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51.
刘玉明 《应用数学》1991,4(1):75-82
本文用B-网方法确定了△_(nm)~((2))剖分上二次双周期样条函数空间的维数,给出了插值条件的几种提法,证明了解的存在唯一性.  相似文献   
52.
Au/SiO2纳米多层薄膜的制备及其性质表征   总被引:4,自引:2,他引:2       下载免费PDF全文
利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO2的沉积时间及SiO2的沉积时间一定而改变薄膜厚度时,多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明:具有纳米层状结构的Au/SiO2多层薄膜在560nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强,在Au颗粒浓度相同的情况下,复合薄膜光学吸收强度随薄膜厚度的增加而增强.但当金属颗粒的浓度增加到一定程度时,金属颗粒相互接触,没有观察到纳米层状结构,薄膜不显示共振吸收峰特征.用修正后的M-G(Maxwell-Garnett)理论对吸收光谱进行了模拟,得到了与实验一致的结果.  相似文献   
53.
 研究了超临界流体CO2在石墨-金刚石转变中的触媒作用。实验中,采用Ag2O作为流体触媒的先驱材料,在7.7 GPa压力下,Ag2O在1 200 ℃分解成Ag和O2,O2与石墨套管在高温高压下反应形成CO2超临界流体。研究结果表明,在7.7 GPa和1 500 ℃以上温度条件下,石墨在CO2流体触媒的作用下可转变为金刚石晶体,在1 500~1 700 ℃温度范围内合成出的金刚石具有完好的八面体形貌,与天然金刚石的生长特征非常相似。  相似文献   
54.
直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜   总被引:6,自引:1,他引:5       下载免费PDF全文
用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K. 关键词: 高温超导体 超导薄膜 磁控溅射 二硼化镁  相似文献   
55.
新生MnO2对酸性媒介黑T的吸附   总被引:4,自引:0,他引:4  
蒋兰宏 《光谱实验室》2002,19(4):550-553
以化学法合成的新生MnO2为吸附剂,对水中酸性媒介黑T(染料之一)进行了吸附脱色研究,并探讨了影响吸附的因素。结果表明,酸性媒介黑T的脱色率达95%。且PH是影响染料脱色的主要因素。  相似文献   
56.
Recent experimental results of HL-1M tokamak and progress of HL-2A project are presented. Strong fishbone instability was observed during off-axis ECRH. This is first observation of the fishbone instability purely driven by energetic electrons produced by ECRH. The MBI was first proposed and demonstrated on HL-1M. Recently new results of MBI experiment were obtained by increasing the pressure of gas. A stair-shape density increment was obtained with high-pressure multi-pulse MBI just like the density evolution behavior during the multipellet injection. It is shown  相似文献   
57.
58.
本文给出了在Re=50—400范围内二维圆柱后涡脱落的有序和混沌现象的一些初步实验结果。涡脱落由有序到混沌的转捩发生在Re=184.6—193.5之间,但是它不是通过准周期途径。在涡脱落频率与Re数的关系曲线上有两个间断。在Re=70处的间断可能对应于倾斜涡脱落模式的变化,在Re≈193.5处的第二间断对应于由有序到混沌状态的转捩。  相似文献   
59.
姚云飞 《工科数学》2002,18(6):90-102
二次型与正交变换是代数学的基本内容,其用途十分广泛,而重积分的计算往往存在技术性的困难,若利用“二次型”与“正交变换”的有关理论去解决某些重积分的计算问题是颇有功效的。本文将以“二型”与“正交变换”为工具,乘法的处理了一大批重积分的问题。  相似文献   
60.
金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
对用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属β-二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述,对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍,并对它们的应用前景作了展望。  相似文献   
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