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In this paper,large-sized sapphire (230×210 mm,27.5 kg) was grown by SAPMAC method (sapphire growth technique with micro-pulling and shoulder-expanding at the cooled center). Dislocation peculiarity in large sapphire boule (0001) basal plane was investigated by chemical etching,scanning electron microscopy and X-ray topography method. The triangular dislocation etch pit measured is 7.6×101~8.0×102 cm-2,in which relative high-density dislocations were generated at both initial and final stages of crystal growth. The analysis of single-crystal X-ray topography shows that there are no apparent sub-grain boundaries; the dislocation lines are isolated and straight. Finally,the origins of low-density dislocation in sapphire crystal are discussed by numerical analysis method. 相似文献
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A three-dimensional (3D) ordered structure was achieved by self-organization of monodisperse polystyrene latex about 250nm in diameter after being ambient dried. The stacked morphology was investigated by scanning electron microscopy(SEM) observation. It is shown that the face-centered cubic(FCC) phase dominantly exists. This finding presents a potential template for preparing an inverse FCC structure as a photonic crystal of full band gap if the index contrast is higher than 2.8. 相似文献
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Zr(Y)O2衬底上大面积YBCO薄膜表面组织状态的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
使用配备有EDS和ECP附件的SEM、AEM、和STM研究在750和800℃的Zr(Y)O2衬底上磁控溅射沉积的大面积YBCO超导薄膜的表面组织。YBCO薄膜为c轴取向单晶,但衬底温度为800℃时,膜表面的突出组织多为CuO颗粒,小坑较多,表面粗糙;衬底温度为750℃时,突出组织多为棒状和多边形123结构,很少小坑,表面较平整。 相似文献
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用匀胶机通过溶液铸膜方法在硅片和铝箔基板上分别制备具有不同厚度的聚(ε-己内酯)(PCL)薄膜. 通过原子力显微镜(AFM)和偏光衰减全反射傅里叶红外光谱(ATR-FTIR)对薄膜中PCL的结晶形貌、 片晶生长方式及分子链取向进行了研究. AFM结果表明, 在200 nm或更厚的薄膜中, PCL主要以侧立(edge-on)片晶的方式生长; 对于厚度小于200 nm的薄膜, PCL片晶更倾向于以平躺(flat-on)的方式生长. 这种片晶生长方式的改变在硅片和铝箔基板上都表现出同样的倾向. 此外, 在15 nm或更薄的薄膜中, PCL结晶由通常的球晶结构变为树枝状晶体. 偏光ATR-FTIR结果表明, 当膜厚小于200 nm时, 薄膜结晶中PCL分子链沿垂直于基板表面方向取向, 并且膜越薄, 取向程度越高, 与AFM的观测结果一致. 相似文献
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从光干涉方式,瞳窗关系和光源带宽等基本关系出发,利用空间不变系统理论解析了相移显微干涉检测系统中衍射效应的影响。为了减小横向分辨率对纵向分辨率的影响,利用相关信息提取或数字滤波的方法,获得了纳米分辨率的三维形貌。 相似文献