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141.
 分析了放电管稳定试验前的烘烤排气对等离子体焦点装置试验结果的影响,介绍了双真空烘烤排气台的原理和结构设计,并利用试验数据说明了该排气台在等离子体焦点装置试验中的重要性,在实际应用中具有潜在的实用价值。  相似文献   
142.
针对中子产额范围宽、下限低,研制4个具有高中子探测效率的正比探测器,由置于慢化体内的BF3正比计数管阵列和电压前置放大器组成。每个探测器内共包括12支BF3正比计数管,并根据不同的数目分为两组。在图l所示的实验中,利用这种多管的正比探测器,可以对产额变化范围宽、下限低的不同脉冲中子源产额进行测量。  相似文献   
143.
 美国圣地亚国家实验室的Z加速器上生成的热密等离子体产生了热核中子。圣地亚的研究者今年4月在费城召开的美国物理学会年会的新闻发布会上宣布了这一消息。Z加速器是世界上功率最大、效率最高的实验室X射线源,于1996年9月开始运行。这台加速器包括36台同时驱动的脉冲功率装置。脉冲持续期小于一亿分之一秒。在这样短的瞬间,Z加速器可以产生X射线的功率为290万亿瓦,能量达到190万焦耳。这台加速器主要用于国防上的武器研究以及聚变能的研究。聚变能是宇宙中最普遍的能源。太阳能及氢弹释放的能量都源自原子核的聚变反应。  相似文献   
144.
为给兰州重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSR)注入放射性核束(RIB)提供初始参数,及为CSR上RIB分离谱仪的物理设计提供依据,对最近几年发展起来的利用弹核碎裂(PF)、双消色散分离谱仪在线获取和分离所需RIB的参数计算方法,进行了系统的总结;给设计中的CSR-RIB分离谱仪设定一组束流光学参数,在此基础上对一组具有代表性的反应道的部分参数进行了初步计算,并用GANIL发展的相关程序LISE进行了验证.理论与实验均表明,在目前对PF反应机制尚不能精确描述的情况下,对RIB产额的计算结果达到1~2数量级的精度;对RIB横向发射度和动量散度的计算结果相对准确. The calculation of the parameters of RIB produced by the projectile fragmentation and separated by an achromatic spectrometer is firstly summarized. The calculation method to the RSPC(the RIB spectrometer between CSR main ring and the experimental ring) is then described. The final results of the yield, the energy spread and the transversal emittance of some typical RIB has been obtained.  相似文献   
145.
基于超短超强激光的短脉冲中子源是实现超快中子探测的理想中子源。如何提升中子产额是目前短脉冲激光中子源实现应用需求亟需解决的关键问题。提出基于靶背鞘场加速机制和束靶反应方案,采用LiD复合组分靶作为中子转换体,可以有效提升激光中子产额。与常规的LiF转换体相比,除了p-Li和d-Li两个反应道之外,LiD转换体可以多出p-D和d-D两个反应道,因此可充分利用激光加速的质子和氘离子的多反应通道优势来提升中子产生概率。实验结果表明,相比于LiF转换体,LiD转换体可带来中子产额2~3倍的提升,达到5.2×108 n/sr的最高中子产额,并具备更好的前冲性。实验还区分了多反应通道的贡献,证明中子产额提升主要来自于p-D反应。  相似文献   
146.
在神光Ⅱ升级装置上完成了国际上首次间接驱动快点火集成实验。实验采用双台阶脉冲整形激光注入黑腔产生X射线准等熵压缩锥壳靶,实现了高密度压缩,然后采用皮秒超短脉冲激光注入加热燃料。实验中观测到中子产额由皮秒激光注入前的5×103增加到2.2×105,中子产额增益达到44倍,实验证实了皮秒激光具有明显燃料加热效果。该实验为进一步开展快点火热斑形成效率和相关物理研究奠定了基础。  相似文献   
147.
报道了在兰州重离子加速器国家实验室测量动能为2.4 MeV的Xeq+(q=10, 15, 20, 26)轰击Au表面辐射的X射线的实验数据. 实验结果表明, Au的M-X射线有不同程度的能移, 这是由于入射过程引起了靶原子内壳层的多电离, 多电离的程度主要取决于离子的外壳层电子分布. 计算了X射线产额, 并与BEA理论计算值进行了比较, 讨论了电荷态对X射线产额的影响.  相似文献   
148.
149.
1封装薄箔活化片分析系统 此种方法己广泛用于裂变堆的中子强度测量,现己用于几乎所有大型托卡马克的中子产额测量,利用中子辐照某些高纯材料薄箔(样品),被中子活化的样品辐射某种能量的γ射线,经高分辨能力的半导体探测器[如HP—Ge或Si(Li)]测量,得到辐照到样品上的中子的中子数。  相似文献   
150.
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