Intensity Distribution and Phase Vortices of Speckle Fields Generated by Multi-Aperture Random Scattering Screens

The intensity distribution and phase vortices of the speckle fields generated by multi-aperture random scattering screens are simulated, and it is found that the vortices exhibit layer-like structures and the dislocation phenomena occur in the local phase patterns produced by the two-pinhole aperture, whose phase distributions appear as striped structures. For three- or four-pinhole aperture, there are many circular bright spots appearing in the speckle grains, and there is one vortex between the neighboring circular bright spots. The positive and negative phase vortex lattices appear in the phase distributions, and the regions circled by the isothetic phase lines form irregular quadrilaterals or hexagons. Moreover, the relative positions of the vortices or bright spots can be adjusted by changing those of the pinhole apertures.     

Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs

Using self-consistent calculations of million-atom SchrSdinger-Poisson equations, we investigate the I-V characteristics of tunnelling and ballistic transport of nanometer metal oxide semiconductor field effect transistors （MOSFET） based on a full 3-D quantum mechanical simulation under nonequilibtium condition. Atomistic empirical pseudopotentials are used to describe the device Hamiltonian and the underlying bulk band structure. We find that the ballistic transport dominates the I-V characteristics, whereas the effects of tunnelling cannot be neglected with the maximal value up to 0.8mA/μm when the channel length of MOSFET scales down to 25 nm. The effects of tunnelling transport lower the threshold voltage Vt. The ballistic current based on fully 3-D quantum mechanical simulation is relatively large and has small on-off ratio compared with results derived from the calculation methods of Luo et al.     

大尺寸单元自组装准晶研究评述

不同于传统的晶体,准晶由非单一的结构单元以一种非重复的方式铺满空间而构成.准晶的形成依赖于短程序和长程序之间微妙的协同,因此准晶常常只在很窄的参数窗口内能得到.近年来,人们利用纳米以至微米级的结构单元,通过溶液中自组装或者在模板上生长,成功地获得了多种大尺寸结构单元的准晶结构.近年的研究还发现,在自然界的矿物中和中世纪伊斯兰建筑装饰上都能找到准晶结构.对准晶结构的多角度、多学科探索,有助于实现准晶的人工设计和生长.     

扩展光源对测量误差的影响

目前,大部分高校做牛顿环实验时,一般采用的都是扩展光源钠光灯．因扩展光源可看成由无穷多点光源组成,可以增加等厚干涉条纹的亮度,所以教材上都指出用扩展光源做牛顿环实验有利无害,但很少强调扩展光源放置的位置和形状对等厚干涉条纹的影响．我们在牛顿环实验中进行探究式教学时发现,扩展光源放置的位置可以影响干涉条纹的形状,     

扭转预变形提高Cu71.6Al17Mn11.4形状记忆合金强度和阻尼性能的研究

为了提高铜基形状记忆合金(SMAs)的强度和阻尼性能,并保持较高的恢复应变,本文选择扭转预变形工艺(TPD)对Cu71.6Al17Mn11.4 SMA进行预变形处理,并且研究了几种不同TPD变形量对Cu71.6Al17Mn11.4 SMA的力学性能和相组织结构的影响.结果表明,通过TPD处理后,Cu71.6Al17Mn...     

带有源项的广义Chaplygin气体磁流体Euler方程组Riemann解的极限

研究了带有源项的广义Chaplygin气体磁流体Euler方程组Riemann解的极限.由于非齐次项的影响,带有源项的广义Chaplygin气体磁流体Euler方程组Riemann解不再是自相似的.当压力和磁感强度同时消失时,它的解会收敛到零压流输运方程组的Riemann解,解中会出现δ-激波和真空现象.同时研究还得到了仅当磁感强度消失时,它的解会收敛到非齐次广义Chaplygin气体Euler方程组的Riemann解,并且解中只出现δ-激波.     

混合优化RBF-BP网络的板形缺陷识别

针对传统板形模式识别方法存在精度低、鲁棒性弱的问题,提出了一种混合优化RBF-BP组合神经网络板形模式识别方法。首先利用自组织映射网络(SOM)对样本聚类,利用聚类后的网络拓扑结构确定RBF的中心,并计算RBF的宽度,克服了传统聚类算法随机选取中心导致聚类结果不稳定的问题。然后利用遗传算法(GA)良好的全局搜索能力优化整个网络的权值。RBF-BP组合神经网络是由一个RBF子网和一BP子网串联构成的,该网络同时具备BP神经网络能较好地预测未知样本的能力以及RBF神经网络的逼近速度快的优点。并以某900HC可逆冷轧机板形识别为应用背景,在MATLAB2010a环境下进行仿真实验,结果表明混合优化RBF-BP组合神经网络的板形模式识别方法能够识别出常见的板形缺陷,提高了板形缺陷识别精度并具有较好的鲁棒性,可以满足板带轧机高精度的板形控制要求。     

可变抽样区间的多变量自相关过程VAR控制图

基于批量-均值法的思想,向量自回归(VAR)控制图对多变量自相关过程的较小偏移可以进行有效控制。为了提高多变量自相关过程监控效率,本文研究可变抽样区间的VAR控制图。首先,对多变量自相关过程的VAR控制图进行可变抽样区间设计;然后,用蒙特卡洛模拟方法计算其平均报警时间;最后,以平均报警时间为评价准则,对所设计的可变抽样区间VAR控制图与固定抽样区间的VAR控制图进行比较研究。研究结果表明:所设计的可变抽样区间多变量自相关过程VAR控制图较固定抽样区间的多变量自相关过程VAR控制图能更好的监控过程的变化。     

度量图上两个微分算子乘积的自伴性

本文研究了度量图上二阶及四阶局部微分算子积的自伴顶点条件.在研究闭区间[a,b]上积算子自伴性的基础上,运用度量图上高阶局部微分算子的自伴顶点条件得到了积算子自伴的充分必要条件.此外,给出了积算子自伴与原算子自伴之间的关系.     

我国人口出生率自相关函数的代际影响数学模型

根据"代际影响的数学模型"中的思想,即大量应用中的时间序列,其跨时间相关性往往呈现出某种周期性质,对我国1949—2019年的出生率数据fj(j=0,1,…,70),人口出生率自相关统计量σ(k)建立了模型:σ*(t)=[A+(1-A)cos(2πt/P)]e-λt2.利用最小二乘法找到了模型的参数A、λ和P.实验表明,该模型对我国1949—2019年4个阶段的出生率自相关函数有很好的反映.通过分析各阶段的模型参数得出:生育周期P的周期性变化及总体呈逐渐缓慢拉长趋势;大趋势衰减因子λ呈明显的递增趋势,从而影响广度σ逐渐缩短.随着社会影响对家庭格局的冲击,人们的生育思想越来越自由,越来越不受前人影响.