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11.
采用输运电流方法测试了37芯Bi2223带材的平均错配角.带材的错配角随带材厚度的降低而减小,同时带材Jc升高.但过薄的带材由于加工不稳定易导致Ag/超界面不规则现象,并破坏界面晶粒取向,造成错配角增大.  相似文献   
12.
本文研究了100~300K之间Gd1.8Ba2.4Cu3.4O7-δ(简写为GdBCO)超导体的顺磁性,对GdBCO的磁化强度随磁场和温度的变化分别在100K和0.1T进行了测试,GdBCO的顺磁性遵从朗之万顺磁性理论.在磁光显微镜下,低温12K场冷下,我们观察了从0mT~29mT磁通线进入GdBCO的超导体的过程,以及磁通线在GdBCO超导体中的分布。  相似文献   
13.
为了制作能满足YBCO涂层导体(coated conductor)所需要的高强度、低磁性的立方织构基带,本工作用粉末冶金方法制作了Ni-5at%W合金基带.为评估基带中立方织构的发展,用March-Dollase函数对各种热处理样品的择优取向度进行了研究,结果与用X射线极图法和电子背散射衍射法得到的结果基本一致.研究结果表明,在实验中所用的工艺参数范围内,随总加工率和热处理温度的提高,基带中立方织构百分数明显增高.提高总加工率实际增加了冷加工样品中立方织构晶粒或立方核心的数量.实验中得到了较好的和实用的工艺制度,用这种工艺可以制作出具有99%~100%立方织构百分数,并具有很好一致取向度的Ni5W基带.  相似文献   
14.
Undoped and WO3-doped Y-Ba-Cu-O ceramics have been slowly cooled in flowing oxygen or quenched in air from 900℃ to room temperature, after sintering at 900℃ for 3Oh in flowing oxygen. The ac susceptibility measurements show that the Tc of the quenched WO3-doped Y-Ba-Gu-O superconductor can reach 88K, while the undoped Y-Ba-Cu-O ceramic quenched in air is a non-superconductor. X-ray diffraction data show that WO3 does not enter into the YBa2Cu3O7-x lattice but forms all impurity phase. The WO3-doped YBCO specimens quenched in air consist of orthorhombic YBa2Cu3O7-x phase and an impurity phase which increases with increasing WO3 content. Raman spectra chow that oxygen contents are different for undoped and WO3-doped samples. It la suggested that suitable doping with WO3 can change the oxygen content and reduce the effect of thermal treatments on the superconductivity of Y-Ba-Cu-O system.  相似文献   
15.
周廉 《物理》1991,20(6):334-338
本文概述了我国在高温超导材料研究方面的最新进展,较系统地介绍了超导块材和薄膜的制备方法及性能,并简单地介绍了高温超导材料在超导量子干涉器件、超导天线、磁屏蔽和磁通变换器等方面的应用.  相似文献   
16.
采用传统方法生产的NbTi/Cu多芯超导线在生产芯数较多的超导线时存在填充系数较大的问题,这直接影响了芯丝的整齐排布,所以组装完成后加入热等静压过程.研究了经过热等静压和未经过热等静压的NbTi/Cu多芯超导线的加工性能.经过试验证明,经过100~150MP,2小时热等静压处理的NbTi/Cu多芯超导线坯锭在加工过程中具有良好的加工性能,提高了超导线复合坯锭的成品率;而未经过热等静压处理的NbTi/Cu多芯超导线坯锭加工性能较差,坯锭内部缺陷较多.  相似文献   
17.
本文介绍了沿c轴方向排布复层籽晶制备YBCO超导单畴的方法.该方法能够使123晶畴在不同深度进行生长.通过c轴方向籽晶的排布,研究了YBCO单畴中的(001)/(001)晶界.虽然由于压模中籽晶ab面的倾斜,造成部分(001)/(001)晶界出现大角晶界,使晶界上残余有液相,但仍有晶界连接良好、晶界上不存在残余液相和211粒子、错配角小于5°的(001)/(001)晶界的形成.对于制备有深度要求的单畴块材,复层籽晶法是一种有效的生长方法.在定向控制好籽晶方向的条件下,该方法可以提高超导单畴的生长深度.在77K,0.5T下,测试该样品磁悬浮力达到37N.  相似文献   
18.
在立方织构的Ni基带上沉积掺Ag的YBCO超导薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
用脉冲激光沉积法在立方织构的Ni基片上成功地外延了YBCO超导薄膜 ,其临界电流密度高达 1 .1 5MA cm2 .X射线衍射分析结果表明Ni CeO2 YSZ YBCO多层结构都是c轴取向 ,CeO2 和YSZ缓冲层能有效地改进薄膜织构 ;扫描电子显微镜结果表明Ni CeO2 YSZ YBCO结构所有生长层面存在类似层状的形貌 ,而薄的一层Ag膜能有效地填充各个生长阶段由于高温下热膨胀系数不匹配形成的微裂缝 ,其结果是改进了薄膜微观结构 ,提高了临界电流密度 .  相似文献   
19.
对具有不同临界电流的Bi2223/Ag多芯超导材的交流电流电压特性进行了测量和评价,当传输电流的有效值Inns小于临界电流Ic时,交流电压的大小与传输电流的频率成正比;但Inns接近临界电流时,不同频率所对应的交流电压的大小之间的差别减小了,所有的曲线都汇聚成一条曲线,传输电流的频率分别为40Hz,60Hz,80Hz,200Hz及300Hz时,我们测量了交变传输电流在Bi2223/Ag带材中产生的自场损耗。结果表明当传输电流的频率较低时,实验结果与基于Bean模型的Norris方程预期的结果一致;另外,实验结果表明存在一个电流I′,它的值小于任何一个样品的临界电流,本实验中I′的值是10安培,在传输相同大小的电流Inn且Inns〈I′时,Boi2223/Ag带材的交流损耗与它的临界电流成正比;但当Inns〉I′  相似文献   
20.
本文利用在超导芯部引入Ag合金的方法制备了一种新结构Bi2 2 2 3超导带材 ,并研究了此种带材相对于普通Bi2 2 2 3超导带材性能的变化 ,以及拉伸应变对其性能的影响 .实验结果表明 ,这种新结构提高了带材的载流性能 ,所得最终带材的最大Ic=75A ,Jc=1 .6×1 0 4 A/cm2 ,相对普通样品提高了 35 % .实验结果表明此种Bi 2 2 2 3超导带材的机械性能有明显的提高 ,样品的屈服强度σ0 .2 和不可逆应变极限εirr和普通样品相比均有较大幅度的提高 ,最大不可逆应变极限εirr约为 0 .4 5 % ,相对普通样品提高了约 5 0 %左右 ,屈服强度σ0 .2 约为 85Mpa ,相对普通样品提高了约 30 %左右  相似文献   
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