碳分子线基态特性理论研究

从第一原理出发,利用密度泛函理论B3LYP系统研究了碳分子线Cn(n＝3～10)的电子结构特性.对优化结果分析发现,由于离域效应的作用,当n为奇数时,分子线基态为单重态,反之,当n为偶数时,三重态为其稳定的基态.对其电子结构分析可得,随着n的增加,体系能量逐渐降低;同时本文确定了分子线体系最高占据轨道HOMO能量EH、最低未占据轨道LUMO能量EL与n的关系式,即EHn-2＜EHn＜EHn+2,ELn-2＞ELn＞ELn+2.因而碳分子线的费米能级会表现出特有的奇偶性.该工作将有利于准确认识分子器件的伏安特性,设计出良好性能的分子器件.     

通过幺正操作传送未知两个三能级粒子纠缠态

我们提出一个把未知的两个三能级粒子纠缠态传送给两个接收者的方案,该方案使用一个未知的五个三能级粒子纠缠态作为量子通道。必须指出该方案能够推广到传送未知的N个三能级粒子纠缠态给M个接收者的情况,使用的是未知(N.M 1)个三能级粒子纠缠态作为量子通道。在传送过程中,需要执行适当的幺正操作和(N.M 1)次独立测量,而且该方案不涉及Bell态测量。     

Xα交换参数对钠原子激发态能级的影响

基于自由电子气近似,可得到很多种不同的交换参数的理论算法.本文利用这些交换参数模型,对Na原子的主线系4p～15p的激发态能级进行了计算.通过计算结果与实验值比较,认为基于维里定理的交换参数算法应更优于其它理论模型.     

玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能

对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利 关键词： 纳米晶体 生长机理 深能级缺陷     

（0,1;0）-INTERPOLATION ON INFINITE INTERVAL （-∞, ＋∞）

In this paper, we study the explicit representation and convergence of （0, 1;0）-interpolation on infisite interval, which means to determine a polynomial of degree ≤ 3n - 2 when the function values areprescribed at two set of points namely the zeros of Hn（x） and H′n （x） and the first derivatives at the zerosof H′n（x）.     

VOn±(n=0,1,2)的势能函数与光谱常数研究

用密度泛函B3LYP/6-311++G(d,p)方法和相对论有效实势(Lanl2dz基组)对VO^n±(n=0,1,2)分子离子的势能函数及光谱常数进行了分析. 结果表明它们都能稳定存在, 其基态电子状态分别是:⁴Σ(VO^2-), ³Σ(VO^-), ⁴Σ(VO), ³Σ(VO⁺)和²Σ(VO²⁺). 其中VO^2-和VO²⁺的势能函数曲线呈“火山口”型, 属于亚稳态分子离子. 用七参数Murell-Sorbie势拟合VO^2-和VO²⁺分子亚稳态双原子分子离子势能函数, 发现其拟合曲线与势能函数曲线符合得很好. 同时,讨论了电荷对势能函数和能级的影响. 关键词： 分子离子 密度泛函理论 势能函数 能级     

磁场对氩原子ArI5p[3/2]2能态碰撞消激发与碰撞消取向的影响

在空心阴极放电激光诱导荧光实验中，当加强外磁场于观察方向，采用“魔角”激发，对氩原子ArI5p［3/2］₂能态，外磁场强度越强，则碰撞消激发速率越快，而碰撞消取向速率反而越慢，其总的效果是导致弛豫曲线的衰减速率随磁场强度增强而变缓．ArI5p［3/2］₂的自然能级寿命在不加外磁场情况下为120±5ns． 关键词：     

126Cs的高自旋态能级结构

利用融合蒸发反应¹¹⁶Cd(¹⁴N,4n)¹²⁶Cs布居了¹²⁶Cs的高自旋态.观测到了100多条新的γ跃迁和相应的能级,建立了双奇核¹²⁶Cs由9个转动带构成的能级纲图.尝试性地指定了大部分能级的自旋和宇称以及各转动带的Nilsson单粒子组态.极大地丰富了已有的实验结果.     

12Cs新能级的观测

通过¹¹²Sn(¹²C,p2n)反应产生了处于高激发能高角动量态的¹²¹Cs核.用在束γ技术对其退激γ进行了测量和研究.在πh11/2,ΔJ=2和πg9/2,ΔJ=1带上各观测到了两个新能级.     

Yb原子高激发态的斯塔克光谱

采用ππ偏振激光，通过两步激发和光电离方法，在０－１５４Ｖ／ｃｍ电场范围内，测定了Ｙｂ原子ｎ－１８附近ｍ＝０的斯塔克光谱，首次把包含斯塔克效应的能量矩阵对角化方法推广到Ｙｂ原子，所获得的理论斯塔克图与实验结果基本符合，观察到低场中斯塔克簇随电场增加呈现线性结构以及＾１Ｐ１态与斯塔克簇在抗交叉过程中振子强度发生转移的现象，讨论了结构与量子亏损的关系。