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41.
朱来义 《数学进展》1995,24(4):327-334
有界单连通区域G,其边界θG=Г∈(1,α),α〉0。本计算节以广义Faber多项式φn(z)的零点为插值结点的Lagrange插值多项式的逼近性质,得到了它对A(G↑-)中的函数的一致逼近阶和平均逼近阶的估计,并且得到了它对E^p(G)中函数的平均逼近阶的估计,还指出关于平均逼近阶的估计是不可改进的。  相似文献   
42.
在判定整系数多项式是否在有理数域Q上不可约时,一般用系数的性质来判定。实际上多项式的值与不可约性有着密切的联系。Brow和Graha证明了:设f(x)是n次整系数多项  相似文献   
43.
孙太祥 《数学年刊A辑》2006,27(5):645-648
设T是个有限树,f是T上的连续映射.证明了f是分布混沌的当且仅当它的拓扑熵是正数.一些已知结论得到了改进.  相似文献   
44.
Based on Bernstein's Theorem, Kalandia's Lemma describes the error estimate and the smoothness of the remainder under the second part of Hoelder norm when a HSlder function is approximated by its best polynomial approximation. In this paper, Kalandia's Lemma is generalized to the cases that the best polynomial is replaced by one of its four kinds of Chebyshev polynomial expansions, the error estimates of the remainder are given out under Hoeder norm or the weighted HSlder norms.  相似文献   
45.
为了实验研究粲偶素ψ'级联衰变过程ψ'→γ'xcJ→γ'γJ/ψ,一个用于正确描述全部末态角分布的产生子是必要的.可以通过分析角分布的关联来确定这一过程的多极展开参数(或者等效的螺旋度振幅),而从中可以知道高阶电磁多极矩和相对论修正的贡献,同时可以检验ψ'是不是ψ'(2S)和ψ'(1D)的混合.介绍了一个能完全描述这一过程的角分布的产生子,同时讨论了测量多极参数的测量方法.这些都可以被用在BESⅢ或者CLEOc的分析当中.  相似文献   
46.
一种“类耗散系统”中的“类Ⅴ型阵发”   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
一类不连续不可逆保面积映象可以展示类似耗散的行为,因此可称其为“类耗散系统”.在一种类耗散系统中观察到了椭圆周期轨道及其周围的椭圆岛与映象不连续边界碰撞而消失的现象.周期轨道消失后,经过一系列过渡椭圆周期轨道之后,系统的行为由一个混沌类吸引子主导.在混沌类吸引子刚刚出现时,混沌时间序列呈现层流相与湍流相的无规交替.这一切都与不连续耗散系统中发生的Ⅴ型阵发的相应性质十分相似,因此可称为“类Ⅴ型阵发”.然而,当混沌类吸引子刚刚出现时,仅可以找到最后一个过渡椭圆岛的“遗迹”,并不存在它的“鬼魂”,因此类Ⅴ型阵发不遵从Ⅴ型阵发的特征标度规律.反之,混沌类吸引子的鬼魂却存在于最后一个过渡椭圆周期轨道的类瞬态过程中,因此在类Ⅴ型阵发导致混沌运动的临界点之前,由此“类瞬态混沌奇异集”中逃逸的规律就成为标志这一种临界现象的标度律.这与Ⅴ型阵发又根本不同. 关键词: 类耗散性 类混沌吸引子 类Ⅴ型阵发  相似文献   
47.
增强型延迟反馈法控制低维混沌系统的解析研究   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
基于时间延迟反馈控制混沌系统的方法,提出一种增强型控制方案,并利用分析延迟系统产生Hopf分支条件的方法,给出这种方案控制低维连续自治混沌系统时,在达到控制目标的条件下,控制参数的一般解析关系.将这一方案和分析方法应用到两个混沌模型中,结果表明:采用修正的方案可以明显地改善控制混沌的效果和质量;解析分析的结果与实际数值计算的结果一致. 关键词: 延迟反馈 混沌控制 Hopf分支  相似文献   
48.
浅介混沌的概念 ,概述这一领域中近期的发展 ,并探讨其在物理中的几点应用 ,有助于实验演示非线性振荡中的分频与混沌现象  相似文献   
49.
一类平面七次多项式系统赤道环的稳定性与极限环分支   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文研究一类平面七次多项式系统赤道环的稳定性和极限环分支,给出了系统的前12个奇点量公式,可积性条件及在赤道附近存在3个极限环的条件,较为精细地指出了极限环的存在位置。  相似文献   
50.
高功率微波高斯馈源口面场分析   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
 用波导本征模展开方法对用于高功率微波发射系统的方角锥高斯馈源口面场进行分析,提出结合馈源远场辐射特性和避免高功率击穿折衷选定相应的高斯模注腰半径,进而确定多个波导模幅值,从而为运用模匹配或耦合波理论设计高斯馈源提供依据。  相似文献   
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