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81.
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原
关键词:
VO2多晶薄膜
离子束增强沉积
热电阻温度系数 相似文献
82.
以Cu膜为例,用Monte-Carlo算法模拟了薄膜生长的随机过程,并提出了更加完善的模型.在合理选择原子间相互作用计算方法的基础上,考虑了原子的吸附、在生长表面的迁移及迁移所引起的近邻原子连带效应、从生长表面的脱附等过程.模拟计算了薄膜的早期成核情况以及表面粗糙度和相对密度.结果表明,随着衬底温度的升高或入射率的降低,沉积在衬底上的原子逐步由离散型分布向聚集状态过渡形成一些岛核,并且逐步由二维岛核向三维岛核过渡.在一定的原子入射率下,存在三个优化温度,成核率最高时的最大成核温度Tn、薄膜的表面粗糙度最低
关键词:
Monte-Carlo算法
计算机模拟
薄膜生长 相似文献
83.
利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程.研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响.结果发现产生压(张)应变的晶格负(正)失配使生长过程更早(迟)从成核区进入过渡区,失配越大,这一效应越明显.在相同的沉积条件下,负失配导致超薄膜形成较低的成核密度与较大的平均核尺寸,而正失配则相反.成核密度满足标度关系Ns≈(F/D)χ,随着失配度从-0.04增加到0.02,标度系数χ从0.37逐渐减小到0.33,对应超薄膜生长过程从包含二聚体扩散模式转变到无
关键词:
薄膜生长
成核
晶格失配
蒙特卡罗模拟 相似文献
84.
研究了利用磁性薄膜构造Salisbury屏的可能性及其在微波频段的反射率频率特性.结果表明,利用铁磁性材料在铁磁共振频率附近磁化率具有χ″>χ′的特性,可以构造出对电磁波有良好吸收性能的磁性Salisbury屏.通过对铁磁材料高频磁谱物理机理的分析后指出,具有弛豫型共振磁谱的铁磁材料可以构造出薄膜型Salisbury屏,其厚度为微米甚至亚微米量级.反射率的频率特性与磁性材料的特征阻抗z-r有关,它取决于铁磁共振频率和静态磁化率.反射率的频率响应显示磁性薄膜Salisbury屏具有较宽的吸收带宽.
关键词:
磁性Salisbury屏
反射率
频带响应
磁性薄膜 相似文献
85.
86.
报导了Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体在不同温度下的吸收光谱和荧光光谱实验结果 ,研究发现由于电子_声子近共振耦合作用 ,Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体均存在有明显的振动谱 ,Yb :FAP晶体的零声子线在低温下还劈裂为相差 10cm- 1 的两条线 .采用激光选择激发技术研究了Yb3 离子在FAP和C3S2 _FAP晶体中的格位特征 ,结果表明Yb3 离子在这两种基质中都只占据Ca(Ⅱ )格位 ,但由于CaF2 的挥发 ,导致了Ca(Ⅱ )格位的局部畸变 . 相似文献
87.
88.
89.
利用x射线衍射和磁测量研究了不同稳定元素Co以及Ti,V和Cr替代对Nd3Fe29-x-yCoxMy(M=Ti,V,Cr)化合物结构和磁性的影响.研究发现:每一个稳定元素都有一替代量极限,在此极限以内所有化合物均为Nd3(Fe,Ti)29型结构,A2/m空间群.不同稳定元素的溶解极限不同.Co的替代量与稳定元素有关,当以Cr作为稳定元素时,Cr的替代量随着Co含量的提高而提高,直到得到纯Co基3:29相化合物.Ti和V作为稳定元素时,Co原子的最大替代量分别为6.63和12.所有Nd3(Fe,Co,M)29(M=Ti,V,Cr)化合物在室温下均表现为平面各向异性.Nd3Fe26.8-xCoxV2.2的居里温度TC和饱和磁化强度Ms随着Co含量的增加而单调增加,自旋重取温度随Co含量增加而呈上升趋势,但在x=6处有一最小值,这可能与Co的择优占位有关;而Nd3Fe29-x-yCoxCry的居里温度和饱和磁化强度随着Co含量的增加先增加后降低,只在x=0和x=6处观察到自旋重取向现象. 相似文献
90.