束流发射度对质子照相色差模糊的影响

分析了质子照相过程中发射度的增长过程。开展了照相系统设计,针对设计的照相系统,采用理论分析和蒙特卡罗计算的方法,具体分析了各个发射度增长因素的影响程度。分析结果表明:对于高能质子照相,加速器的引出发射度对系统的色差模糊的影响可以忽略,但对于中能质子照相,加速器的引出发射度不可忽略。可通过提高加速器引出系统的聚焦能力和减小散束器的厚度来减小发射度影响。     

W波段回旋行波管输入输出段的改进设计

在回旋行波放大器的设计中,输入输出段的性能直接影响到整管输出功率、效率及增益。设计了一种采用渐变过渡段的输入耦合器来减少电子注在前端的截获,而且略微地提高了耦合特性,有效带宽达到4.06 GHz。采用二级切比雪夫渐变波导作为输出结构的耦合输出段,从仿真结果得到,在整个工作频段内,该结构中TE01工作模式的反射低于-20 dB,TE01模向杂模TE02和TE03的耦合分别在-20 dB和-30 dB以下。     

光学元件损伤在线检测图像处理技术

针对光学元件损伤图像中损伤区域的高精度检测问题,对内全反射照明下光学元件损伤图像的处理技术进行了研究。根据在线检测图像中损伤区域中心峰值的信号强度高于局部背景的信号强度这一特点,利用高斯滤波器生成待检测图像的局部信号强度比图像,实现了对损伤区域的低漏检率自动定位;根据CCD的成像原理,利用辐射标定的方法建立起损伤区域的尺寸与其在图像中总灰度的关系方程,实现了损伤区域的亚像素高精度尺寸测量。实验结果表明,与传统的光学元件损伤图像处理算法相比,本文提出的算法在保持低漏检率的同时大大提高了损伤区域的测量精度。     

X波段高功率微波选模定向耦合器

高功率、长脉冲是高功率微波技术发展的趋势,提高微波器件的功率容量成为一项重要的任务,使用过模器件可以有效提高微波源的功率容量,然而却会带来微波源中同时存在多种模式的问题。为了识别一个X波段长脉冲过模高功率微波源的输出主模TM01模式,设计了一种在线选模定向耦合器,进行了理论分析和模拟优化设计。当频率范围为9.2~9.6 GHz时,模拟结果显示该选模耦合器对TM01模的耦合度为-54 dB,在400 MHz带宽内定向性大于35 dB,对TM02模的抑制度大于15 dB,功率容量可达到3 GW以上。     

束流发射度对太赫兹微电真空折叠波导行波管性能的影响

采用理论分析与数值模拟相结合的方法,分别对140,220和345 GHz折叠波导行波管中的束流发射度的影响因素及其对直流导通率的影响进行了分析,总结了发射度随频率、结构参数和电子束参数的变化规律。研究发现,在太赫兹频段束流发射度直接决定着聚焦磁场的选取设计, 是表征太赫兹频段束流品质的一个重要参量。     

回旋加速器束测探头感生放射性实验研究

基于束流沉积法测量回旋加速器内部束流参数将在束测探头上产生感生放射性污染,从而对加速器调束工作人员带来不必要的辐射危害。采用AGM-6型监测仪对探头感生放射性进行在线测量,通过测量不同半径处探头受辐射后的空气比释动能率,间接反映探头感生放射性的强弱和危害。研究结果表明,在束流调试实验中,应尽量降低馈入高频的占空比;探头测量后冷却2~3 h取出,则不需要考虑测量探头辐照后的残留感生放射性的危害。     

基于MATLAB的布朗运动数值模拟

运用MATLAB软件平台模拟T--维布朗运动的动态画面。并定义了粒子群分布离散度尺,研究迭代步数后,噪声强度系数。与粒子群分布离散度R的关系,通过曲线拟合得到关系式R∝√k与R∝Cs。     

丙烯腈-尿素包合物的形成过程及特征

利用差示扫描量热法(DSC)和X射线衍射(XRD)研究了在不同丙烯腈/尿素投料比情况下的丙烯腈-尿素包合物的形成过程和组成. 实验结果表明DSC是一种研究包合物的客主比及分解热的有效方法. 测定了丙烯腈-尿素包合物的客主比和分解热分别为1.17和5361.53 J/mol. 同时发现丙烯腈-尿素包合物的形成依赖于冷冻时间,在足够长的冷冻时间之后丙烯腈-尿素包合物的组成达到稳定状态. 实验结果表明,丙烯腈分子可能是采用堆叠的方式排布在尿素晶道结构中. XRD结果表明只要丙烯腈分子进入尿素晶格中,丙烯腈-尿素包合物的结构便形成了,并且这种结构与形成过程终了时的结构是一致的. 只要丙烯腈是足量的,包合物中的丙烯腈分子排列会随冷冻时间的延长而增长,直到尿素的晶道结构被丙烯腈分子填满.     

电子磁矩对同步辐射频谱的修正

本文从偶极子辐射场的Heaviside-Feynman表达式出发, 用经典的电动力学方法推导了考虑内禀磁矩影响后的相对论电子辐射频谱分布的表达式, 并对做匀速圆周运动的极端相对论性电子的同步辐射, 计算了两个偏振方向上的考虑磁矩修正后的辐射谱. 计算结果表明对于特征频率为ω_c的同步辐射, 如果ħω_c≥10 keV, 内禀磁矩对辐射的修正是可观的. 通过同步辐射的内禀磁矩修正, 本文讨论了电子束极化度与辐射场偏振度的依赖关系, 并基于此关系提出一种测量电子束极化度的新方法. 关键词： 同步辐射 电子内禀磁矩 同步辐射偏振度 束流极化度     

单载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器的研究

基于器件仿真器Atlas, 建立了InP/InGaAsP单向载流子传输的双异质结光敏晶体管(UTC-DHPT)的二维模型, 分析讨论了器件性能与外延结构参数的关系. 设计出同时具有高响应度(≥17.93 A/W)和高特征频率(≥121.68 GHz)的UTC-DHPT, 缓解了传统的异质结光敏晶体管光电探测器中探测效率和工作速度的矛盾. 关键词： 单向载流子 光敏晶体管 电流放大倍数 响应度