阿托品选择电极的研制和应用

报道了一种阿托品选择性电极的研制和应用，该电极是将对阿托品敏感的聚氯乙烯膜涂敷于ｐＨ玻璃电极球部表面而制成。在０．１０ｍｏｌ／Ｌ，磷酸盐冲浓度（ｐＨ４．０）中，所制电极对阿托品的Ｎｅｒｎｓｔ响应线性范围为１．７０×１０＾－５～２．００×１０＾－２ｍｏｌ／Ｌ阿托品，响应斜率为５５．８ｍＶ，电极响应时间小于４５ｓ，使用寿命大于６个月，而且具有制作简单，使用方便的特点，已将该电极应用于硫酸阿托品制剂中测     

用于ψ＇→γ＇xcJ→γ＇γJ/ψ过程中多极分析的产生子

为了实验研究粲偶素ψ＇级联衰变过程ψ＇→γ＇xcJ→γ＇γJ/ψ,一个用于正确描述全部末态角分布的产生子是必要的．可以通过分析角分布的关联来确定这一过程的多极展开参数（或者等效的螺旋度振幅），而从中可以知道高阶电磁多极矩和相对论修正的贡献，同时可以检验ψ＇是不是ψ＇（2S）和ψ＇（1D）的混合．介绍了一个能完全描述这一过程的角分布的产生子，同时讨论了测量多极参数的测量方法．这些都可以被用在BESⅢ或者CLEOc的分析当中．     

动力学—压电石英晶体传感器测定水中微量汞的研究

基于涂银压电石英晶体对ＣＮ＾－离子的灵敏响应，应用汞对六氰合铁酸钾与邻二氮杂菲反应的动力学催化作用，建立了动力学－ＰＱＣ传感器单面触液测定微量汞的新方法。研究了ＰＱＣ传感器对汞的响应机理，响应曲线，实验条件及共存离子干扰情况。     

CdSe纳米晶的制备条件对发光特性的影响

以巯基乙酸为稳定剂,在水相中制备了CdSe纳米晶水溶胶,并用X射线光电子能谱和透射电子显微镜对其进行了表征,证明了CdSe纳米晶的形成。研究了在不同反应时间所制备的CdSe纳米晶的XRD谱以及吸收光谱和发射光谱的变化情况,并且还研究了不同反应物配比情况下的发射光谱的变化,结果表明改变CdSe纳米晶的制备条件,将会对CdSe纳米晶的发光特性有显著的影响。     

银-邻菲罗啉-酸性三苯甲烷染料体系共振瑞利散射法测定痕量银

在磷酸盐缓冲介质中,PVA-124存在下,当银与邻菲罗啉(phen)形成配阳离子,并进一步分别与溴酚蓝(BPB)、溴甲酚绿(BCG)和溴甲酚紫(BCP)3种酸性三苯甲烷染料(TPMD)反应形成离子缔合物时,共振瑞利散射(RRS)强度急剧增强并产生相应的散射光谱。研究了离子缔合物的共振散射光谱特性以及适宜的反应条件。Ag+质量浓度在9.6×10-3~0.60μg/mL(BPB体系)、4.5×10-3~1.00μg/mL(BCG体系)和2.4×10-3~0.40μg/mL(BCP体系)范围内与RRS增强程度呈良好的线性关系。方法具有较高的灵敏度,不同染料体系的检出限在0.72~1.60 ng/mL。方法用于环境样品中痕量银的测定,结果满意。     

从1986—1988年化学高考试题结构看高考命题的变化和发展

我们根据1986-1988年高考试题,对比几年来试题结构,综合我县化学教学情况及对学生在高考中失分原因分析的基础上,写出的从高考试题结构看命题的变化和发展。本文共分三部分:1986-1988年高考试题结构对比：学生在高考中失分的原因分析：教学建议。     

C60[RuHCl（CO）（PPh3）]3配合物的合成和表征

富勒烯配合物的制备及其性质的研究是目前富勒烯化学最为活跃的研究领域之一［１］,人们正致力于探索富勒烯各类衍生物的结构与性质之间的依赖关系,以期合成出具有特殊性能的富勒烯配合物,为富勒烯的实际开发应用奠定基础。本文首次合成Ｃ６０［ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）］３配合物,采用元素分析、红外光谱、电子光谱进行鉴定和表征,并推测了其结构。１　实验部分１．１　Ｃ６０［ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）］３的合成合成按下列反应进行：ＲｕＣｌ３＋３ＰＰｈ３＋ＨＣＨＯ→ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）３ＲｕＨＣｌ（…     

表面活性剂在火焰原子吸收法中的增敏作用研究

本文研究了火焰原子吸收法测定人发中铜含量时,表面活性剂十二烷基硫酸钠（SDS）的增敏作用.实验表明,在0.80%（V/V）HNO3存在下,0.08%（m/V）SDS可以提高吸收值约2～3倍.本法测定痕量铜的RSD≤2.1%（n=5）,回收率在88.8%～97.5%之间.     

甘油三酯微生物传感器的研制

以白地霉菌为甘油三酯水解反应的酶源，采用ｐＨ玻璃电极为基础电极研制成甘油三酯微生物传感器，对细菌的筛选和培养条件，传感器制作方法和传感器的响应性能进行了研究，在２８℃时，选择磷酸盐缓冲溶液（ｐＨ７．５）为测量介质，测得所制传感器对甘油三酯的响应线性范围为３．９４×１０＾－６～１．９１×１０＾－３ｍｏｌ／Ｌ，响应斜率为：３７．４ｍＶ／ｄｅｃ响应时间为：５～１５ｍｉｎ，使用寿命可达２８ｄ。     

Continuous-Wave Operation of GaN Based Multi-Quantum-Well Laser Diode at Room Temperature

Room-temperature operation of cw GaN based multi-quantum-well laser diodes （LDs） is demonstrated. The LD structure is grown on a sapphire （0001） substrate by metalorganic chemical vapour deposition. A 2.5μm × 800μm ridge waveguide structure is fabricated. The electrical and optical characteristics of the laser diode under direct current injection at room temperature are investigated. The threshold current and voltage of the LD under cw operation are 110mA and 10.5V, respectively. Thermal induced series resistance decrease and emission wavelength red-shift are observed as the injection current is increased. The full width at half maximum for the parallel and perpendicular far field pattern （FFP） are 12° and 32°, respectively.