低密度氢气的分子间平均相互作用势理论和计算

本文提出了分子单中心模型,并通过对构型的平均,两个定理的提出与证明,色散能修正的证明,从数学上论证了这个模型的合理性。由此模型可以直接求出两个氢分子间的平均相互作用势,从而改变了长期以来,总是先算有限几种构型然后再作平均的传统作法。通过数字计算,得到了迄今为止最好的全程平均相互作用势曲线。势阱深度及平衡分子间距分别为-2.91meV和3.44(实验值:-2.85～-3.00meV,3.43～3.49)。     

高温超导体全载流子范围内的热电势

热电势表示为；Ｓ（Ｔ）＝Ｓｇ（Ｔ）＋Ｓｄ（Ｔ），Ｓｄ（Ｔ０和Ｓｇ（Ｔ）分别是扩散热电势和曳引热电热。高温超导体大量的热电势数据呈现随载流子浓度的系统变化，低载流子浓度区和高载流子浓度区的热电势具有相同的函数形式，这说明从欠掺到过掺杂的热电势应由统一的理论描述。     

修正Poschl—Teller势的Schrodinger方程束缚态的精确解

将修正Ｐｏｓｃｈｌ－Ｔｅｌｌｅｒ势的Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程作自变量双曲函数变换，使其转化为普遍的ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ－Ｌｅｇｅｎｄｒｅ方程，用级数法解此方程，得到用普遍的ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ－Ｌｅｇｅｎｄｒｅ多项式表示的修正Ｐｏｓｃｈｌ－Ｔｅｌｌｅｒ势的束缚态的归一化波函数，文献［１－５］中的有关结果都作为特例包含在本文的一般结论之中。     

稀磁合金的杂质效应对热导率和热电势的影响

本文采用李正中的Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ，讨论了稀磁合金中ｓｄ互作用效应（孤立杂质效应和ＲＫＫＹ关联效应）对热导率和热电势的影响．     

NaCl、KCl和NaF晶体高压结构相变点的计算

 通过晶格动力学方法，计算了NaCl、KCl和NaF晶体的NaCl（BⅠ相）结构和CsCl（BⅡ相）结构的Gibbs函数，以及晶体的BⅠ相- BⅡ相变点。计算结果表明，次近邻离子对间存在较强的短程吸引作用，对上述晶体的高压结构相变起关键作用。利用刚离子模型算得的离子势，得到了较为满意的相变点。结果还表明，温度变化对相变点的影响很小。还从Gordon-Kim模型出发，对短程作用势的物理实质作了讨论。     

Cu3Au熔体快速冷却过程微观结构演化的分子动力学模拟

利用分子动力学模拟技术研究了金属间化合物Cu3Au熔体的双体分布函数g(r)在快速凝固条件下随温度的变化情况,结果表明,Cu3Au降温至700K时第二峰已发生劈裂,液态金属中已经产生了非晶态;用键对分析技术详细考察了Cu3Au中微观组团随温度的演化特点,液体中的键对数及多面体数与温度的关系都表明,Cu3Au在向非晶转变的过程中,的确发生了微观结构组态的变化,其中以液体中的缺陷多面体随温度变化最为剧烈.非晶不是过冷液态的"冻结".     

战略性绩效管理系统设计中的决策问题

战略性绩效管理系统的设计中存在很多决策问题,本以一家制造业公司为例,介绍了应用Nash均衡建立绩效监察博弈模型。确定组织的绩效系统规模;通过AHP方法的创新应用,确定组织的关键业务领域,同时对组织关键业绩指标分类分层设计的思路做了简要阐述。     

单壁碳纳米管单原子空位缺陷的紧束缚理论研究

文章在紧束缚势模型基础上系统地研究了非手性单壁碳纳米管上单原子空位缺陷结构和电子结构性质．计算表明,单原子空位缺陷会自发地形成5-1DB型缺陷,且该缺陷的局域结构和形成能强烈地依赖于碳纳米管的尺寸、旋度和电学性质．同时作者发现这类缺陷在费米能级以上约0．2eV处产生局域的电子态．     

THE SPACE—FRACTIONAL TELEGRAPH EQUATION AND THE RELATED FRACTIONAL TELEGRAPH PROCESS

The space-fractional telegraph equation is analyzed and the Fourier transform of its fundamental solution is obtained and discussed.A symmetric process with discontinuous trajectories, whose transition function satisfies the space-fractional telegraph equation, is presented. Its limiting behaviour and the connection with symmetric stable processes is also examined.     

引入反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱的电子跃迁

 鉴于“方形”势阱过于简单和理想，引入了反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱中的电子运动行为。在量子力学框架内，把电子的Schrodinger方程化为了超几何方程, 并以Ga^1-xAl^xAs-GaAs- Ga^1-xAl^xAs量子阱为例计算了电子的带内跃迁和带间跃迁。结果表明，能级数目和跃迁能量与阱深、阱宽等系统参数有关，只需适当调节这些参数就可望实现对超晶格量子阱光电特征的调节与控制。