高质量的光刻胶图型及它对Nb／AlOx—Al／Nb隧道结制备的影响

本文用选择铌膜刻蚀或选择铌膜阳极氧化过程研究了全铌隧道结Ｎｂ／ＡｌＯｘＡｌ／Ｎｂ的制备．借助于ＳＥＭ，利用曝光后烘烤处理研究了高质量光刻胶图形的制备工艺，并分析了其对铌结特性的影响．结面积为７μｍ２的铌结具有典型的ＩＶ曲线，在４．２Ｋ时，他们的特性参数Ｖｍ～２０ｍＶ，能隙电压Ｖｇ～２．７ｍＶ，临界电流密度Ｊｃ～３０００Ａ／ｃｍ２，比电阻ρｎ～１μΩｃｍ２．这些铌结能够被直接应用于ｄｃＳＱＵＩＤ．     

1.06μm激光辐照金盘靶的软X光转换

在１．０６μｍ激光辐照金盘靶实验中，利用坪响应Ｘ光二级管探测器测量了软Ｘ光能量（０．１－１．５ｋｅＶ）角分布，得到了软Ｘ光转换效率。实验条件：激光波长λＬ＝１．０６μｍ，ＥＬ＝６０－５００Ｊ，τｐｍ≈８００ｐｓ，ｆ／１．７，ＩＬ＝１０＾１＾３－１０＾１＾４Ｗ／ｃｍ＾２。实验结果表明：软Ｘ光能量角分粗略呈α＋ｂｃｏｓθ分布，软Ｘ光转换效率随激光强度的增加而降低。当靶面激光焦斑直径２３５μｍ，激光强度     

软X射线激光偏折法测量激光等离子体电子密度分布

利用脉宽约为50ps的类镍银139nm软X射线激光作为探针,探测由脉宽80ps的驱动激光打C8H8靶产生的等离子体在1ns后的电子密度分布信息,获得了清晰的莫尔条纹图像.对结果的处理,给出了峰值电子密度为11×1021cm-3,并对在靶面附近莫尔条纹的消失现象作了初步解释 关键词： 软X射线激光探针 莫尔条纹 等离子体电子密度     

磁性材料进展

本文介绍了磁性材料近年来的进展及应用，主要是在高技术领域的发展和在提高性能、扩大应用范围中有那些技术加工手段及其所起的作用。     

矩底拱面状微透镜阵列的氩离子束刻蚀

在ＺｒＯ２、ＩｎＰ、Ｓｉ及ＳｉＯ２即融凝石英衬底上用氩离子束刻蚀制作面阵矩底拱面状微透镜阵列，给出了氩离子束在不同的入射角度下刻蚀器件的速率与离子束能量之间的关系。实验表明，用国产ＢＰ２１２紫外正型光刻胶制作的光致抗蚀剂掩膜图形在经过优化的工艺条件下可以通过氩离子束刻蚀将预定图形转移到衬底材料中。     

电磁波在军事上的重要应用——电子对抗

 电磁波是人类的共同财富,人类一直就生活在电磁波之中。有史以来,人类就在努力认识、了解电磁波,并积极开发和应用电磁波。在现代战争中,由于电磁波软杀伤武器的出现,对战争的胜负造成极大的影响,因此,电磁波在军事上的一个重要应用---电子对抗已成为世界各国十分重视的研究领域。电子对抗(又称电子战)是指敌我双方用专门的无线电电子设备和器材进行的相互斗争。实质上是利用这些设备、武器产生和接收处于无线电波段内的电磁波,以电磁波为斗争的武器。     

光电化学刻蚀n^＋—Si光致发光

光电化学刻蚀ｎ＋┐Ｓｉ光致发光①李国铮＊张承乾杨秀梅（山东大学化学系济南２５０１００）对ＰＳ的光致发光（ＰＬ），研究最早见于Ｃａｎｈａｍ１９９０年的报导［１］．高孔率的ＰＳ样品在室温下发出强的可见光，被认为是二维量子尺寸效应所致．这一解释很难从实验上...     

软X射线投影光刻技术及其发展(续)

为了提高反射率,软X射线投影光刻中使用的掩膜是制备在多层膜上的反射式掩膜,由于有微缩光学系统,它有相对较大的特征尺寸;同时由于它是制备在镀有多层膜的较结实基片上,使用中有能力避免软X射线照射引起的掩膜热变形,便于实现高精度的光刻复制。在反射式掩膜技术中,需要着重考虑的是掩膜缺陷修复和降低多层膜的损伤。     

20MA(兆安培)的电流

在 10 0ns时间里 ,由电容器中释放出 2 0MA的电流输送到Sandia的Z装置的金属导线笼内 ,从而产生出能量为 1.8兆焦耳的软X射线 ,其峰值功率可达到 2 0 0TW (2× 10 14 W ) .这个Z装置是世界上能量具有最高峰值脉冲功率的装置之一 ,也是最有效率的软X射线源 (其辐射功率在 10 0— 10 0 0 0eV的范围内 ) .它的X射线能量转换系数可达到 10 %— 15 % ,要比其他X射线源的效率高很多 .Sandia的Z装置在两个重要的方面具有潜在的应用价值 ,一是核聚变反应 ,利用它将来可能产生出能实用的商用功率 ;二是可以作为实验室核武器模拟 .由于国际上的…