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31.
非负矩阵与有向图的谱半径 总被引:2,自引:0,他引:2
本文给出非负矩阵的谱半径的上界、下界,由此给出有向图的谱半径的界. 相似文献
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37.
Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed. 相似文献
38.
39.
程建纲 《数学物理学报(A辑)》2005,25(4):482-488
该文考虑两点边值问题[1/q(t)][q(t)y′(t)]′+p(t)f(y(t))= 0,λ_1 y(α)-λ_2y′(α)=0 and y(β)=B非负解的存在性, 其中p(t)可能在t=α或t=β附近具有奇异性, f(0)≥0,
lim_(y→+∞)f(y)/y=+∞, 并且存在y>0, 使得f(y)<0. 相似文献