|
|||||
|
|
| 软X射线投影光刻技术及其发展(续) | |
| 引用本文： | 金春水,曹健林.软X射线投影光刻技术及其发展(续)[J].物理实验,2002,22(6):3-6. |
| 作者姓名： | 金春水 曹健林 |
| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,长春,130022 |
| 摘 要： | 为了提高反射率,软X射线投影光刻中使用的掩膜是制备在多层膜上的反射式掩膜,由于有微缩光学系统,它有相对较大的特征尺寸;同时由于它是制备在镀有多层膜的较结实基片上,使用中有能力避免软X射线照射引起的掩膜热变形,便于实现高精度的光刻复制。在反射式掩膜技术中,需要着重考虑的是掩膜缺陷修复和降低多层膜的损伤。 |
| 关 键 词： | 软X射线 投影光刻 技术发展 掩膜 多层膜 集成电路 制造技术 |
| 修稿时间： | 2002年1月10日 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |