧光材料具有激发范围宽(300~500 nm)、发射范围宽(500~600 nm)的特点。通过控制碱土金属的比例可以精确控制材料的发射波长,在Ba掺杂范围0≤x<0.5内可以获得550~560 nm的发射,与YAG材料相比在光谱上增加了红色成分。通过引入恰当助熔成分进行阴离子掺杂,精确控制烧结工艺等手段极大提高了550~560 nm发射的发光强度和光转换效率。封装应用和测试证明,本研究优化制备的高性能Sr_2-xBa_xSiO₄ ∶ Eu²⁺ 荧光材料的光转换效率普遍可达到YAG材料的95％,在显色指数、色温和色纯度方面也优于或相当于YAG材料,并且具有较好的芯片适应性和较多的红色成分,是较为理想的应用于白光LED的荧光材料,特别适合于暖白光LED的制备。     

复杂场景下基于压缩感知的目标电磁散射与成像

研究了处于复杂场景下目标的逆合成孔径雷达(ISAR)成像问题。首先,建立了目标与复杂环境的电磁散射模型,采用计算电磁学的方法仿真得到了目标的雷达回波数据,进而充分考虑了背景噪声对雷达成像质量的影响。研究发现,目标所处的复杂背景会降低ISAR对目标的成像质量。其次,为减小仿真雷达回波数据所需的计算量,提出采用基于压缩感知(CS)的方法来对该场景进行成像,从而极大降低电磁仿真的计算点数。通过实验发现,在CS成像中,采用数据点使用率为0.4时所得到的成像质量可达到采用转台成像质量的效果。因此,采用基于CS的成像方法,可极大降低目标与场景的电磁散射计算复杂度,使得处于真实复杂场景下的目标电磁仿真和ISAR成像研究切实可行。     

一类递推型数列收敛的充要条件

证明了 :设c>1 ,{bn}是正数列 ,令an=cb1+cb2 +… +cbn,n =1 ,2 ,… ,则 {an}收敛的充要条件是数列 lnbncn 有上界。     

Non-ionizing energy loss calculations for modeling electron-induced degradation of Cu(In,Ga)Se_2 thin-film solar cells

The lowest energies which make Cu,In,Ga,and Se atoms composing Cu(In,Ga)Se_2(CIGS) material displaced from their lattice sites are evaluated,respectively.The non-ionizing energy loss(NIEL) for electron in CIGS material is calculated analytically using the Mott differential cross section.The relation of the introduction rate(k) of the recombination centers to NIEL is modified,then the values of k at different electron energies are calculated.Degradation modeling of CIGS thin-film solar cells irradiated with various-energy electrons is performed according to the characterization of solar cells and the recombination centers.The validity of the modeling approach is verified by comparison with the experimental data.