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991.
992.
A novel SiC Schottky barrier source/drain NMOSFET (SiC SBSD-NMOSFET) with field-induced source/drain (FISD) extension is proposed and demonstrated by numerical simulation for the first time. In the new device the FISD extension is induced by a metal field-plate lying on top of the passivation oxide, and the width of Schottky barrier is controlled by the metal field-plate. The new structure not only eliminates the effect of the sidewalls but also significantly improves the on-state current. Moreover, the performance of the present device exhibits very weak dependence on the widths of sidewalls. 相似文献
993.
994.
本文应用田口方法解决了某大型企业多年来在用户接口电路馈电特性的难题 ,减少了损失 ,这是田口方法在实际运用中的又一成功案例 相似文献
995.
从理论推导和计算机模拟仿真两方面论证了不完全对称的晶体管差分放大电路的共模 输出存在的各种可能性,解释了实验过程中存在的“异常”实验现象,并给出了改善实验 效果的方法与措施。 相似文献
996.
997.
本文以数值模拟的方法,研究了由常海萍教授和过增元院士提出的一种新型冷却换热结构,即构造一个微小循环通道,一端加热,一端冷却。利用彻体力场下流体的热驱动来实现换热。计算中主要通过改变通道宽度,研究不同通道宽度下,循环小通道内水的流动和换热现象。数值结果表明,通道宽度对流动和换热的影响很大,在通道高度一定的条件下,存在着最佳通道宽度,此时换热效果最佳。本文研究内容在高密度封装电子器件的液体透体冷却等场合有较好的运用前景。 相似文献
998.
Nonzero Temperature Squeezing of the Time—Dependent Harmonic Oscillator and the Applications to the Capacitive Coupled Electric Circuit 总被引:4,自引:0,他引:4
LIANGMai-Lin YUANBing 《理论物理通讯》2002,37(5):519-522
A new way to calculate the nonzero temperature quantum fluctuations of the time-dependent harmonic oscillator is proposed and the properties of squeezing are exactly given.The method is applied to the capacitive coupled electric circuit.It is explicitly shown that squeezing can appear and the squeezing parameters are related to the physical quantities of the coupled circuit. 相似文献
999.
<物理通报>2001年第10期刊登了美国莉莲·麦克德莫特的文章<改造学生学习的关键>一文,文中的一些观点,对指导我们的物理教学和学习以及物理教育研究,都具有十分重要的意义.但笔者认为,文中关于一个电路学习的例子的答案是值得商榷的. 相似文献
1000.