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将爆磁压缩等效为电流源的方法,对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析,得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形(简称负载电流)为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数,脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比,负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间,斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间,从而可能增加充电电压的幅值,提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。 相似文献
32.
We propose a scheme for light amplification in an asymmetric double quantum well, where two excited states are coupled by resonant tunnelling through a thin barrier in a three-level system of electronic subbands. By applying a single driving laser, the steady state gain can be obtained. The calculated gain spectrum for an asymmetric GaAs/AlGaAs double quantum well structure was presented. 相似文献
33.
Spin-Polarized Tunnelling Magnetoresistance Effects in La0.833K0.167MnO3/SrTiO3 Polycrystalline Perovskite Manganites
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A sample of La0.833K0.167MnO3-SrTiO3 (LKMO/STO) is fabricated by the sol-gel method. The microstructure,magnetic and transportation properties have been studied. X-ray diffraction patterns indicate that the structure of LKMO/STO is a homogeneous solid solution phase. The resistivity of LKMO/STO shows the insulator behaviour, which is different from La0.833K0.167MnO3 (LKMO) whose resistivity shows metal-insulator transition with decreasing temperature. The low-field (moH = 0.02 T) magnetoresistance decreases from 11% to 0.2% with the increasing temperature from 4 K‘to 220K for the LKMO/STO sample. The magnitude of magnetoresistance in a strong field (μoH = 5.5 T) almost increases linearly with decreasing temperature and reaches the maximum of 65% at the low temperature of 4.2K, which is much higher than that oE LKMO (40%). The enhanced low-field magnetoresistance effects are quantitatively explained by the spin-polarized tunnelling at grain boundaries. 相似文献
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35.
探讨了设计负动量压缩因子(αp<0)的正负电子对撞机储存环磁聚焦结构的可行性及方法.作为应用实例,说明了设计αp<0的τ–粲工厂磁聚焦结构的可能性. 相似文献
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38.
本文介绍了多路逆磁测量方法及利用这一方法在HER装置上测量热电子环沿轴向的长度与晃荡电子密度的轴向分布的实验结果。 相似文献
39.
40.
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 总被引:9,自引:4,他引:5
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 相似文献