Molecular deposition film of porphyrin and phthalocyanine bearing oppositely charged substituents

Ｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆａｎｅｗｔｙｐｅｏｆｓｅｌｆ＿ａｓｓｅｍｂｌｅｄｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｆｉｌｍｓ,ｍｏｌｅｃｕｌａｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ(ＭＤ)ｆｉｌｍｓ[1,2],ｉｓａｆａｓｔｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇａｒｅａｏｆｔｈｉｎｆｉｌｍｒｅｓｅａｒｃｈ.Ｔｈｉｓｎｅｗｍｅｔｈｏｄｏｆｆｉｌｍｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｉｓｂａｓｅｄｏｎｉｏｎｉｃａｔｔｒａｃｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎｏｐｐｏｓｉｔｅｃｈａｒｇｅｄｃｈｒｏｍｏｐｈｏｒｅｓ.ＩｎｃｏｍｐａｒｉｓｏｎｗｉｔｈｔｈｅｃｌａｓｓｉｃＬａｎｇｍｕｉｒ＿Ｂｌｏ…     

有机/无机异质结薄膜发光二极管

聚合物发光二极管（LED）自从Burrou吵es等于1990年首次报导PPV的电致发光［‘］以来，由于聚合物半导体具有热和化学性能的稳定，克眼了有机小分子材料容易晶化的优点，在平板显示领域必将占有一席之地，从而吸引了许多科学家投身到这一领域来．众所周知，要想实现LED的实用化     

两种荧光LB膜的制备和光谱性能

制取了４－二氰基亚甲基－２－甲基－６－对二甲胺基苯乙烯基－４Ｈ－吡喃（ＤＣＭ）和１，２－双（５－甲基苯并恶唑）基乙烯（ＤＴ）两种荧光分子的ＬＢ膜以及两者的混合膜，以吸收光谱和荧光光谱探讨了膜中分子的构型，微环境，发光性能等特征，发现在ＬＢ膜的缀密排布环境中ＤＣＭ顺式构型的含量较之在溶液中大为增加。     

红外镜反射光谱的测试与解析

红外镜反射（infrared specular reflection，简称SR）光谱与被测样品和衬底的折射指数、吸收指数以及入射角有密切关系，往往由之产生畸变。要从红外镜反射技术测得的光谱处理得到人们熟悉的吸收光谱，需要经过较复杂的计算机数学处理。本文通过几个比较特殊的镜反射例子，以说明镜反射光谱的测试和解析必须注意多种影响因素。     

VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)

用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．     

壳聚糖-聚羟基丁酸酯共混膜的制备与性质

以乙酸为共溶剂,制备了壳聚糖-聚羟基丁酸酯(CTS-PHB)共混膜,利用红外光谱(FT-IR)、广角X粉末衍射(WAXD)、扫描电镜(SEM)及差热分析(DTA)表征了共混膜的化学组成、晶形、形貌和热稳定性能。研究表明:CTS和PHB可在体积百分数为62.5%的乙酸溶液中共混,形成表面光滑、不透明的膜,干态共混膜具备一定的力学强度。各比例的CTS-PHB共混膜有相同的热分解温度,共混膜的形貌特征随两组分质量配比变化,其中mPHB/mCTS=1/1的共混膜显示出良好的有序结构。     

聚酰亚胺LB膜研究进展

阐述近年来聚酰亚胺ＬＢ膜研究的发展概况，包括聚酰亚胺ＬＢ膜的制备方法、结构、性能及应用。     

有机硅耐磨透明涂层的固化分析

ＦＴＩＲ、ＴＧ、ＴＢＡ等对有机硅耐磨涂料（有机硅溶胶）的热固化过程研究表明有机硅胶体中缔合羟基间的脱水缩合速率很高；羟基脱水程度与固化温度有关，温度越高，达平衡时羟基的浓度越低，在１０５～１３０℃间羟基的浓度变化最大，加入适当的固化剂，对羟基的脱水交联有促进作用，在较高的固化温度下，反应体系中出现了环氧环异构化产生的酮羰基的吸收峰     

Preparation and Properties of Anti-Reflection/Anti-Static Thin Films for Cathode Ray Tubes Prepared by Sol-Gel Method Using Photoirradiation

A new technique for preparing anti-reflection/anti-static thin films for CRTs at low temperature has been developed. Double-layered films of SiO₂/SnO₂ were formed on a CRT panel surface by the sol-gel method using photoirradiation. The new method makes it possible to reduce heat treatment temperature (°C) by almost 50% and treatment time to approximately 33% of the conventional levels.