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有机薄膜器件负电阻特性的影响因素 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了影响有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的因素,为探索有机负电阻的机理提供实验依据。实验中制备了多种有机染料掺杂聚合物薄膜器件,研究了有机小分子染料、聚合物基体、薄膜组成及厚度、ITO和聚苯胺阳极等对有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的影响。在室温、大气环境下,所制备的多种有机染料掺杂聚合物器件在所加电压为3~4V时,观察到明显的负电阻特性,电流峰谷比最大约为8。负电阻现象及峰谷比的大小受膜厚和器件的结构、制备工艺等影响。提出用负电阻和二极管并联组成的等效电路模型解释影响负电阻特性的因素,认为负电阻特性与载流子的不平衡注入有关。在此基础上设计、合成了主链含唔二唑电子传输基团的可溶性聚对苯撑乙烯衍生物,该聚合物兼具空穴和电子传输功能,在空气中具有较稳定的N型负电阻特性。进一步控制相关材料和工艺条件,有可能得到易于控制的负阻效应,开发出新型的有机负电阻器件。 相似文献
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研究了非共轭聚喹啉铝(Palq)在氯仿和乙醇不同极性的溶剂下所获得的薄膜的吸收和发光光谱。由于溶剂性的不同,聚喹啉铝链在氯仿和乙醇溶液中表现出不同的聚集状态。当各种溶液分别旋涂成膜时,溶液中的聚喹啉铝的聚集态仍部分地保存下来,导致不同聚喹啉铝薄膜的电子结构状态的差别。结果,聚喹啉铝的薄膜表现出不同的发光特性。实验表明,在制作聚合物器件中,溶剂的选择对共轭聚合物的发光特性有着重要的影响。 相似文献
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制备了一种有机垂直光发射晶体管, 兼具有机发光二极管的发光和晶体管的开关调节两个功能.其结构为一个有机发光单元垂直堆叠在一个电容单元上,两单元通过一个共有的源电极连在一起.当电容单元被充电时,积累在源电极的电荷能有效地调节源极与有机层之间的载流子注入势垒,从而达到控制源漏输出电流的大小,最终控制发光单元发光的强度.实验结果表明,器件可提供02 mA的输出电流,其大小可驱动发光单元发光,工作电压(开启电压)为6 V.这种垂直集成方案,实现了器件多功能化,为有机发光二极管有源矩阵驱动的实际应用提供了一种新的解决方法.
关键词:
有机光发射晶体管
垂直
电容 相似文献
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利用复合色彩转换膜实现白色有机电致发光 总被引:1,自引:1,他引:0
利用蓝色有机发光二极管激发荧光色彩转换膜的方法,制备了一种新型的白色有机电致发光器件.蓝色有机发光二极管的发光层采用在4,4′-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)主体中掺杂高效蓝色荧光染料N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)来制备.有机/无机复合色彩转换膜是将有机荧光颜料VQ-D25和无机荧光粉钇铝石榴石(YAG)按一定的重量比均匀分散到-[CH3CH2COOCH3]n-(PMMA)中经涂敷、固化而成.通过与单纯有机或无机色彩转换膜的比较及调整复合转换膜本身的厚度和荧光颜料的掺杂比例来优化白光器件的发光光谱,获得了色稳定性较高的白色有机电致发光器件.当驱动电压由6V升至14V时,器件的色坐标仅在(0.354,0.304)和(0.357,0.312)之间变化,其最高电流效率约为5.8cd/A(4.35mA/cm2),最高亮度为16800cd/m2(14V). 相似文献
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Highly Efficient Simplified Organic Light-Emitting Diodes Utilizing F4-TCNQ as an Anode Buffer Layer 下载免费PDF全文
We demonstrate that the electroluminescent performances of organic light-emitting diodes (OLEDs) are significantly improved by evaporating a thin F4-TCNQ film as an anode buffer layer on the ITO anode. The optimum Alq3-based OLEDs with F4-TCNQ buffer layer exhibit a lower turn-on voltage of 2.6 V, a higher brightness of 39820cd/m^2 at 13 V, and a higher current efficiency of 5.96cd/A at 6 V, which are obviously superior to those of the conventional device (turn-on voltage of 4.1 V, brightness of 18230cd/m^2 at 13 V, and maximum current efficiency of 2.74calla at 10 V). Furthermore, the buffered devices with F4-TCNQ as the buffer layer could not only increase the efficiency but also simplify the fabrication process compared with the p-doped devices in which F4-TCNQ is doped into β-NPB as p-HTL (3.11 cd/A at 7 V). The reason why the current efficiency of the p-doped devices is lower than that of the buffered devices is analyzed based on the concept of doping, the measurement of absorption and photoluminescence spectra of the organic materials, and the current density-voltage characteristics of the corresponding hole-only devices. 相似文献
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以铱配合物红色磷光体Ir(piq)2(acac)为掺杂剂,制备了基于BAlq材料的红色电致磷光器件,其结构为ITO/NPB(30nm)/Ir(piq)2(acac):BAlq(25nm)/BCP(13nm)/Alq3(35nm)/LiF(1nm)/Al(1000nm),当掺杂浓度为8%的时候,器件发光的色坐标为(x=0.67,y=0.32),基本满足了全色显示对红色发光的要求。在电压为16V时,器件达到最高亮度9380cd/m2。在电流密度为5.45mA/cm2时,外量子效率达到最大5.7%。由于磷光体Ir(piq)2(acac)的磷光寿命较短,所以器件在高电流密度下,仍然保持较高的外量子效率。电流密度为100mA/cm2时,外量子效率仍然维持在4.7%。进一步研究表明在器件中短程的Dexter能量传递以及红光染料对空穴的直接捕获两种机制同时存在。 相似文献
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We fabricate pentacene-based organic field effect transistors (OFETs) with Cu as source and drain (S-D) electrodes. The fabricated devices stored for ten hours under ambient atmospheric conditions exhibit superior performance compared with the as-prepared devices. The field-effect mobility increases from 0. 012 to 0.03 cm^2 V^-1 s^-1, and the threshold voltage downshifts from -14 to -9 V. The on/off current ratios are close to the order of 10^4. The improved performance of the stored devices is attributed to the formation of thin Cu oxide at the Cu electrodes/organic interfaces. These results suggest a simple and available way to optimize device properties and to reduce fabrication cost for OFETs. 相似文献
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聚合物电致发光材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
本文较详细地综述了聚合物电致发光材料的研究进展,重点介绍了聚对苯撑乙烯(PPV),并提出了有关聚合物电致发光材料及器件构造研究的一些观点。 相似文献
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