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991.
对于两个生长曲线模型g1=G(X1BZ1,V1,In1)和g2=G(X2BZ2,V2,In2),其中V1和V2是已知的对称非负定矩阵,本文在可估子空间D上对它们进行了比较,得到了g1≥g2(D)的几个充要条件。  相似文献   
992.
韩伟  张玉存 《应用光学》2006,27(5):463-466
为了测量瞬时转速,对旋转体转速在空间坐标系中的关系进行了研究,并建立了旋转机械瞬时转速测量模型。利用线阵CCD技术设计了一种新型光学瞬时转速测量系统。该系统采用3级流水线结构对测量数据进行实时处理。测试结果表明,该方法解决了旋转机械瞬态性能分析中瞬态转速测量存在的缺陷,克服了传统转速测量方法在测量瞬时转速方面存在的不足,为瞬时速度测量提供了另一种思路。  相似文献   
993.
四个LDA侧面泵浦的Nd3+YLF激光放大器构成的高增益放大系统,采用双通放大结构,有效抑制了自激辐射,具有较高的信噪比和能量转化效率,实现了对nJ量级注入脉冲的106以上的高增益放大,具有良好的近场分布与能量稳定性.对系统的工作特性进行了研究,实现了工程化设计,已成功应用于大型ICF驱动器的能量预放大级.  相似文献   
994.
针对高平均功率线阵二极管激光器(DL )芯片的工作要求,开展了相应的封装结构设计和高效冷却技术研究.封装的单条线阵DL连续输出激光功率50 W,工作寿命达到5 000 h,10%占空比准连续输出激光脉冲功率150 W,25%占空比准连续输出激光脉冲功率100 W,工作寿命达到5×109次脉冲.采用模块式封装方式由25个模块堆叠,制作出了连续激光功率1 kW和20%占空比工作脉冲功率2.5 kW的叠阵二极管激光器.  相似文献   
995.
张术林 《数学杂志》2005,25(3):327-332
定义了各种条件多元概率母函数,并利用条件多元概率母函数这一强有力工具研究随机环境中r-维分支链的性质,并给出了其协方差阵的精确计算公式.  相似文献   
996.
何华杰  申云峰 《光子学报》1997,26(8):715-719
本文首先对增益控制EDFA进行了理论分析,并用环形腔法实现,检测了这种放大器在不同谐振波长和环形胜损耗条件下的特性,对实验现象进行了分析,并用该放大器进行了系统实验.  相似文献   
997.
有增益及损耗的平板波导导模的精确微扰分析   总被引:6,自引:0,他引:6  
佘守宪 《光学学报》1997,17(8):61-967
给出求含有增益层与损耗层的突变与渐变折射率剖面多层平板波导导模的微扰与解析计算公式。举例讨论了导模模式的增益(或损耗)与结构参数和偏振的关系,本文方法较求解复本征值的打靶法等简便且节省机时,对于(半导体激光器与半导体激光放大器等)实际遇到的波导结构能给出精确数值结果,并可用以分析材料的增益系数或损耗对TE和TM模式及其增益的影响等问题。  相似文献   
998.
采用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)设备生长并制作了 1 5 5 μmAlGaInAs InP偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变量子阱结构 ,应变量为 0 35 % ;器件制作成脊型波导结构 ,并采用 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射 ;经蒸镀减反膜后 ,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于 0 3dB ,3dB带宽为 5 0nm ,半导体光放大器小信号增益近 2 0dB ,带宽亦为 5 0nm .在 1 5 30— 1 5 80nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 5dB ,峰值增益波长的饱和输出功率达 7dBm ;器件增益随温度的升高而减小 ,当器件工作温度从 2 5℃升高至 6 5℃时 ,增益降低小于 3dB .  相似文献   
999.
由主子阵和特殊次序缺损特征对构造Jacobi矩阵   总被引:2,自引:0,他引:2  
马昌社  胡锡炎  张磊 《计算数学》2003,25(4):463-470
In this paper,an inverse eigenvalue problem of constructing a Jacobian matrix from its prescribed specially ordered defective eigenpairs and a principal subma-trix is considered.The necessary and sufficient conditions for the existence and uniqueness of the solution are derived.Two numerical algorithms and two numer-ical examples are given.  相似文献   
1000.
汪金祥 《光子学报》1993,22(1):31-34,75
本文明确指出,利用极值条件,通过测量MCP的极值增益,可方便准确地确定MCP通道内壁二次电子发射材料的特征常数A及其发射的二次电子的平均初始能量(动能)V0。从而可准确设计、制造满足特定要求的MCP。  相似文献   
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