首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   88篇
  免费   16篇
  国内免费   2篇
化学   7篇
晶体学   9篇
物理学   90篇
  2021年   1篇
  2019年   1篇
  2018年   1篇
  2017年   5篇
  2015年   5篇
  2014年   5篇
  2013年   1篇
  2012年   5篇
  2011年   5篇
  2010年   6篇
  2009年   3篇
  2008年   7篇
  2007年   9篇
  2006年   4篇
  2005年   1篇
  2004年   7篇
  2003年   12篇
  2002年   5篇
  2001年   7篇
  2000年   8篇
  1999年   3篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1996年   3篇
排序方式: 共有106条查询结果,搜索用时 31 毫秒
51.
激光二极管泵浦高效Nd∶YVO_4/KTP腔内倍频激光器   总被引:1,自引:1,他引:0  
王长青  沈德元  邵宗书  陈军  蒋民华 《光学学报》1996,16(10):1393-1396
报道了激光二极管泵浦的高转换效率Nd∶YVO4/KTP腔内倍频激光器。研究了泵浦光斑尺寸、谐振腔长、KTP及Nd∶YVO4的温度对输出绿光效率的影响。在输入泵浦功率为669mW时,获得绿光输出功率154mW,光-光转换效率达23%。  相似文献   
52.
稀土材料的红外和可见量子剪裁对于寻找更好能量效率的发光材料来说都是一个激动人心的发展。发光效率的最大上限值能从100%提高到200%甚至更高。在第一代晶硅太阳能电池与第二代薄膜太阳能电池之后第三代的聚光太阳能电池已成为目前的重点发展方向。现在,利用稀土材料的近红外量子剪裁发光效应有可能较好的解决太阳光谱与太阳能电池光电响应之间存在的光谱失配的问题,因此有可能较大幅度的提高太阳能电池的发电效率,因而具有重要的意义与价值。研究了钒酸钇晶体基质中Yb3+离子的近红外量子剪裁发光现象,测量了从可见到红外的钒酸钇晶体的发光谱、激发谱与荧光寿命,测量发现钒酸钇晶体基质能带在约322.0nm光激发时能导致有效的从钒酸钇晶体基质到Yb3+离子的二级合作能量传递,进而导致了很强的Yb3+离子的985.5nm2 F5/2→2 F7/2的近红外量子剪裁发光,同时,钒酸钇晶体基质的位于430.0nm的发光强度大幅降低。测量发现:(A)Yb(1.5)∶YVO4晶体的430.0nm的荧光寿命值为τA=3.785μs;(B)YVO4晶体的430.0nm的荧光寿命值为τB=22.72μs;研究计算发现总的理论量子剪裁效率上限值为η1.5%Yb=183.3%。  相似文献   
53.
单频环形腔Nd:YVO_4激光器实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用"8"字结构环形谐振腔,进行了连续激光二极管单端泵浦Nd:YVO4激光器的实验研究。在室温下当泵浦功率为25.4W时,获得稳定1064nm单频激光输出功率为7.7W,光-光转换效率30.3%;光束质量为M2X=1.15和M2Y=1.18;3h功率不稳定度优于1%。  相似文献   
54.
1 Introduction  ThestudyontheYVO4crystalcanbetracedbackto 1 970′s.Howeverduetoitspoorheatconductivity ,ithasnotbeenconsideredasagoodcandidateforflashlamp pumpedlasersystem .Lately ,thedevelopmentofLDlaserandnarrowbandLD pumpingtechnologyaimedattheabsorption p…  相似文献   
55.
Stability regime study of a nonlinear mirror mode-locked laser   总被引:1,自引:0,他引:1  
A diode array pumped nonlinear mirror mode-locked (ML) laser is developed and the regime of the stable operation for such a system is found to occur for a little detuning of intra-cavity second harmonic phase-matching. The existing theory of mode-locking using a fast saturable absorber (FSA) is used to derive corresponding equivalent parameters for a fast nonlinear mirror saturable absorber. The condition for stable single pulse ML operation is evaluated in terms of small signal gain of the laser medium and small signal nonlinear loss. The analysis explains the experimental observations and differentiates the regime of operation in ML, Q-switching and cw mode-locking.  相似文献   
56.
This work reports, for the first time to our knowledge, the formation of planar waveguides in Nd:YVO4 by either carbon or proton implantation. The waveguides are characterised using the dark mode method and by spectroscopic studies, indicating that there is a reduction of the refractive index at the end of the ion track. Particularly, carbon implantation generates a considerable variation in the guiding region. It is shown that the waveguiding structure preserves the spectroscopic properties of the Nd3+ ions, thus maintaining the crystal quality.  相似文献   
57.
激光二极管双端直接抽运混合腔板条激光器   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
为减少热透镜效应的影响, 获得高光束质量的激光, 本文利用激光二极管阵列双端直接抽运Nd:YVO4, 采用负支共焦折叠混合腔结构, 获得最高功率为416 W 1064 nm的激光输出, 光–光转换效率为54.3%, 斜效率为61.6%. 在输出功率为370 W时, 光束质量因子M2在非稳腔和稳腔方向上分别为3.9和4.7.  相似文献   
58.
唐鹿 《发光学报》2015,36(9):1006-1012
采用溶剂热法成功地制备出了YVO4∶Tm3+纳米荧光粉,并用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外分析仪、紫外可见(UV-Vis)吸收光谱和光致发光(PL)光谱对YVO4∶Tm3+纳米荧光粉进行测试和表征。实验结果表明,YVO4∶Tm3+纳米荧光粉可发出明亮的蓝光,色纯度和发光强度都很高,而且具有良好的热稳定性。因此,YVO4∶Tm3+纳米荧光粉是一种十分适用于场发射显示器的荧光粉。  相似文献   
59.
采用具有近共焦、非稳腔特点的多程折叠光路结构,使激光光束多次通过增益介质,实现了高提取效率的激光放大器。实验中在注入22W种子激光的条件下,以43.9%的提取效率得到了63W的激光输出,斜效率超过52%,激光放大器的输出光束质量从种子激光的M2X=2.08,M2Y=1.92变为M2X=2.84,M2Y=1.79。  相似文献   
60.
YVO4:Eu3+纳米微粒发射光谱与温度的关系   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
测量了非选择激发下YVO4:Eu3+纳米微粒中Eu3+5D07F2发射光谱随温度的变化.低温下的光谱是很多谱线叠加在一起形成的宽带;而室温下主要是与体材料相似的两条分离谱线.根据选择激发下YVO4:Eu3+的发射光谱研究得到的结论,把发射光谱分解为两部分之和,一部分来自占据靠近纳米微粒中心的格位的Eu3+离子发射谱线具有与体材料相近峰值;另一部分来自占据靠近表面位置的Eu离子,发射分布在更大的光谱范围内.这两部分发光的相对强度随温度变化的分析表明,YVO4:Eu3+纳米微粒发射光谱随温度的变化是由于靠近表面的Eu通过表面猝灭中心猝灭而引起的.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号