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金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜
引用本文:许效红,侯云,王民,王弘,周爱秋.金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜[J].化学进展,2002,14(1):61-67.
作者姓名:许效红  侯云  王民  王弘  周爱秋
作者单位:1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
2. 山东大学化学与环境科学学院,济南,250100
基金项目:国家“8 6 3”新材料领域基金,山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题资助
摘    要:对用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属β-二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述,对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍,并对它们的应用前景作了展望。

关 键 词:金属β-二酮化合物  金属有机化学气相沉积  铁电氧化物薄膜  MOCVD  结构  性质  制备
文章编号:1005-281(2002)01-0061-07
修稿时间:2000年12月1日

Metal β-Diketonates Used as Precursors for Ferroelectric Oxide Thin Films
Xu Xiaohong,Hou Yun,Wang Min,Wang Hong.Metal β-Diketonates Used as Precursors for Ferroelectric Oxide Thin Films[J].Progress in Chemistry,2002,14(1):61-67.
Authors:Xu Xiaohong  Hou Yun  Wang Min  Wang Hong
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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