甲基橙/水滑石复合颜料制备与表征

采取共沉淀法制备不同阴离子插层的锌铬水滑石(ZnCr-LDHs),通过ZnCr-LDHs吸附甲基橙(MO)制备有机-无机复合颜料。采用XRD、FT-IR和TG-DTA对不同阴离子插层的ZnCr-LDHs结构和热稳定性能进行表征,研究了吸附剂种类、吸附温度、MO初始浓度和溶液pH值等因素对复合颜料中MO吸附量的影响。研究结果表明:ZnCr-LDHs结构参数的差异与插层阴离子的种类、电荷和空间结构有关,并影响其对MO的吸附量。ZnCr-CO_3-LDHs的层间距最小,但对MO的吸附容量最大,ZnCr-CO_3-LDHs吸附MO至层板上形成复合颜料。当反应温度313 K,MO初始浓度为100 mg·L~(-1),吸附时间为2 h时,制备得到的复合颜料中MO吸附容量为88.56 mg·g~(-1)。酸性条件下ZnCr-CO_3-LDHs对MO的吸附容量明显高于碱性条件下,溶液初始pH值为3时,吸附容量达到最大值为190.93 mg·g~(-1)。     

氧化时间对多壁纳米碳管结构与性能的影响

氧化时间对多壁纳米碳管结构与性能的影响;碳纳米管; 氧化; 透射电镜; 核磁共振; 电阻     

元素周期律还能启示学生学到什么——利用科学史提高学生的科学素养

1课题的提出 近几年我们总在思考这样一个问题：能不能在我们现行的课堂教学中适时引入一种以化学史为载体,或者更广泛地说是科学史为载体,对学生进行科学世界观、科学方法以及科学发展规律教育的课程内容？现行的课本中为学生提供了很多有关化学史的阅读材料,但几乎很少有教师将这部分内容纳入课堂教学的范畴。然而化学史恰恰为全面提高学生的科学素养提供了最为生动和直观的教育素材。正如一位教育学家所呼吁的：“我们交给年轻人的,与其说是科学结论不如说是科学方法,更不如说是科学史。在西方、美国,科学史的案例式教学早在20世纪80年代就已成为重要的课程内容,而我国的基础教育中几乎没有科学史教育。教师们的观念仍然是围着高考转,孩子们的观念就是一切为高分而努力!笔者很想打破这一现状,我们想在教学中寻求一个合适的时机作一次尝试。     

某火箭弹标准外形引信气动加热计算

为了评估弹体飞行中产生的气动热对弹头引信的影响,采用计算流体动力学(CFD)方法对某火箭弹标准外形引信体在飞行条件下的气动加热过程进行了数值计算与分析.计算中,将获得的某火箭弹实际弹道参数进行了分段线性拟合,得到了计算域入口处的速度、温度、压强与时间的函数关系;结合分析对象的特点,采用结构化网格、远场压力边界条件、k-ε模型,利用有限体积法、耦合求解法模式、二阶迎风格式进行求解,得出了某火箭弹标准外形引信在弹道中不同时刻的温度场变化规律.计算结果与遥测试验结果的比较表明:两者变化的趋势及量值大小相吻合,两者的最大误差为13.0%,满足工程应用要求.     

超支化高分子桥联聚倍半硅氧烷复合物的NMR研究

以三羟甲基丙烷(TMP)为内核,二羟甲基丙酸(DMP)为支化单元用准一步法合成了重均分子量为12100的第四代端羟基脂肪族超支化聚酯(HBPE-G4),用3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷(TPIC)对它进行了端基改性,并以其为桥联剂,与聚倍半硅氧烷(PMSQ)复合制备出超支化高分子桥联聚倍半硅氧烷复合物．利用固体核磁共振(NMR),傅立叶红外(FI-IR),分子纳米粒度分析等方法表征了改性超支化高分子和复合物的结构和反应程度,并通过测量¹³C T₁,¹H T₂,¹H T_1ρ研究了体系中各组分的运动性能,以及超支化高分子与聚倍半硅氧烷之间的相容性．     

氧分子对电子偶素的态转换

把气凝硅胶作为可变能量的电子偶素源,用时间选择γ能谱仪研究电子偶素在氧气中的运动,验证快速电子偶素与氧分子非弹性碰撞发生的态的转换效应,测得在两个阈能附近的截面为2.1×10^－17cm²和6.6×10^－18cm².研究慢速电子偶素与氧分子弹性碰撞交换电子所致态转换,发现过程的截面与电子偶素平均速度的平方根成反比,这一过程可以提供比较干净的仲态电子偶素源进行其它精密物理实验.     

等离子体断路开关和电感负载间的功率流特性

利用PIC (particle-in-cell) 方法，结合实验装置的几何结构和实验结果，采用动态开关模型，对微秒等离子体断路开关和电感负载间的功率流特性进行了研究。模拟得到了与实验结果符合较好的开关电压和负载电流波形，并给出了开关下游出现的稀薄等离子体的密度(约1012 cm-3)和速度(约1 cm/ns), 同时也得到了开关下游的空间电流分布。模拟结果表明，开关下游的结构应避免阻抗突变以减少电流损失，同时提高开关阻抗可有利于提高负载上的最大功率。     

四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO₂)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明，t-HfO₂(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO₂(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次，表面原子的态密度更靠近费米能级(E_F)，价带往低能量处移动，并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO₂表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO₂(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少，表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词： 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO₂(001) 表面电子结构     

乙烯基四配位硅与HEMA共聚物的制备及性能

Laine研究小组直接用二氧化硅和乙二醇在无机碱的作用下，合成了五配位硅化合物：Laine研究的意义在于他开创了低温合成配位有机硅化合物的先河，这种方法有四个优点，（1）能耗小；（2）原料来源丰富，价格低廉，二氧化硅占地壳的1／4，乙二醇也很便宜；（3）污染小；（4）制得的五配位硅化合物反应活性非常高。但Laine在聚合物方面做的工作较少，过去只是把这个方法应用于高性能陶瓷玻璃的制备以及离子导电聚合物的研究中J，主要是解决不了五配位硅钾化合物的水解可逆性问题。     

电气原理草图语义理解系统开发

在当前已有的手绘草图识别系统及算法的基础上,设计了一个简单的手绘电气元件识别系统.通过在线采集获取手绘图每个笔画的始终点坐标以及每个笔画上所有的采样点的坐标,然后通过平滑处理以及去重处理来降低因输入时候的抖动噪音之类的因素对识别的影响.实现了基于图元以及图元数量的单个电气元件的识别方法.系统使用MATLAB做为软件开发平台,通过仿真验证算法的可行性,所达到的识别效果能够实现预期的设计要求.