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Nanoporous Structure in Low-Dielectric Films with Positronium Annihilation Lifetime Spectroscopy 下载免费PDF全文
We investigate nano-porous structures in thin low-dielectric films, i.e. the pore sizes, distributions, and interconnectivity, by using depth profiled positronium annihilation lifetime spectroscopy (PALS). It is found that PALS has good sensitivity to probe both interconnected and closed pores in the range from 0.3nm to 3Onto, even in the film buried beneath a diffusion barrier. A series of low dielectric constant films of organosilicon-silsequioxane with different weight percentages of porogen have been comparatively investigated. The PALS technique can be used to distinguish the open porosity from the closed one, to determine the pore size, and to detect the percolation threshold with the increasing porosity that represents the transition from closed pores to interconnected pores.Furthermore, the pore percolation length can be derived. 相似文献
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33.
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指数分布下步加试验中的区间估计 总被引:3,自引:0,他引:3
在交叉步进应力加速寿命试验中,假定在各组应力下产品的寿命分布为指数分布,对于定数截尾样本,求加速方程中系数的线性无偏估计(BLUE)。在此基础上本文通过构造某些枢轴量,并用Mote-Carlo方法给出了加速系数及正常应力下,产品可靠性特征量的置信区间。最后给出了一个数值例子。 相似文献
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36.
非灰介质中辐射直接交换面积的计算 总被引:2,自引:2,他引:0
用宽带胶其修正模型模拟非灰介质的辐射特性,并将它用于区域法模型,计算了非灰气体介质中表面一表面之间的辐射直接交换面积。结果表明,修正的宽带模型对气体辐射特性的描述是比较准确的,且它易于与区域法相结合。 相似文献
37.
从本期起,本刊连续刊载中国原子能科学研究院研究员杨桢写的《SN 1987A超新星事件》.本栏主持人、中国科大副校长、学部委员钱临照先生大病初愈,便审阅此稿,写下了情真意切的评语.钱先生评语不长,我们加了标题后一同发表,希望更多的学者与读者关心《物理前沿》栏目,使她办得更出色. 相似文献
38.
39.
在e-A深度非弹性散射过程中, 喷注穿过冷核介质时, 多重散射诱导胶子辐射会导致对碎裂函数的修正及喷注的能量损失.前期研究中关于计算e-A深度非弹性散射中胶子辐射振幅的两种方法: 螺旋振幅近似和微扰QCD严格计算都异常繁杂.
本文发展了一种新的方法, 可以方便计算出多重散射导致胶子辐射的振幅, 得到的碎裂函数的修正以及能量损失与严格计算的结果一致. 相似文献
40.
Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献