Ablation of GaN Using a Femtosecond Laser

We study the pulsed laser ablation of wurtzite gallium nitride(GaN) films grown on sapphire,using the femtosecond laser beam at a central wavelength of 800nm as the source for the high-speed ablation of GaN films.By measuring the backscattered Raman spectrum of ablated samples,the dependence of the ablation depth on laser fluence with one pulse was obtained.The threwshold laser fluence for the ablation of GaN films was determined to be about 0.25J/cm^2,Laser ablation depth increases with the increasing laser fluence until the amount of removed material is not further increased.The ablated surface was investigated by an optical surface interference profile meter.     

一类具有奇异系数的弱双曲型方程的解的可微性及渐近性

本文讨论如下形式的方程((?)/(?)~t-it~ρD_x)(?)/(?)~t+it~ρD_x+(α+β)/t~α)u+α/t~α-(?)/(?)~t+α(α+β)/t~(2α)u=f(t,x) (1)x∈R~n,00,α≥1的常数。α及β也是常数。方程在 t=O 有重特征。而低阶项的系数正好在 t=0 有奇异性。我们在方程的低阶项符合一定条件,且方程的特征根的重数与低阶项的奇异性的阶数满足一定关系时,给出了方程(1)的解的唯一性与可微性定理。并讨论了当 t→+0 时,解的渐近性态。     

无碎屑激光等离子体软X射线源的研究及应用前景

分析了常规金属靶激光等离子体源产生固体碎屑的原因及其对软Ｘ射线光学元件的危害，介绍了近年来发展起来的无碎屑激光等离子体软Ｘ射线源，归纳了无碎屑激光等离子体软Ｘ射线源的几种形式和特点，并且描述了这种新型光源在软Ｘ射线显微术及光刻术中的应用．     

近场光学显微技术

本文在介绍近场光学显微镜原理的基础上，对近场光学显微技术进行了一定深度的探讨，并着重研究了纳米级探针的制作和纳米级样品与探针间距的控制这两个近场光学显微技术中的关键问题，说明了近场光学显微探针的工作方式，阐述了近场光学成像的衬度类型，介绍了近场光学显微技术在多个领域的应用。在参考大量国内外最新研究成果的基础上，提出了一些个人的见解。     

反恐怖安全检测技术的物理基础

反恐怖安全检测技术已成为人们的热门话题。安全检测技术的诞生和发展离不开物理学家的贡献。物理学为反恐怖安全检测孕育了多种手段和方法。文章简要介绍了X射线探测、γ射线探测、四极共振分析、脉冲式快中子分析、离子迁移率光谱测量、毫米波探测、声学探测、磁场探测、电磁脉冲探测等安全检测技术的物理基础。     

论微极弹性动力学的一类守恒律

本文用无穷小变换群使作用量不变的思想,直接导出线性微极弹性动力学的一类守恒律,对线性均匀微极弹性固体证明了在纯量变换下不可能有守恒律,对线性微极弹性动力学而言,可看出守恒律(4.7)式是新的和独特的。     

Study on the Baryon State X Produced in the Process J／ψ→p＋X,X→p＋P

The decay process J/ψ→p X X→p P，where p,p and P are the proton,antiproton and pseudoscalar states,respectively,has been studied in terms of the angular distribution and the generalized moment analysis methods.The result shows that we can identify the spin,but cannot determine the parity of the baryon resonance state X produced in the process J/ψ→p X X→p P.     

X分形晶格上Gauss模型的临界性质

采用实空间重整化群变换的方法,研究了2维和d(d>2)维X分形晶格上Gauss模型的临界性质.结果表明:这种晶格与其他分形晶格一样,在临界点处,其最近邻相互作用参量也可以表示为K=bqiqi(qi是格点i的配位数,bqi是格点i上自旋取值的Gauss分布常数)的形式;其关联长度临界指数v与空间维数d(或分形维数df)有关.这与Ising模型的结果存在很大的差异. 关键词： X分形晶格 重整化群 Gauss模型 临界性质     

抽运激光在光靶中的局域及其对X射线激光特性的影响

新型X射线靶设计为:由SiO2和TiO2组成具有12个周期的一维光子晶体,在它的中间嵌入光靶材料层作为缺陷层,SiO2,TiO2和光靶层的光学厚度分别为λ4、λ4和λ2,λ为抽运激光波长.与普通平板光靶相比,当抽运光垂直照射到这种光靶时,靶层内部的光强将提高2个数量级,所以抽运激光的阈值强度将降低2个数量级,这有利于X射线激光的小型化.在同样的抽运激光照射下,X射线激光的强度将提高4个数量级,转换效率也将提高约4个数量级.由于平均电离度随抽运激光强度的提高而提高,所以采用这种光靶有利于使X射线激光向短波长推进. 关键词： X射线激光 光子晶体 光波局域