Structure and Photoluminescence of Nano-ZnO Films Grown on a Si （100） Substrate by Oxygen- and Argon-Plasma-Assisted Thermal Evaporation of Metallic Zn

Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission.     

纳米硅量子线的发现与研究

一维纳米材料是当今介观物理学研究的前沿领域．文章报道了一种利用脉冲激光成功地制备纯度高、直径分布均匀的纳米硅量子线（ＳｉＮＷｓ）的方法，介绍了纳米量子线的形貌、显微结构、生长机理和物理性能研究的最新结果．纳米硅量子线的发现具有重要的科学意义和潜在的应用前景．     

Ni-Si多层膜中固态非晶化反应的热力学与动力学过程

研究了Ni/非晶Si(a-Si)多层组分调制膜(ML)中界面上的固相反应。根据计算的亚稳自由能图,对界面上固相反应形成非晶态进行了热力学与动力学的分析。提出了Ni/a-Si多层膜中的固相反应的动力学模型。 关键词：     

光纤波导HE_(mn)模和EH_(mn)模的划分方法

通过理论计算以及与实验对比，提出了划分ＨＥｍｎ模和ＥＨｍｎ模的新的理论判别条件，即：对第１组解，当Ｅｚ与Ｈｚ的系数之比等于一ｓｉｎ－为ＨＥｍｎ模，等于时为ＥＨｍｎ模；对第２组解，当Ｅｚ与Ｈｚ的系数之比等于时为ＨＥｍｎ模，等于一ｓｉｎ－１时为ＥＨｍｎ模，该判别条件与弱导波光纤特征方程有很好的相关性，利用这个判别条件，对比研究了ＨＥＮ”模和ＥＨｍｎ模的ＥｚＨｚ和横向电场的一些特点，得到了苦干与文献不同的结果。     

高功率弯波导TE01-TM11模式变换临界角分析

在模式耦合理论的基础上，采用传统的波导轴线圆弧弯曲的方法，对TE01－TM11模式变换器的临界角进行了全面的优化分析。得出在临界角情况下，若考虑多模因素，则不能使TE01－TM11的能量发生全转换，而真正的最优化能量全转换角在临界角的附近，且转换的效率与弯波导曲率相关。     

Sansalvamide A固相合成新方法

报道了Pd催化丁基二乙基硅烷树脂与N-Boc-4-溴代苯丙氨酸甲酯直接反应形成Si—Ar键一步构建出硅基连接分子的新方法, 并采用Boc策略增长肽链, 以PyBOP (benzotriazole-1-yl-oxy-tris-pyrrolidino-phosphonium hexafluoro- phosphate)为环合剂固相合成了sansalvamide A.     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

高折射率芯Bragg光纤的色散特性研究

应用超格子模型分析了高折射率芯Bragg光纤的色散特性，讨论了Bragg光纤的色散的比例性质以及光纤的芯径、包层周期、填充率与波导色散的关系，并利用这些关系举例实现了Bragg光纤在1.55μm附近的宽带色散平坦. 关键词： Bragg光纤 模式 色散 波导色散     

三缺位杂多阴离子PW_9(O_(34))~(9-) 的二苯基硅衍生物的合成和表征

以Na8 H[PW9O3 4 ]·nH2 O与Ph2 SiCl2 为原料于乙腈中合成了三缺位杂多阴离子的二苯基硅衍生物(TBA)3[α-A -PW9O3 4 (Ph2 Si)3 ](TBA为四丁基铵盐的缩写)(记为I),并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征,结果表明,二苯基硅通过六个Si-O -W桥键填充到三缺位杂多阴离子的骨架上,形成了开环的饱和笼形结构.热分析结果表明,该化合物的热分解温度在 4 95.2℃左右     

1.5μm波段基于级联二阶非线性的铌酸锂光波导全光波长变换的理论分析

研究了基于级联二阶非线性的铌酸锂波导全光波长变换器的特性.首先从耦合模方程出发,比较了数值分析结果与小信号近似分析的结果.其次在数值分析基础上,分析了铌酸锂晶体的温度变化导致相应基频光波波长与极化反转光栅周期的变化关系.最后分析了在不同相互作用长度下,转换的光波功率与有效基频光波波长带宽、温度调谐带宽、极化反转光栅周期带宽等关系,以对全光波长变换器件进行优化设计 关键词： 级联二阶非线性 波长变换 准位相匹配 铌酸锂光波导