铁、铬、钒原子激发态的光电离截面

这篇文章分别在278～288nm、335～361nm、300～310nm激光波长范围内分别报道过渡金属中的铁原子、铬原子和钒原子的共振增强多光子电离(REMPI)的实验结果.实验中采用激光烧蚀和分子束相结合的技术制备金属原子.光离子产物由飞行时间质谱仪检测.根据共振电离离子信号对探测激光功率的依赖关系,得到原子激发态的光电离截面值.     

一氧化硅电致激发光谱理论研究

采用含时密度泛函(Time-dependent density functional theory)TDDFT/6-311++g(d,p)方法研究了一氧化硅分子能量最低的10个单重激发态的激发波长和跃迁振子强度等激发光谱参数.同时利用原子与分子物理相关理论分析了外电场对一氧化硅分子激发光谱的影响规律.得到的结论是,随外电场强度增强,一氧化硅分子激发态跃迁光谱向可见光区域发生红移.该结果为通过外电场调制材料发光特性提供了理论支持.     

原子激发态在高频强激光作用下的光电离研究

本文通过数值求解动量空间的三维含时薛定谔方程, 研究了原子高激发态在高频激光脉冲作用下, 在电离阈值附近的光电子能谱和两维动量角分布. 研究结果表明: 在该能量范围内, 单光子电离过程的贡献是最主要的. 体系初态的主量子数可以由光电子能谱峰值的位置来确定; 体系初态的角量子数可以通过光电子的两维动量角度分布确定. 在比较宽泛的参数范围内, 这一规律不随入射激光的强度和脉冲时间宽度的改变而改变, 因此原则上可以利用它对原子的初态进行识别. 此外, 还研究了体系的初态为相干叠加态, 光电子动量谱随着叠加态相对相位的变化规律. 关键词： 阈上电离 激发态 高频激光脉冲 两维动量角度分布     

氮气在100 eV以下的绝对振子强度密度

在入射电子能量为2500 eV、能量分辨为100 meV的条件下，得到了氮气在100 eV以下的绝对光学振子强度密度和广义振子强度密度；得到了23 eV和31.4 eV两个超激发态的绝对广义振子强度、并讨论了它们的动量转移依赖特性。     

Cs蒸气中的碰撞能量合并和6P3/2和6P1/2间的激发转移

通过激发转移和碰撞能量合并研究了Cs(62P)精细结构混合.单模半导体激光器激发基态Cs原子至6P3/2态,直接荧光是由6P3/2态发射的,敏化荧光是由精细结构碰撞转移和碰撞能量合并产生的.由相对荧光强度得到了转移截面σ(6P3/2→6P1/2)=(1.5±0.5)×10-15cm2,与其它实验结果进行了比较.     

水分子OH键振动能谱的计算

假定自陷作用的强度与激发态相关，定性地分析了能量随参数变化的规律，并根据已知低能级的实测数据，拟合出了参数与激发态能级层次序数ｎ之函数关系，并以此计算较高能级的理论值，得到了更好的结果。     

夫兰克—赫兹实验（教与学）

一、导言近代物理实验是物理系学生在大学学习过程中的一个重要环节,对今后无论是着重实验还是着重理论的工作者来说,都起着承上启下的作用,因此实验教学应注重于学生科学研究能力的培养和开发。以此为目标,我们在总体安排或单个实验的设计上都始终要求学生:(1) 注重实验现象,发现并提     

核ANC和激发态中子晕

利用转移反应¹¹B(d,p)¹²B和¹²C(d,p)¹³C抽取¹²B<—>¹¹B+n和¹³C<—>¹²C+n重叠函数的核渐近归一化常数,计算了¹²B和¹³C核中价中子密度分布的均方根半径及其在核外的几率.实验结果表明,¹²B的第二(J^π=2^－),第三(J^π=1^－)激发态和13C的第一(J^π=1/2⁺)激发态为中子晕态,而¹³C的第三(J^π=5/2⁺)激发态是中子皮态.考察了库仑势和角动量对晕形成的阻碍效应.提出了均方根半径对于有效核子分离能的统一的标度定律.     

A≈80区奇–奇核80,82Rb的晕带能谱计算

在A≈80区奇-奇核旋称反转问题上已提出几种机制,但没有一种理论推断是结论性的.在本工作中将角动量投影壳模型应用到^80,82Rb核,对组态为πg_9/2⊙νg_9/2的正宇称晕带和组态为π(p_1/2,p_3/2,f_5/2)⊙νg_9/2 的负宇称晕带理论计算和实验结果进行了比较,特别是对正宇称晕带中的signature反转机制进行了探讨.角动量投影壳模型计算显示正宇称晕带中的signature反转是原子核随自旋增加形状发生变化的信号,其间原子核从低自旋的长椭球变到高自旋的扁椭球.此外,还确定了此两带的原子核形状