大尺寸硅镜超光滑表面加工的面型控制

使用机械-化学抛光法加工大尺寸单晶硅可获超光滑表面,但很难保证良好的面型.提出通过采用开圆孔并连续注入抛光剂的方法来避免抛光盘中心蜂窝眼的出现,可以保证得到良好的面型.最后实验达到较好的面型精度,PV值0.268λ,rns值0.065λ.     

熔石英亚表面修复形貌对光场的调制

基于标量衍射理论, 计算了熔石英亚表面高斯型修复形貌对于光场的调制，用Matlab对结果进行了仿真并与实验结果进行了比较。所得结果表明，二者有较好的一致性, 一定尺度的高斯面型修复形貌会对光场产生调制，且调制度随光场传输位置变化，通过适当选择后续光学元件位置，可降低光场调制造成光学元件损伤的风险。     

轨道车体底座面型测量中多LED关联点目标的数值提取方法

为了抵抗满载时的负载,轨道车辆制造时车体底座会保留一定向上的挠曲变形,这就要求在进行铝蜂窝板和地板胶铺设前对车体底座表面面型进行测量.提出了一种基于点状目标图像测量原理的车体底座面型测量方法,该方法用CMOS相机对车体底座上的4个LED目标进行图像测量,这4个LED形成关联多目标点.先对CMOS相机采集到的LED目标图...     

An－1(1)面模型反射方程的多参数解

利用面型因式化L算子,通过An－1(1)面模型反射方程的对角解,构造了一个含有n+1个任意参数的非对角解.     

大口径激光发射窗口拼接方法研究

针对宽波段高能激光发射窗口口径大,单片ZnSe镜片无法满足使用要求等情况,提出了一种发射窗口的拼接方案。依据设备实际受力情况,对窗口的强度进行分析和计算,使窗口的设计更加合理可行。通过分析设备的工作环境确定窗口边界条件,并进一步利用有限元软件详细分析了激光发射窗口在力-热耦合作用下的镜面变形,用Zernike多项式对窗口内外表面的变形进行拟合,求出窗口在力-热耦合作用下面形变化的Zernike表达式。利用Matlab软件,从光束发散角变化量、衍射极限倍率β值和环围能量比RBQ值三个角度,来分析激光发射窗口在复杂工作环境下工作时对激光束的影响。结果表明,拼接窗口可以大大降低窗口的质量和成本,而且对激光束的影响较小,符合设备使用要求。     

深空太阳天文台磁场望远镜主反射镜热分析

基于空间太阳望远镜已有的光机热集成研究,结合其运载轨道修改、观测视场扩大等因素的调整,获取了深空太阳天文台磁场望远镜主反射镜温度分布的定量结果.采用光机热集成分析法,结合主反射镜前期的支承方案,获取了主反射镜在装夹状态下的热变形定量描述.采用抛物面多项式和Zernike多项式拟合,获取了主反射镜表面热变均方差值大于λ/40(λ=533nm)的热控准确度,无法确保系统获取0.1″的高分辨率成像目标,验证了预研阶段热控方案的局限性.提出修改主反射镜正三角的机框式支撑为六点支撑的建议,为深空太阳天文台磁场望远镜热控准确度的提高、热控方案的优化提供技术参考.     

旋转平行光管主镜背部柔性支撑设计与仿真分析

针对光学动态靶标进行光电跟踪光端机的跟踪精度的测试时,旋转的光电平行光管由于离心场的存在导致主镜面型误差过大的问题,提出了一种基于挠性梁减小旋转平行光管离心工况下主镜面型误差的方法。文章首先针对主镜支撑点径向位置最优布局进行求解,其次在Isight优化平台上对主镜背部支撑挠性梁的关键设计参数进行尺寸优化,最终利用Sigfit软件分析了离心工况下主镜面型误差。采用优化后的主镜支撑方案,反射镜在1.64g离心力作用下,主镜面型精度RMS优于0.03λ(λ=632.8nm),组件一阶固有频率为167Hz。采用4D干涉仪对平行光管的波像差进行检测,检测结果表明,平行光管光机系统的波像差RMS值优于0.067λ。经过仿真分析与检测实验证明,采用挠性支撑的旋转平行光管镜的动态刚度与面形精度满足光学动态靶标的应用要求。     

大型非球面镜的加工和检测

大型非球面的加工和检验 ,通常采用 Offner补偿系统。对 Offner补偿系统进行了详细地论述。采用小口径三片式 Offner补偿系统检测大口径非球面镜 ,系统具有调节、检测方便 ,加工精度高等优点 ,这种方法在实际加工中得到证实。采用 Offner补偿系统加工的大口径非球面 (φ6 30 mm) ,取得了良好的实验效果     

Electrical Characteristics of A1/CNT/NiPc/PEPC/Ag Surface-Type Cell

The blend of nickel phthalocyanine （NiPc） （2 wt. %） poly-N-epoxypropylcarbazole （PEPC）, （1 wt. %） and carbon nano-tube （CNT） powder （2 wt. %） in benzole is deposited by drop-casting on glass substrates with pre-deposited metallic electrodes to fabricate Ag/CNT/NiPc/PEPC/A1 surface type cell. It is assumed that the high nonlinearity of the I — V characteristics is related to deep traps in the nano-scale depletion region in NiPc that is observed experimentally. The values of ideality factor and barrier height are determined from the I — V curve and they are found to be 8.4 and 1.05eV, respectively. The values of mobility and conductivity are calculated to be 7.94 × 10？8 cm/Vs and 3.5 × 10？6 Ω？1 cm？1. The values of ideality factor and series resistance are also calculated by using Cheung＇s functions, which are in good agreement with the values calculated from the I — V curve.