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11.
13.
以物理化学拓展课程群中的胶体与界面化学课程教学为例,介绍以基础课程为核心整合教学资源,推进选修课教学改革的实践与探索,为提高选修课教学水平提供借鉴与参考. 相似文献
14.
以反相悬浮聚合技术合成的丙烯酰胺(AM)和甲基丙烯酸(MAA)共聚高分子微凝胶P(AM-co-MAA)为模板,结合反胶束法制备得到Ag3PO4-P(AM-co-MAA)复合微球,并将其分散于乙醇溶剂中通过化学还原Ag3PO4-P(AM-co-MAA)复合微球制备得到粒径为几十微米,具有表面图案,且结构为核-壳型的Ag-P(AM-co-MAA)复合微球材料.能量散射X射线(EDX)谱表明壳化学组成以金属银为主,核以高分子模板为主;扫描电子显微镜(SEM)观察结果表明银-高分子复合微球的表面形貌与其前驱体类似,且可以通过选择模板、改变模板组成、调整金属难溶银盐沉积量等因素加以调控;X射线衍射(XRD)分析表明前驱体复合微球表面Ag3PO4全部转化为单质银.生物抗菌实验表明该类微球材料对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌均具有较强的抑制作用. 相似文献
15.
16.
二维六方氮化硼(hBN)的点缺陷最近被发现可以实现室温下的单光子发射,而成为近年的研究热点.尽管其具有重要的基础和应用研究意义,hBN中发光缺陷的原子结构起源仍然存在争议.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究hBN单层中一种B空位附近3个N原子被C替代的缺陷(CN)3VB.在hBN的B空位处,3个N原子各自带一个在平面内的悬挂键及相应的未配对电子,而通过C替换可以消除未配对的电子.系统研究了(CN)3VB缺陷的几何结构、电子结构以及光学性质,结果表明,缺陷可以由一个对称的亚稳态经过原子结构弛豫变成1个非对称的、3个C原子连在一起的基态结构.缺陷的形成在hBN中引入了一些由缺陷悬挂σ键及重构的π键贡献的局域缺陷态.这些缺陷态可以导致能量阈值在2.58 eV附近的可见光内部跃迁.本文的工作有助于进一步理解hBN中点缺陷的构成及光学性质,为实验上探讨发光点缺陷的原子结构起源及其性质提供理论依据. 相似文献
17.
通过反相悬浮聚合法制备N-异丙基丙烯酰胺(NIPAM)和甲基丙烯酸(MAA)的共聚微凝胶P(NIPAM-co-MAA), 以其为模板, 利用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)在碱性条件下的水解缩合反应, 制备得到了由氨基修饰的P(NIPAM-co- MAA)/SiO2高分子/无机复合微凝胶, 再通过异硫氰酸荧光素(FITC)与氨基的键和作用, 得到了具有核-壳结构的温度和pH双重敏感荧光复合微凝胶. 通过扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外光谱(FT-IR)、热台偏光显微镜(POM)和共聚焦激光扫描显微镜(CLSM)等手段对复合微凝胶进行了结构和性质表征, 结果表明, 该复合微凝胶对温度和pH均具有良好的响应特性, 并在可见光激发下发出荧光. 相似文献
18.
1指导思想和理论依据以《北京市普通高中新课程化学学科教学指导意见》为参考,根据课程标准所确定的"课程强调学生的主体性",要"有助于学生主动构建自身发展所需的化学基础知识和基本技能"的课程性质,本节课的教学设计主要体现2方面的思考。 相似文献
19.
The superconducting quantum interference device(SQUID) amplifier is widely used in the field of weak signal detection for its low input impedance, low noise, and low power consumption. In this paper, the SQUIDs with identical junctions and the series SQUIDs with different junctions were successfully fabricated. The Nb/Al-AlO_x/Nb trilayer and input Nb coils were prepared by asputtering equipment. The SQUID devices were prepared by a sputtering and the lift-off method.Investigations by AFM, OM and SEM revealed the morphology and roughness of the Nb films and Nb/Al-AlO_x/Nb trilayer.In addition, the current–voltage characteristics of the SQUID devices with identical junction and different junction areas were measured at 2.5 K in the He~3 refrigerator. The results show that the SQUID modulation depth is obviously affected by the junction area. The modulation depth obviously increases with the increase of the junction area in a certain range. It is found that the series SQUID with identical junction area has a transimpedance gain of 58 ? approximately. 相似文献