Sb2Te3及其固溶体的电子结构

以Ｓｂ２Ｔｅ３及固溶体材料的制备与测试数据为依据，采用量子化学的理论及近似方法，计算得出材料的电荷分布，态密度，能级等结果，与实验数据基本一致。其结果对材料的研制具有指导意义。     

绝对脱附速度和表面饱和覆盖度的关系：CO／Rh

利用同位素跳跃技术,对ＣＯ／Ｒｈ体系详细研究了不同温度下,气相压强使表面达饱和吸附时的绝对脱附速度与表面覆盖度的关系以及表面饱和覆盖度与表面温度的关系。首次找到了此条件下表面饱和覆盖度与表面温度的函数关系。发现了绝对脱附速度随饱和覆盖度的降低而增加的经验规律。由于在此条件下,绝对脱附速度等于绝对吸附速度,从而推导出绝对脱附速度与表面饱和覆盖度的关系。文献中未曾报导过把脱附动力学与化学吸附平衡相关联的实验结果。获得的经验规律对探讨吸附过程中的吸脱附以及交换机理提供了强有力的实验依据。     

氧化锌纳米带的低温无催化热蒸发制备及其表征

通过纯锌粉蒸发，在600 ℃无催化条件下成功制备了高质量的不同形貌的ZnO纳米带.该制备方法中控制产物形貌和尺寸的关键是氧、氩及锌蒸气的流速及分压.扫描电镜及高分辩透射电镜观察显示，氧化锌纳米带具有规整光滑及齿状等不同形貌，且皆为单晶，其生长由固-气机理控制.室温光致发光谱表明，齿状氧化锌纳米带在390 nm附近形成紫外发射峰；在455～495 nm时，形成绿光发射峰，该处由4个次级发射峰组成.     

带能力限制的混合形专用线非直达车流取送问题优化

针对铁路枢纽地方货物流小运转作业系统,研究一类带能力限制的混合形专用线非直达车流取送优化问题。以在站停留车小时费用和调机取送成本之和最小化为目标,考虑装卸站装卸能力、调机牵引能力、瓶颈区段能力、调机日走行时长等能力限制条件,构建问题模型。鉴于模型直接求解较为困难且效率低下,故设计三阶段综合优化策略。该策略首先利用基于作业编码、顺序调整与批次划分的TPA过程完成初始取送作业方案生成,进而基于迭代寻优思路设计FPUA更新过程完成取送作业方案的优化,最后考虑批次时间窗、空闲原则与调机走行利用EAA过程完成调机分配。设计实验场景,对所提出的方法进行过程验证,并设计不同规模问题,对算法进行测试对比与性能评估。     

三维光子晶体典型结构完全禁带的最佳参数理论分析

基于平面波展开法，理论分析了晶格结构、填充率、介电常数比等因素对fcc，diamond，woodpile三种三维光子晶体典型结构完全禁带的影响.三种结构中，fcc结构由于高对称性导致的能级简并，只适用于密堆积排列的反蛋白石结构；diamond结构非常容易产生高带隙率的完全禁带，并且可以通过调节多项参数得到所需的完全禁带；woodpile结构参数调节范围比较宽，为实验制备带来方便.对于不同的三维光子晶体结构，随着介电常数比的增大，完全禁带的宽度和带隙率也会随着增大.还发现了一些以前未引起注意的现象. 关键词： 三维光子晶体 完全禁带 介电常数比 带隙率 平面波展开法     

扁椭球πh9/2⊙νi13/2转动带的低自旋旋称反转

利用标准在束γ谱学方法研究了^188,190Tl的高自旋态结构, 实验建立了基于扁椭组态πh_9/2⊙νi_13/2的强耦合转动带. 重新指定了双奇Tl核中πh_9/2⊙νi_13/2扁椭转动带的带头自旋, 从而揭示了这些转动带在低自旋时存在旋称反转. 首次确定了扁椭πh_9/2⊙νi_13/2带内存在低自旋旋称反转, 并在粒子-转子模型框架内对该现象进行了解释.     

平行机排序问题的列生成解法

基于整数规划的线性松弛,探讨求解大规模带权总完工时间排序问题的列生成算法的基本原理.然后,结合动态规划和分枝定界技术,对大规模排序问题P‖∑wiCj提出一类求解精确(最优)解的列生成算法.     

绝对损失下双边截断型分布族参数的渐近最优经验Bayes估计

本文在绝对损失下构造了双边截断型分布族参数的经验Bayes估计,并在合适的条件下证明了该估计的渐近最优性.最后,给出两个有关本文主要结果的例子.     

Absolute Generalized Oscillator Strength Profile of Negative Ion Resonance at 8.9 eV in C2F6

A temporary negative ion resonance at 8.9eV in C2F6 has been clearly identified using angle-resolved electron energy loss spectroscopy at 2.5 keV impact energy, and can be attributed to electron capture into 1^2a1u, 1^2a1g, 2^2a2u, and 1^2eg ,yirtual molecular orbitals. The corresponding absolute generalized oscillator strength profile is found to have a shape characteristic of non-dipole interaction with the maximum K - 0.8 a.u. of momentum transfer.     

Growth and Characterization of Cu2O Films Made by Rapid Thermal Oxidation Technique

Cu2O thin films with （111） preferred orientation have been grown on glass and Cu substrates by rapid thermal oxidation of Cu at 500℃ for 45s. The optical band gap energy was determined by spectral data of transmittance and absorbance to be 2.04eV. The electrical conductivity of grown films was measured around （1：1 × 10^-5Ω^-1cm^-1） at 300K. Thermoelectric power measurements of the film were carried out. Furthermore, the properties of these films are compared with properties of Cu2O obtained by other methods.