化学学习中记忆的7种缺陷

记忆是学生进行其他认知活动的基础,因记忆容量以及保持时间等限制具有一些缺陷,表现为分心、暗示、健忘、纠缠、空白、错认、偏颇等7种类型。记忆缺陷影响着学生的化学学习,了解化学学习中学生记忆的7种缺陷,可以精准地把握学生化学学习产生困难的原因,并采取一定的教学方法改进教学。     

三种不同波长的激光对熔石英损伤行为的对比研究

利用SAGA激光器,输出脉宽为7．2ns、波长分别为1064nm、532nm、355nm的基频光和倍频光,对相同类型的5块石英基片用R：1的方法分别测量了其损伤阂值,对比不同波长激光对石英材料的损伤行为差异。得出其损伤阈值在三种不同波长激光作用下分别为：46．78J／cm^2、13．4J／cm^2、9．28J／cm^2;并利用尼康E600W光学显微镜对三种不同波长激光造成的损伤形貌进行了观察,结合当前光学材料的损伤机理,对比得出倍频激光对石英基片的损伤破坏能力远大于基频光,且对石英材料的损伤机理主要表现为多光子吸收导致的雪崩电离破坏,而基频光的损伤多为表面缺陷及杂质引起的热破坏的结论。     

考虑内部胞元能量等效的代表体元法

具有周期性胞元的超轻质材料在制造和应用过程中,不可避免地会出现基体材料、微结构拓扑和尺寸的随机性变化.此时,评价材料的等效弹性性能需要借助基于均匀化方法(周期性边界条件)或代表体元法(周期性边界条件,均匀应力或均匀应变边界条件等)的蒙特卡洛模拟.该文首先通过算例分析和比较了不同边界条件下的数值结果,讨论了结果的尺度效应和对胞元选取的依赖性.为了提高和改善Dirichlet边界条件下的计算效率和结果,提出了一种考虑内部胞元能量等效的代表体元法.该方法能够有效削弱边界条件和胞元选取的影响,从而实现了采用较小的代表体元得到更好的结果.数值算例验证了方法在预测确定性材料和随机性材料等效模量时的有效性.     

铁电液晶缺陷光子晶体调谐滤波器的设计

将铁电液晶作为缺陷层引入一维光子晶体中,用电场改变液晶分子的取向,形成光子晶体快速可调谐滤波器.用传输矩阵法研究了铁电液晶缺陷光子晶体的可调谐滤波特性,计算了电压和液晶材料参量对滤波器透射谱的影响.结果表明:改变电压能容易改变光子晶体滤波器透射峰的位置、强度、个数和带宽,实现良好的调谐滤波功能.     

蜘蛛丝Ⅲ:超级抗损伤网

介绍蜘蛛丝独特的线弹性-软化-强非线性硬化的应力应变曲线对建造超级抗损伤的和超级带缺陷工作能力的蜘蛛网的作用.这种独特力学性质使得蜘蛛网一旦局部靶载荷超载,承载网丝在经历软化大变形后急剧非线性硬化,独自承担过量载荷,直至断裂,而其余网丝的内力继续保持在安全范围内,实现损伤局部化与极小化.仅改变一下应力应变曲线的形状,就使网具有了超级抗损伤能力,体现了蜘蛛应用力学知识的神奇.     

欢迎征订材料测试类专业期刊

<正>《无损检测》月刊每月10日出版12元/册邮发代号:4-237报道运用现代技术和非破坏方法对材料、设备及产品进行缺陷检测和在线监控的新科技成果及实用经验,反映国内外无损检测行业的发展动向。《理化检验-化学分册》月刊每月18日出版15元/册邮发代号:4-182提供先进、实用、快捷、准确的各种材料与有机物的化学分析与仪器分析方法;介绍化学分析在冶金、机械、石化等行业以及在生命科学、环境科学等专业领域中的应用成果。     

Fe-V-N稀合金中空位复合体特性的研究(Ⅰ)

本文利用正电子湮没技术研究,Fe-V稀合金渗N后出现的V-N-空位复合结构。测定了这种复合结构的正电子湮没寿命值和估算了空位形成能。为解释Fe-V合金渗N后V的增强扩散机制提供实验依据。 关键词：     

大气中Pd-H(D)系中H(D)的释放及其表面附近H的分布

将经过950℃热处理后缓慢冷却及淬火处理的Pd样品,分别作为阴极在重水(D₂O)和轻水(H₂O)中进行150h电解,以引入H和D。用X射线衍射方法测量Pd-H(D)系存放于大气中经过不同时间后的衍射图及β相晶格常数的变化,并用¹H(¹⁹F,αγ)¹⁶O核反应测量H在各Pd-H(D)系表面层中的分布。淬火Pd与退火Pd相对比,在电解吸H(D)后,前者初始含H(D)百分比较高而H(D)的释放速度较快。H的浓度在Pd-H合金的表面处达到极大值而在离表面深度为数百埃处达到极小值。 关键词：     

浅杂质注入LEC半绝缘GaAs γ射线辐照缺陷

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ₂，并且大大增强了原有的Ｅ₀₁（０．２９８）和Ｅ₀₂（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ₀₃。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇₀₁（０．２１６），Ｅ＇₀₂（０．３４１），Ｅ＇₂，Ｅ＇₄和Ｅ＇₅（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ₀₁和Ｅ＇₀₁是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。 关键词：     

AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构

采用定电容电压法,测量了n型Al026Ga074As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态;并对瞬态数据进行数值Laplace变换,得到其Laplace缺陷谱(LDS).通过分析LDS谱,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之间的对应关系,从而得到热俘获系数对温度依赖关系,以及与Sn相关的DX中心部分电子热俘获势垒的精细结构;通过第一原理赝势法计算表明,Sn附近的AlGa原子的不同配置是电子热俘获势垒精细结构产生的主要原因