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| 光电化学刻蚀n^＋—Si光致发光 | |
| 引用本文： | 李国铮,张承乾.光电化学刻蚀n^＋—Si光致发光[J].电化学,1997,3(4):443-446. |
| 作者姓名： | 李国铮 张承乾 |
| 作者单位： | 山东大学化学系 |
| 基金项目： | 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室,中国科学院北京感光化学研究所开放实验室资助 |
| 摘 要： | 光电化学刻蚀ｎ＋┐Ｓｉ光致发光①李国铮＊张承乾杨秀梅（山东大学化学系济南２５０１００）对ＰＳ的光致发光（ＰＬ），研究最早见于Ｃａｎｈａｍ１９９０年的报导［１］．高孔率的ＰＳ样品在室温下发出强的可见光，被认为是二维量子尺寸效应所致．这一解释很难从实验上... |
| 关 键 词： | PS 硅 刻蚀 光致发光 |
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