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151.
利用变温X射线衍射技术,在预烧过程中分析了Nd掺杂Bi4Ti3O12后生成Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)相的形成过程以及微结构的变化.实验观察到以30℃/min的升温速率,BNT相在700℃时开始形成,其衍射峰强度随温度的继续升高而增强,衍射峰半高宽随烧结时间延长而减小.X射线衍射分析结果表明,在900℃恒温条件下,烧结约2h,可形成单一的BNT相. 相似文献
152.
1引言 有限体积方法[l]一l’]作为守恒型的离散技术,被广泛应用于工程计算领域.文【2,3} 基于分片常数和分片常向量函数空间,对二维驻定对流扩散方程提出了一类非协调混合 有限体积(Covolume)格式,证明了格式具有。(hl/2)收敛精度.但该格式要求对偶剖分 比较规则,即采用重 相似文献
153.
应用改进的量子分子动力学模型,在严格挑选初始核考虑弹靶结构效应的基础上,研究了近垒和垒上融合反应40,48Ca+90,96Zr. 研究表明: 4个反应的理论计算截面与实验值很好符合; 丰中子反应40Ca+96Zr的垒下融合截面比其他3个反应有明显增强的现象.为了理解丰中子反应40Ca+96Zr与40Ca+90Zr相比垒下融合截面增强,而Ca+96Zr垒下融合截面没有明显增强的原因, 进一步分析了484个反应的融合位垒,中子转移与融合位垒的关系、中子转移与Q值的关系,结果表明: 正反应Q值会引起核子(特别是中子)转移的增强,从而导致动力学融合位垒的下降和垒下融合截面增强. 相似文献
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155.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
156.
一类非自共轭非线性Schrdinger方程的显式差分格式 总被引:4,自引:1,他引:3
在量子力学与高能物理中,非线性Schrodinger方程很重要,它和KdV方程、BBM方程及Sine-Gordon方程一样,早就引起了人们的注意.郭柏灵讨论了非线性Sch-rodinger方程的适定性与数值方法;吴相辉研究了四点和六点隐差分格式的收敛性和稳定性;常谦顺探讨了守恒差分格式.在[1]中研究了一维晶体和α-螺旋生物分子所产 相似文献
157.
158.
159.
守恒格式稳定性分析与耗散守恒格式 总被引:2,自引:0,他引:2
本文从守恒格式出发,建立分析稳定性和耗散性的启发性方法和Fourier分析方法,给出了耗散守恒格式的严格定义及三点耗散守恒格式的充要条件。应用本文的方法,重新分析了三点格式,得到如下结论:某些常系数耗散格式,在某些情况下,之所以会得到非物理解或发生非线性不稳定,是由于该格式在这些情况下,已经是零耗散的或是负耗散 相似文献
160.