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991.
对于两个生长曲线模型g1=G(X1BZ1,V1,In1)和g2=G(X2BZ2,V2,In2),其中V1和V2是已知的对称非负定矩阵,本文在可估子空间D上对它们进行了比较,得到了g1≥g2(D)的几个充要条件。 相似文献
992.
993.
994.
995.
定义了各种条件多元概率母函数,并利用条件多元概率母函数这一强有力工具研究随机环境中r-维分支链的性质,并给出了其协方差阵的精确计算公式. 相似文献
996.
本文首先对增益控制EDFA进行了理论分析,并用环形腔法实现,检测了这种放大器在不同谐振波长和环形胜损耗条件下的特性,对实验现象进行了分析,并用该放大器进行了系统实验. 相似文献
997.
有增益及损耗的平板波导导模的精确微扰分析 总被引:6,自引:0,他引:6
给出求含有增益层与损耗层的突变与渐变折射率剖面多层平板波导导模的微扰与解析计算公式。举例讨论了导模模式的增益(或损耗)与结构参数和偏振的关系,本文方法较求解复本征值的打靶法等简便且节省机时,对于(半导体激光器与半导体激光放大器等)实际遇到的波导结构能给出精确数值结果,并可用以分析材料的增益系数或损耗对TE和TM模式及其增益的影响等问题。 相似文献
998.
采用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)设备生长并制作了 1 5 5 μmAlGaInAs InP偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变量子阱结构 ,应变量为 0 35 % ;器件制作成脊型波导结构 ,并采用 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射 ;经蒸镀减反膜后 ,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于 0 3dB ,3dB带宽为 5 0nm ,半导体光放大器小信号增益近 2 0dB ,带宽亦为 5 0nm .在 1 5 30— 1 5 80nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 5dB ,峰值增益波长的饱和输出功率达 7dBm ;器件增益随温度的升高而减小 ,当器件工作温度从 2 5℃升高至 6 5℃时 ,增益降低小于 3dB . 相似文献
999.
由主子阵和特殊次序缺损特征对构造Jacobi矩阵 总被引:2,自引:0,他引:2
In this paper,an inverse eigenvalue problem of constructing a Jacobian matrix from its prescribed specially ordered defective eigenpairs and a principal subma-trix is considered.The necessary and sufficient conditions for the existence and uniqueness of the solution are derived.Two numerical algorithms and two numer-ical examples are given. 相似文献
1000.
本文明确指出,利用极值条件,通过测量MCP的极值增益,可方便准确地确定MCP通道内壁二次电子发射材料的特征常数A及其发射的二次电子的平均初始能量(动能)V0。从而可准确设计、制造满足特定要求的MCP。 相似文献